一種壓接式IGBT模塊多物理場(chǎng)耦合仿真方法,包括以下步驟:步驟一、通過(guò)ANSYS?simpleror計(jì)算壓接式IGBT模塊的集電極平均電流;步驟二、在ANSYS?Maxwell中計(jì)算壓接式IGBT模塊隨溫度變化的發(fā)熱功率;步驟三、在ANSYS?steady?state?thermal中計(jì)算壓接式IGBT模塊的內(nèi)部溫度分布;步驟四、在ANSYS?steady?state?mechanical中計(jì)算壓接式IGBT模塊內(nèi)部應(yīng)力分布。本發(fā)明能夠清晰地描述各物理場(chǎng)間的耦合關(guān)系,得到IGBT模塊實(shí)際運(yùn)行中內(nèi)部的溫度分布以及應(yīng)力分布狀態(tài),從而預(yù)測(cè)出模塊內(nèi)部最易失效的部分。
聲明:
“壓接式IGBT模塊多物理場(chǎng)耦合仿真方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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