1.本公開的實施例屬于芯片測試領域，具體涉及一種平移式分選機、芯片測試方法和芯片測試設備。

背景技術：

2.當下半導體芯片的應用領域非常廣泛，芯片需求量非常大，很多產品要求保證使用前確保其功能是符合芯片設計要求的，這就要求每顆產品需要經過電性能(功能)測試。而測試的主要設備就是負責電性能測試的測試機和負責產品搬運及分類放置的分選機。根據產品的封裝類型，產品測試使用的分選機可大致分為轉塔式、重力式和平移式分選機。其中平移式分選機一般用尺寸均一樣的jedec標準料盤上料和下料，機臺內的料盤收納區(qū)可分為上料區(qū)和下料區(qū)。

3.為了提高回收率，不良的產品通常需要放到上料區(qū)進行再測試。而隨著產品越來越復雜，測試過程中的要求也越來越多，部分產品要求初測的特定不良產品不能放到上料區(qū)再測試。此時繼續(xù)使用通常的平移式分選機，則會出現(xiàn)將不可再檢的料盤誤放進上料區(qū)，從而導致不能再測試的產品重復測試。

技術實現(xiàn)要素：

4.本公開的實施例旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提供一種平移式分選機、芯片測試方法和芯片測試設備。

5.本公開的一方面提供一種平移式分選機，所述平移式分選機包括：具有上料區(qū)和多個下料區(qū)的機臺以及多個料盤；

6.至少一個所述料盤設置有防復測部；以及，至少一個所述下料區(qū)被配置為防復測下料區(qū)；其中，

7.設置有所述防復測部的所述料盤被配置于對應的所述防復測下料區(qū)，其余所述料盤被配置于所述上料區(qū)和其它所述下料區(qū)。

8.可選的，所述平移式分選機還包括設置于所述機臺的多個定位機構，每個所述定位機構用于將對應的料盤固定；其中，所述防復測部設置于對應的所述料盤背離所述定位機構的一側。

9.可選的，所述防復測部采用防呆塊。

10.可選的，所述平移式分選機還包括處理模塊、多個第一接近傳感器以及至少一個第二接近傳感器；

11.各所述第一接近傳感器分別設置于對應的所述下料區(qū)，所述第二接近傳感器設置于對應的所述防復測下料區(qū)，并與所述防復測部的位置相對應；

12.所述處理模塊分別與所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器電連接，用于根據所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器的信號確定所述防復測下料區(qū)的料盤是否配置正確。

13.優(yōu)選的，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均采用光電傳感器。

14.可選的，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為npn型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“或”運算，并當運算結果為高電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

15.可選的，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為pnp型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“與”運算，當運算結果為低電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

16.可選的，所述平移式分選機還包括報警模塊；

17.所述報警模塊與所述處理模塊電連接，用于在所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤時輸出報警信號。

18.本公開的另一方面提供一種芯片測試方法，采用上述的平移式分選機；所述方法包括：

19.將電性能測試不合格的不可再測試芯片放置于所述防復測下料區(qū)的料盤；

20.將電性能測試不合格的其他芯片放置于所述上料區(qū)的料盤；

21.將電性能測試合格的芯片放置于其他所述下料區(qū)的料盤。

22.本公開的另一方面提供一種芯片測試設備，所述設備包括上述的平移式分選機。

23.本公開的實施例通過在料盤上設置防復測部，以及將下料區(qū)配置為防復測下料區(qū)，并使該種料盤只能對應配置于防復測下料區(qū)，使用手動撤出等方式防止放入防復測下料區(qū)的料盤上的不可再測試芯片進入上料區(qū)重復測試。

附圖說明

24.圖1為本公開一實施例的一種平移式分選機的結構示意圖；

25.圖2為本公開另一實施例的標準料盤示意圖；

26.圖3為本公開另一實施例的設置有防復測部的料盤示意圖；

27.圖4為本公開另一實施例的信號處理模塊中的電路圖。

具體實施方式

28.為使本領域技術人員更好地理解本公開的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本公開作進一步詳細描述。

29.如圖1所示，本公開的實施例提供一種平移式分選機，所述平移式分選機包括：具有上料區(qū)110和多個下料區(qū)120的機臺100以及多個料盤200；

30.至少一個所述料盤200設置有防復測部210；以及，至少一個所述下料區(qū)120被配置為防復測下料區(qū)121；其中，

31.設置有所述防復測部210的所述料盤200被配置于對應的所述防復測下料區(qū)121，其余所述料盤200被配置于所述上料區(qū)110和其它所述下料區(qū)120。

32.具體地，如圖1所示，以具有三個上料區(qū)110、六個下料區(qū)120(其中三個自動下料區(qū)、三個手動下料區(qū))的平移式分選機為例，通常情況下每個上料區(qū)110及下料區(qū)120可剛好固定一個如圖2所示的料盤200，該尺寸的料盤稱為標準料盤?，F(xiàn)在一個料盤200上設置防復測部210，并將其中一個手動下料區(qū)120的定位機構調整為可剛好固定一個設置有防復測部

210的料盤200，成為防復測下料區(qū)121，使該種設置有防復測部210的料盤200只能被固定于防復測下料區(qū)121。

33.在芯片檢測的過程中，不可再檢測的芯片經檢測完畢后被放入防復測下料區(qū)121的料盤200中，隨后操作人員可手動撤出該料盤200，使不可再檢測的芯片不會重新裝載到上料區(qū)110進行再檢測。

34.本公開的實施例通過在料盤上設置防復測部，以及將下料區(qū)配置為防復測下料區(qū)，并使該種料盤只能對應配置于防復測下料區(qū)，使用手動撤出等方式防止放入防復測下料區(qū)的料盤上的不可再測試芯片進入上料區(qū)重復測試。

35.示例性地，所述平移式分選機還包括設置于所述機臺的多個定位機構，每個所述定位機構用于將對應的料盤固定；其中，所述防復測部設置于對應的所述料盤背離所述定位機構的一側。

36.具體地，每個定位機構剛好能夠將對應料盤固定在對應的上料區(qū)或下料區(qū)中；將防復測下料區(qū)的定位機構向后拉，使其剛好能夠固定具有防復測部的料盤。由于其它下料區(qū)和上料區(qū)的定位機構用于固定不具有防復測部的料盤，所以具有防復測部的料盤無法放置在其它下料區(qū)和上料區(qū)內。

37.本公開的實施例通過防復測部與定位機構互相配合，使需要放入防復測下料區(qū)的，具有防復測部的料盤無法放入其他區(qū)內，保證具有防復測部的料盤配置正確。

38.示例性地，如圖3所示，所述防復測部210采用防呆塊。

39.具體地，如圖3所示，所述防復測部210為一機械防呆塊，設置于標準料盤200的外緣且向外側突出。由于防復測部210的存在，該料盤無法放入通常用于固定標準料盤的上料區(qū)或下料區(qū)中，而只能放入對固定機構經過了調整的防復測下料區(qū)中。

40.本公開的實施例通過在料盤外緣突出設置防復測部，改變料盤原本的尺寸，使其無法放入通常的上料區(qū)或下料區(qū)中，防止不可再測試的芯片誤裝。且防復測部設置在原本的標準料盤上，無需制作新的料盤，改裝方便快捷，改裝過程可逆，節(jié)省成本。

41.示例性地，如圖1所示，所述平移式分選機還包括處理模塊、多個第一接近傳感器310以及至少一個第二接近傳感器320；

42.各所述第一接近傳感器310分別設置于對應的所述下料區(qū)120，所述第二接近傳感器320設置于對應的所述防復測下料區(qū)121，并與所述防復測部210的位置相對應；

43.所述處理模塊分別與所述第一接近傳感器310和所述第二接近傳感器320電連接，用于根據所述第一接近傳感器310和所述第二接近傳感器320的信號確定所述防復測下料區(qū)121的料盤200是否配置正確。

44.具體地，如圖1所示，第一接近傳感器310分別設置于各下料區(qū)120，用于檢測是否有料盤200放入，第二接近傳感器320設置于防復測下料區(qū)121，且對應防復測部210的位置，用于檢測放入防復測下料區(qū)121的料盤200是否具有防復測部210。同時再設置一個處理模塊以處理兩個傳感器的信號，若兩個傳感器均觸發(fā)，則可判斷防復測下料區(qū)121中的料盤配置正確；反之則配置錯誤。

45.本公開的實施例通過針對防復測部設置傳感器，保證放入防復測下料區(qū)的料盤類型正確，防止將未安裝防復測部的標準料盤放入防復測下料區(qū)中，使分選機正常實現(xiàn)防復測功能。

46.優(yōu)選地，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均采用光電傳感器。

47.本公開的實施例通過采用光電傳感器作為檢測料盤的傳感器，其技術成熟，價廉易得，通過簡單地設計電路便可對其信號進行處理，方便后續(xù)利用該兩個傳感器保證料盤配置的正確。

48.示例性地，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為npn型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“或”運算，并當運算結果為高電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

49.具體地，npn型光電傳感器觸發(fā)時輸出低電平，反之輸出高電平。當防復測下料區(qū)中的料盤配置正確，即配置的為具有防復測部的標準料盤，則第一接近傳感器和第二接近傳感器均觸發(fā)，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“或”運算的結果為低電平。當防復測下料區(qū)中配置的料盤不具有防復測部，則第一接近傳感器觸發(fā)，而第二接近傳感器不觸發(fā)，輸出電平一低一高，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“或”運算的結果為高電平。當防復測下料區(qū)中未配置任何料盤，則第一接近傳感器和第二接近傳感器均不觸發(fā)，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“或”運算的結果也為高電平。綜上，對于npn型光電傳感器，進行“或”運算的結果為高電平時，說明防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

50.如圖4所示為本公開的實施例中的進行“或”運算的具體電路，其中，cn2為連接器，引腳1接地，引腳2接機臺電源(dc24v)，引腳3為輸出腳，引腳4、5為分別接兩個接近傳感器的輸入腳；u1為穩(wěn)壓器；u2為“或”門運算器件，端口a、b為輸入端，端口gnd接地，端口y為輸出端、端口vcc接穩(wěn)壓器u1；d1、d2為二極管；r1至r6為電阻；f1為保險絲；c1、c2為電容；q1、q2為三極管。

51.當引腳4、5均輸入高電平時，d1、d2不導通，u2的輸入端a、b與兩個接近傳感器隔離，直接輸入的是穩(wěn)壓器u1的電壓，所以輸出端y輸出高電平，三極管q1、q2不工作，此時cn2的輸出端3輸出高電平。

52.當引腳4、5輸入為一低一高時，u2的輸出端y依舊輸出高電平，同上，cn2的輸出端3輸出高電平。

53.當引腳4、5均輸入低電平時，d1、d2導通，u2的輸入端a、b均輸入傳感器的低電平，輸入端y輸出低電平，三極管q1、q2工作，此時cn2的輸出端3輸出低電平。

54.示例性地，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為pnp型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“與”運算，當運算結果為低電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

55.具體地，pnp型光電傳感器觸發(fā)時輸出高電平，反之輸出低電平。當防復測下料區(qū)中的料盤配置正確，即配置的為具有防復測部的標準料盤，則第一接近傳感器和第二接近傳感器均觸發(fā)，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“與”運算的結果為高電平。當防復測下料區(qū)中配置的料盤不具有防復測部，則第一接近傳感器觸發(fā)，而第二接近傳感器不觸發(fā)，輸出電平一低一高，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“與”運算的結果為低電平。當防復測下料區(qū)中未配置任何料盤，則第一接近傳感器和第二接近傳感器均不觸發(fā)，此時對上述兩個傳感器的輸出進行“與”運算的結果也為低電平。綜上，對于pnp型光電傳感器，進行“與”運算的結果為低電平時，說明防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。

56.同理，當接近傳感器采用pnp型光電傳感器時，則使用具有“與”門運算器件的相應

電路實現(xiàn)邏輯運算，本領域技術人員可輕易實現(xiàn)，本公開的實施例在此不做贅述。

57.本公開的實施例通過對兩個接近傳感器的輸出進行邏輯運算，并提供了具體的運算過程和判斷方法，使防復測下料區(qū)中的料盤是否被配置正確具有了可檢測性，防止了防復測下料區(qū)中的料盤未配置或配置錯誤。

58.示例性地，所述平移式分選機還包括報警模塊；所述報警模塊與所述處理模塊電連接，用于在所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤時輸出報警信號。

59.具體地，處理模塊輸出信號至報警模塊，根據上文所述的判定方法，若信號表明料盤配置錯誤，則報警模塊輸出報警信號；反之則不報警。

60.本公開的實施例通過將處理模塊電連接報警模塊，報警模塊可在處理模塊輸出的運算結果表明料盤配置錯誤時進行報警信號的輸出，使本實施例的平移式分選機遭遇對應故障時及時通知相關操作人員排障。

61.示例性地，所述信號處理模塊包括電路板，所述電路板中的電路用于實現(xiàn)上述所述信號處理模塊的兩種功能之一。

62.本公開的另一實施例提供一種芯片測試方法，該方法采用上述實施例中的平移式分選機，包括：

63.將電性能測試不合格的不可再測試芯片放置于所述防復測下料區(qū)的料盤；

64.將電性能測試不合格的其他芯片放置于所述上料區(qū)的料盤；

65.將電性能測試合格的芯片放置于其他所述下料區(qū)的料盤。

66.具體地，在芯片測試的過程中，通常芯片被放置于上料區(qū)的料盤上，由機械臂抓取到測試設備進行電性能測試，測試合格的芯片再由機械臂抓取放入下料區(qū)的料盤，而測試不合格的芯片則被抓取到上料區(qū)的料盤等待再次檢測。對于不可再測試的芯片，若電性能測試合格則同樣放入下料區(qū)的料盤，若電性能測試不合格則將其放入防復測下料區(qū)的料盤。防復測下料區(qū)可以是原本的手動下料區(qū)，此時測試不合格的不可再測試芯片則通過人工抽出料盤的方式下料。

67.本公開的實施例將檢測為不合格的不可再測試芯片放入防復測下料區(qū)，使用手動撤出等方式防止放入防復測下料區(qū)的料盤上的不可再測試芯片進入上料區(qū)重復測試。

68.本公開的另一實施例提供一種芯片測試設備，該設備包括上述實施例中的平移式分選機。

69.具體地，芯片測試設備通常還包括測試模塊，芯片經過平移式分選機的分選后，進入測試模塊進行電性能測試，測試完成后再次進入平移式分選機，根據每個芯片的測試結果等待再測試或者移出平移式分選機，從而完成一整套的芯片測試過程。

70.本公開的實施例的芯片測試設備采用了前文所述的平移式分選機，可以實現(xiàn)不同芯片的區(qū)別分選，防止不可再測試芯片進入上料區(qū)導致其被重新測試。

71.可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本公開的原理而采用的示例性實施方式，然而本公開并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本公開的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本公開的保護范圍。技術特征：

1.一種平移式分選機，其特征在于，所述平移式分選機包括：具有上料區(qū)和多個下料區(qū)的機臺以及多個料盤；至少一個所述料盤設置有防復測部；以及，至少一個所述下料區(qū)被配置為防復測下料區(qū)；其中，設置有所述防復測部的所述料盤被配置于對應的所述防復測下料區(qū)，其余所述料盤被配置于所述上料區(qū)和其它所述下料區(qū)。2.根據權利要求1所述的平移式分選機，其特征在于，所述平移式分選機還包括設置于所述機臺的多個定位機構，每個所述定位機構用于將對應的料盤固定；其中，所述防復測部設置于對應的所述料盤背離所述定位機構的一側。3.根據權利要求2所述的平移式分選機，其特征在于，所述防復測部采用防呆塊。4.根據權利要求1至3任一項所述的平移式分選機，其特征在于，所述平移式分選機還包括處理模塊、多個第一接近傳感器以及至少一個第二接近傳感器；各所述第一接近傳感器分別設置于對應的所述下料區(qū)，所述第二接近傳感器設置于對應的所述防復測下料區(qū)，并與所述防復測部的位置相對應；所述處理模塊分別與所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器電連接，用于根據所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器的信號確定所述防復測下料區(qū)的料盤是否配置正確。5.根據權利要求4所述的平移式分選機，其特征在于，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均采用光電傳感器。6.根據權利要求5所述的平移式分選機，其特征在于，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為npn型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“或”運算，并當運算結果為高電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。7.根據權利要求5所述的平移式分選機，其特征在于，所述第一接近傳感器和所述第二接近傳感器均為pnp型光電傳感器；所述處理模塊，具體還用于：將所述第一傳感器和所述第二傳感器的信號進行“與”運算，當運算結果為低電平時，判定所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤。8.根據權利要求4所述的平移式分選機，其特征在于，所述平移式分選機還包括報警模塊；所述報警模塊與所述處理模塊電連接，用于在所述防復測下料區(qū)的料盤配置錯誤時輸出報警信號。9.一種芯片測試方法，其特征在于，采用權利要求1至8任一項所述的平移式分選機；所述方法包括：將電性能測試不合格的不可再測試芯片放置于所述防復測下料區(qū)的料盤；將電性能測試不合格的其他芯片放置于所述上料區(qū)的料盤；將電性能測試合格的芯片放置于其他所述下料區(qū)的料盤。10.一種芯片測試設備，其特征在于，包括權利要求1至8任一項所述的平移式分選機。

技術總結

本公開的實施例提供一種平移式分選機，包括：具有上料區(qū)和多個下料區(qū)的機臺以及多個料盤；至少一個所述料盤設置有防復測部；以及，至少一個所述下料區(qū)被配置為防復測下料區(qū)；其中，設置有所述防復測部的所述料盤被配置于對應的所述防復測下料區(qū)，其余所述料盤被配置于所述上料區(qū)和其它所述下料區(qū)。本公開的實施例通過在料盤上設置防復測部，以及將下料區(qū)配置為防復測下料區(qū)，并使該種料盤只能對應配置于防復測下料區(qū)，使用手動撤出等方式防止放入防復測下料區(qū)的料盤上的不可再測試芯片進入上料區(qū)重復測試。料區(qū)重復測試。料區(qū)重復測試。

技術研發(fā)人員：雷水祥 王超

受保護的技術使用者：通富微電子股份有限公司

技術研發(fā)日：2023.02.01

技術公布日：2023/4/25