1.本技術(shù)涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備。

背景技術(shù)：

2.隨著芯片面臨的功耗問題越來越嚴重，芯片功耗過大是芯片量產(chǎn)良率損失的主要原因之一。不同的晶片和不同的批次之間，因為摻雜、刻蝕、溫度等外界因素導(dǎo)致mosfets參數(shù)的變化范圍比較大，為減輕設(shè)計困難度，需要將器件性能限制在某個范圍內(nèi)，并報廢超出這個范圍的芯片，一般芯片量產(chǎn)過程中篩片主要從兩方面限制功耗，其中一個是常溫靜態(tài)電流的上限，另一個是片上集成的監(jiān)測process快慢的osc振蕩電路環(huán)。僅僅基于這兩項測試，會有部分芯片在功耗邊界值附近有高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，即部分在功耗限制范圍內(nèi)的芯片高溫功耗異常，具體表現(xiàn)為芯片工作時結(jié)溫超過預(yù)設(shè)的值或廠家規(guī)定的芯片結(jié)溫的上限，部分在功耗限制范圍外的芯片高溫表現(xiàn)反而正常。如果為了不讓功耗限制范圍內(nèi)出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的芯片進入市場，勢必要繼續(xù)降低功耗限制，這樣對量產(chǎn)芯片的良率的損失是巨大的。

3.因此，亟需一種新的芯片篩片方法來解決芯片量產(chǎn)篩片過程中功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

4.本技術(shù)的主要目的在于提供一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

5.根據(jù)本發(fā)明實施例的一個方面，提供了一種芯片的篩片方法，所述篩片方法包括：對多個樣品芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的所述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個所述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，所述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，所述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預(yù)定條件和所述第二預(yù)定條件的所述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取所述第三目標(biāo)芯片在所述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。

6.可選地，在對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片之前，所述方法還包括：對多個所述第一目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，檢測所述第一目標(biāo)芯片的結(jié)溫值為所述預(yù)定溫

度的情況下，所述第一目標(biāo)芯片在所述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值；根據(jù)所述第一結(jié)溫溫升值確定所述第二預(yù)定范圍。

7.可選地，對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，包括：在測試溫度為設(shè)定溫度和測試激勵為設(shè)定測試激勵的情況下，檢測所述第一目標(biāo)芯片在所述預(yù)定時間的結(jié)溫溫升值，得到第二結(jié)溫溫升值，所述測試溫度為對所述第一目標(biāo)芯片進行所述ft測試的環(huán)境溫度，所述測試激勵為對所述第一目標(biāo)芯片進行所述ft測試的激勵；調(diào)整所述設(shè)定溫度和所述設(shè)定測試激勵，直至得到所述第二目標(biāo)芯片。

8.可選地，根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，包括：在所述環(huán)境溫度為生產(chǎn)溫度的情況下，獲取所述待測試芯片的靜態(tài)電流值和所述待測試芯片的振蕩電路的振蕩頻率值，得到目標(biāo)靜態(tài)電流值和目標(biāo)振蕩頻率值，所述生產(chǎn)溫度為所述待測試芯片生產(chǎn)作業(yè)時所處的環(huán)境的溫度；在所述待測試芯片的結(jié)溫值為所述預(yù)定溫度的情況下，檢測所述待測試芯片在所述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到目標(biāo)結(jié)溫溫升值；在所述目標(biāo)靜態(tài)電流值小于或者等于所述靜態(tài)電流閾值、所述目標(biāo)振蕩頻率值小于或者等于所述振蕩頻率閾值和所述目標(biāo)結(jié)溫溫升值小于或者等于所述結(jié)溫溫升閾值均成立的情況下，確定所述待測試芯片合格。

9.可選地，所述預(yù)定溫度在110℃～120℃之間。

10.可選地，所述預(yù)定時間大于或者等于100ms。

11.可選地，所述第一預(yù)定范圍為115℃～125℃。

12.可選地，所述第二預(yù)定范圍的最小值為第一溫升值，所述第二預(yù)定范圍的最大值為第二溫升值，所述第一溫升值為所述第一結(jié)溫溫升值的70％～90％，所述第二溫升值為所述第一結(jié)溫溫升值的110％～130％。

13.根據(jù)本發(fā)明實施例的另一個方面，提供了一種芯片的篩片裝置，所述裝置包括：第一測試單元，用于對多個樣品芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的所述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個所述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，所述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；第二測試單元，用于對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，所述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；第三測試單元，用于對所述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預(yù)定條件和所述第二預(yù)定條件的所述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取所述第三目標(biāo)芯片在所述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；判斷單元，用于根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。

14.根據(jù)本發(fā)明實施例的再一方面，還提供了一種篩片設(shè)備，所述篩片設(shè)備包括處理器和存儲器，所述處理器用于運行程序，其中，所述程序運行時執(zhí)行上述任意一種所述的篩片方法。

15.在本發(fā)明實施例中，上述芯片的篩片方法對多個樣品芯片進行極限溫度下的板級測試，選出在極限溫度下可正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，即為第一目標(biāo)

芯片，獲取多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，得到靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值；然后對多個第一目標(biāo)芯片進行ft測試，選出在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，確定為第二目標(biāo)芯片；再對第二目標(biāo)芯片進行極限溫度下的板級測試，將在極限溫度下能夠正常工作，結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)，且在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第二目標(biāo)芯片，確定為第三目標(biāo)芯片，獲取第三目標(biāo)芯片在上述ft測試中的結(jié)溫溫升值，得到結(jié)溫溫升閾值；通過靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值三個篩片條件進行篩片，即可避免滿足功耗限制條件的芯片出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而不必降低功耗限制，即不用降低靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，從而提高了芯片良率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

附圖說明

16.構(gòu)成本技術(shù)的一部分的說明書附圖用來提供對本技術(shù)的進一步理解，本技術(shù)的示意性實施例及其說明用于解釋本技術(shù)，并不構(gòu)成對本技術(shù)的不當(dāng)限定。在附圖中：

17.圖1示出了根據(jù)本技術(shù)實施例的芯片的篩片方法的流程圖；

18.圖2示出了根據(jù)本技術(shù)實施例的芯片的篩片裝置的示意圖。

具體實施方式

19.需要說明的是，在不沖突的情況下，本技術(shù)中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本技術(shù)。

20.為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本技術(shù)方案，下面將結(jié)合本技術(shù)實施例中的附圖，對本技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術(shù)一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本技術(shù)保護的范圍。

21.需要說明的是，本技術(shù)的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本技術(shù)的實施例。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

22.應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件(諸如層、膜、區(qū)域、或襯底)描述為在另一元件“上”時，該元件可直接在該另一元件上，或者也可存在中間元件。而且，在說明書以及權(quán)利要求書中，當(dāng)描述有元件“連接”至另一元件時，該元件可“直接連接”至該另一元件，或者通過第三元件“連接”至該另一元件。

23.為了便于描述，以下對本技術(shù)實施例涉及的部分名詞或術(shù)語進行說明：

24.板級測試，主要應(yīng)用于功能測試，使用pcb板+芯片搭建一個“模擬”的芯片工作環(huán)境，把芯片的接口都引出，檢測芯片的功能，或者在各種嚴苛環(huán)境下看芯片能否正常工作。需要應(yīng)用的設(shè)備主要是儀器儀表，需要制作的主要是evb評估板。

25.cp測試：英文全稱為circuit probing\chip probing，也稱為晶圓測試，測試對象

是針對整片晶圓中的每一個晶粒，目的是確保整片晶圓中的每一個晶粒都能基本滿足器件的特征或者設(shè)計規(guī)格書，通常包括電壓、電流、時序和功能的驗證。

26.ft測試：英文全稱為final test，是芯片出廠前的最后一道攔截。測試對象是針對封裝好的芯片，ft測試一般分為兩個步驟：1)自動測試設(shè)備；2)系統(tǒng)級別測試。

27.正如背景技術(shù)中所說的，現(xiàn)有技術(shù)中的篩片方法中功耗限制范圍內(nèi)出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，導(dǎo)致需要降低功耗限制從而導(dǎo)致芯片良率低，為了解決上述問題，本技術(shù)提供了一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備。

28.根據(jù)本技術(shù)的實施例，提供了一種芯片的篩片方法。

29.圖1是本技術(shù)實施例的芯片的篩片方法的流程圖。如圖1所示，該方法包括以下步驟：

30.步驟s101，對多個樣品芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的上述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個上述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，上述極限溫度為上述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，上述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；

31.步驟s102，對上述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的上述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，上述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；

32.步驟s103，對上述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足上述第一預(yù)定條件和上述第二預(yù)定條件的上述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取上述第三目標(biāo)芯片在上述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；

33.步驟s104，根據(jù)上述靜態(tài)電流閾值、上述振蕩頻率閾值和上述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，上述待測試芯片與上述樣品芯片為相同型號的芯片。

34.該篩片方法對多個樣品芯片進行極限溫度下的板級測試，選出在極限溫度下可正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，即為第一目標(biāo)芯片，獲取多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，得到靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值；然后對多個第一目標(biāo)芯片進行ft測試，選出在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，確定為第二目標(biāo)芯片；再對第二目標(biāo)芯片進行極限溫度下的板級測試，將在極限溫度下能夠正常工作，結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)，且在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第二目標(biāo)芯片，確定為第三目標(biāo)芯片，獲取第三目標(biāo)芯片在上述ft測試中的結(jié)溫溫升值，得到結(jié)溫溫升閾值；通過靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值三個篩片條件進行篩片，即可避免滿足功耗限制條件的芯片出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而不必降低功耗限制，即不用降低靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，從而提高了芯片良率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

35.具體地，因為靜態(tài)電流值和振蕩頻率值都是cp測試階段得到的，極限溫度下的板級測試得到第一目標(biāo)芯片后，通過otp直接讀取這些第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，即可根據(jù)這些第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值。在具體的實施例中，在上述第一目標(biāo)芯片有多個的情況下，上述靜態(tài)電流閾值可以為任意一個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值，也可以為多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值的平均

值或者最大值，上述振蕩頻率閾值可以為任意一個第一目標(biāo)芯片的振蕩電路的振蕩頻率值，也可以為多個第一目標(biāo)芯片的振蕩電路的振蕩頻率值的平均值或者最大值，在上述第三目標(biāo)芯片有多個的情況下，上述結(jié)溫溫升閾值可以為任意一個第三目標(biāo)芯片在ft測試中的結(jié)溫溫升值，也可以為多個第三目標(biāo)芯片在ft測試中的結(jié)溫溫升值的平均值或者最大值。

36.優(yōu)選地，上述靜態(tài)電流閾值為多個上述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值的最大值，上述振蕩頻率閾值為多個上述第一目標(biāo)芯片的振蕩電路的振蕩頻率值的最大值，上述結(jié)溫溫升閾值為多個第三目標(biāo)芯片在ft測試中的結(jié)溫溫升值的最大值。具體地，上述第一目標(biāo)芯片和第三目標(biāo)芯片均有多個，上述靜態(tài)電流閾值和上述振蕩頻率閾值均取多個上述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流和振蕩頻率的最大值，結(jié)溫溫升閾值取多個第三目標(biāo)芯片在ft測試中的結(jié)溫溫升值的最大值，進一步提高芯片良率。

37.還需要說明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機可執(zhí)行指令的計算機系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

38.本技術(shù)的一種實施例中，在對上述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的上述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片之前，上述方法還包括：對多個上述第一目標(biāo)芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，檢測上述第一目標(biāo)芯片的結(jié)溫值為上述預(yù)定溫度的情況下，上述第一目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值；根據(jù)上述第一結(jié)溫溫升值確定上述第二預(yù)定范圍。

39.具體地，檢測上述第一目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值，以第一結(jié)溫溫升值為標(biāo)準(zhǔn)，確定合適的第二預(yù)定范圍。

40.本技術(shù)的一種實施例中，對上述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的上述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，包括：在測試溫度為設(shè)定溫度和測試激勵為設(shè)定測試激勵的情況下，檢測上述第一目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間的結(jié)溫溫升值，得到第二結(jié)溫溫升值，上述測試溫度為對上述第一目標(biāo)芯片進行上述ft測試的環(huán)境溫度，上述測試激勵為對上述第一目標(biāo)芯片進行上述ft測試的激勵；調(diào)整上述設(shè)定溫度和上述設(shè)定測試激勵，直至得到上述第二目標(biāo)芯片。

41.具體地，通過不斷調(diào)整設(shè)定測試溫度與設(shè)定測試激勵這種循環(huán)校準(zhǔn)的方式，使得第二結(jié)溫溫升值不斷逼近第二預(yù)定范圍，直至篩選出第二結(jié)溫溫升值處于第二預(yù)定范圍的芯片，即第二目標(biāo)芯片，測試激勵為在ft測試中對待測試芯片輸入的測試信息，不同的測試信息可以使芯片運行在不同的工作狀態(tài)。

42.本技術(shù)的一種實施例中，根據(jù)上述靜態(tài)電流閾值、上述振蕩頻率閾值和上述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，包括：在上述環(huán)境溫度為生產(chǎn)溫度的情況下，獲取上述待測試芯片的靜態(tài)電流值和上述待測試芯片的振蕩電路的振蕩頻率值，得到目標(biāo)靜態(tài)電流值和目標(biāo)振蕩頻率值，上述生產(chǎn)溫度為上述待測試芯片生產(chǎn)作業(yè)時所處的環(huán)境的溫度；在上述待測試芯片的結(jié)溫值為上述預(yù)定溫度的情況下，檢測上述待測試芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到目標(biāo)結(jié)溫溫升值；在上述目標(biāo)靜態(tài)電流值小于或者等于上述靜態(tài)電流閾值、上述目標(biāo)振蕩頻率值小于或者等于上述振蕩頻率閾值和上述目標(biāo)結(jié)溫溫升值小于或者等于上述結(jié)溫溫升閾值均成立的情況下，確定上述待測試芯片合格。

43.具體地，檢測待測試芯片的靜態(tài)電流和上述待測試芯片的振蕩電路的振蕩頻率，以及在預(yù)定溫度下上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到目標(biāo)靜態(tài)電流、目標(biāo)振蕩頻率和目標(biāo)結(jié)溫溫升值，通過靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值三個篩片條件進行篩片，即在待測試芯片滿足上述目標(biāo)靜態(tài)電流小于或者等于上述靜態(tài)電流閾值、上述目標(biāo)振蕩頻率小于或者等于上述振蕩頻率閾值和上述目標(biāo)結(jié)溫溫升值小于或者等于上述結(jié)溫溫升閾值的條件，待測試芯片合格，即可避免滿足功耗限制條件的芯片出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而不必降低功耗限制，即不用降低靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，從而提高了芯片良率。

44.本技術(shù)的一種實施例中，上述預(yù)定溫度在110℃～120℃之間。

45.具體地，芯片可正常工作的結(jié)溫上限值為125℃，上述預(yù)定溫度設(shè)置在上述范圍內(nèi)，預(yù)留一定的結(jié)溫溫升空間，避免檢測結(jié)溫溫升值過程中芯片結(jié)溫超過上限損壞，并使得芯片結(jié)溫值達到預(yù)定溫度后存在出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的可能，優(yōu)選地，預(yù)定溫度可設(shè)定為110℃。通過芯片結(jié)溫值達到預(yù)定溫度檢測的預(yù)定時間的結(jié)溫溫升值設(shè)定第二預(yù)定范圍，以根據(jù)第二預(yù)定范圍篩選出第二目標(biāo)芯片，從而通過檢測第二目標(biāo)芯片得到的結(jié)溫溫升閾值可以篩除可能出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的芯片，保證芯片的質(zhì)量。

46.本技術(shù)的一種實施例中，上述預(yù)定時間大于或者等于100ms。

47.具體地，因為ft測試昂貴，為了節(jié)省成本，可以將預(yù)定時間設(shè)定為100ms，當(dāng)然，預(yù)定時間越長獲取的結(jié)溫溫升值出現(xiàn)的誤差越小，預(yù)定時間可以大于100ms，以進一步提升篩片的良率。

48.本技術(shù)的一種實施例中，上述第一預(yù)定范圍為115℃～125℃。

49.具體地，由于芯片可正常工作的結(jié)溫上限值為125℃，將第一預(yù)定范圍設(shè)定為115℃～125℃，即可篩選出在極限溫度下正常工作且結(jié)溫值處于上述第一預(yù)定范圍內(nèi)的樣品芯片作為第一目標(biāo)芯片，提高結(jié)溫溫升閾值測量的準(zhǔn)確度，進一步提高良率。

50.本技術(shù)的一種實施例中，上述第二預(yù)定范圍的最小值為第一溫升值，上述第二預(yù)定范圍的最大值為第二溫升值，上述第一溫升值在上述第一結(jié)溫溫升值的70％～90％之間，上述第二溫升值在上述第一結(jié)溫溫升值的110％～130％之間。

51.具體地，上述第一溫升值和上述第二溫升值可以根據(jù)實際情況進行選擇，優(yōu)選地，將第一升溫值設(shè)定為第一結(jié)溫溫升值的80％，第二升溫值設(shè)定為第一結(jié)溫溫升值的120％，是因為芯片可正常工作的結(jié)溫上限值為125℃，而預(yù)定溫度設(shè)定為110℃～120℃之間，過高和過低都可能會導(dǎo)致測試不準(zhǔn)確，所以將第二預(yù)定范圍設(shè)定為更接近第一結(jié)溫溫升值，提高芯片量產(chǎn)的良率。

52.本技術(shù)實施例還提供了一種芯片的篩片裝置，需要說明的是，本技術(shù)實施例的芯片的篩片裝置可以用于執(zhí)行本技術(shù)實施例所提供的芯片的篩片方法。以下對本技術(shù)實施例提供的芯片的篩片裝置進行介紹。

53.圖2是根據(jù)本技術(shù)實施例的芯片的篩片裝置的示意圖。如圖2所示，該裝置包括：

54.第一測試單元10，用于對多個樣品芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的上述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個上述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，上述極限溫度為上述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，上述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；

55.第二測試單元20，用于對上述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的上述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，上述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；

56.第三測試單元30，用于對上述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足上述第一預(yù)定條件和上述第二預(yù)定條件的上述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取上述第三目標(biāo)芯片在上述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；

57.判斷單元40，用于根據(jù)上述靜態(tài)電流閾值、上述振蕩頻率閾值和上述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，上述待測試芯片與上述樣品芯片為相同型號的芯片。

58.該篩片裝置對多個樣品芯片進行極限溫度下的板級測試，選出在極限溫度下可正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，即為第一目標(biāo)芯片，獲取多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，得到靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值；然后對多個第一目標(biāo)芯片進行ft測試，選出在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，確定為第二目標(biāo)芯片；再對第二目標(biāo)芯片進行極限溫度下的板級測試，將在極限溫度下能夠正常工作，結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)，且在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第二目標(biāo)芯片，確定為第三目標(biāo)芯片，獲取第三目標(biāo)芯片在上述ft測試中的結(jié)溫溫升值，得到結(jié)溫溫升閾值；通過靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值三個篩片條件進行篩片，即可避免滿足功耗限制條件的芯片出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而不必降低功耗限制，即不用降低靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，從而提高了芯片良率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

59.本技術(shù)的一種實施例中，上述裝置還包括第四測試單元，上述第四測試單元包括第一檢測模塊和第一確定模塊。

60.第一檢測模塊用于對多個上述第一目標(biāo)芯片進行板級測試，上述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，檢測上述第一目標(biāo)芯片的結(jié)溫值為上述預(yù)定溫度的情況下，上述第一目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值；第一確定模塊用于根據(jù)上述第一結(jié)溫溫升值確定上述第二預(yù)定范圍。

61.本技術(shù)的一種實施例中，上述第二測試單元還包括第二檢測模塊與調(diào)整模塊。

62.第二檢測模塊用于在測試溫度為設(shè)定溫度和測試激勵為設(shè)定測試激勵的情況下，檢測上述第一目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間的結(jié)溫溫升值，得到第二結(jié)溫溫升值，上述測試溫度為對上述第一目標(biāo)芯片進行上述ft測試的環(huán)境溫度，上述測試激勵為對上述第一目標(biāo)芯片進行上述ft測試的激勵；調(diào)整模塊用于調(diào)整上述設(shè)定溫度和上述設(shè)定測試激勵，直至得到上述第二目標(biāo)芯片。

63.本技術(shù)的一種實施例中，上述判斷單元包括第三檢測模塊、第四檢測模塊與第二確定模塊。

64.第三檢測模塊用于在上述環(huán)境溫度為生產(chǎn)溫度的情況下，獲取上述待測試芯片的靜態(tài)電流值和上述待測試芯片的振蕩電路的振蕩頻率值，得到目標(biāo)靜態(tài)電流值和目標(biāo)振蕩頻率值，上述生產(chǎn)溫度為上述待測試芯片生產(chǎn)作業(yè)時所處的環(huán)境的溫度。

65.第四檢測模塊用于在上述待測試芯片的結(jié)溫值為上述預(yù)定溫度的情況下，檢測上述待測試芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到目標(biāo)結(jié)溫溫升值。

66.第二確定模塊用于在上述目標(biāo)靜態(tài)電流值小于或者等于上述靜態(tài)電流閾值、上述目標(biāo)振蕩頻率值小于或者等于上述振蕩頻率閾值和上述目標(biāo)結(jié)溫溫升值小于或者等于上述結(jié)溫溫升閾值均成立的情況下，確定上述待測試芯片合格。

67.本技術(shù)的一種實施例中，上述預(yù)定溫度在110℃～120℃之間。

68.本技術(shù)的一種實施例中，上述預(yù)定時間大于或者等于100ms。

69.本技術(shù)的一種實施例中，上述第二預(yù)定范圍的最小值為第一溫升值，上述第二預(yù)定范圍的最大值為第二溫升值，上述第一溫升值在上述第一結(jié)溫溫升值的70％～90％之間，上述第二溫升值在上述第一結(jié)溫溫升值的110％～130％之間。

70.本技術(shù)的一種實施例中，上述第一預(yù)定范圍為115℃～125℃。

71.上述芯片的篩片裝置包括處理器和存儲器，上述第一測試單元10、第二測試單元20、第三測試單元30與判斷單元40等均作為程序單元存儲在存儲器中，由處理器執(zhí)行存儲在存儲器中的上述程序單元來實現(xiàn)相應(yīng)的功能。

72.處理器中包含內(nèi)核，由內(nèi)核去存儲器中調(diào)取相應(yīng)的程序單元。內(nèi)核可以設(shè)置一個或以上，通過調(diào)整內(nèi)核參數(shù)來解決現(xiàn)有技術(shù)中的篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。

73.存儲器可能包括計算機可讀介質(zhì)中的非永久性存儲器，隨機存取存儲器(ram)和/或非易失性內(nèi)存等形式，如只讀存儲器(rom)或閃存(flash ram)，存儲器包括至少一個存儲芯片。

74.本發(fā)明實施例提供了一種篩片設(shè)備，篩片設(shè)備包括處理器、存儲器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的程序，處理器執(zhí)行程序時實現(xiàn)上述任意一種篩片方法：

75.本文中的篩片設(shè)備可以是服務(wù)器、pc、pad、手機等電子設(shè)備。

76.在本發(fā)明的上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。

77.為了使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更加清楚本技術(shù)的技術(shù)方案以及技術(shù)效果，以下將結(jié)合具體的實施例來說明。

78.實施例1

79.待測試芯片要求在50℃以下可正常工作，即極限溫度為50℃，本實施例的芯片的篩片方法包括以下步驟：

80.步驟1：在測試溫度為50℃的環(huán)境溫度下對多個樣品芯片進行板級測試，將在50℃溫度下可正常工作，且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的樣品芯片記為第一目標(biāo)芯片，獲取多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，取多個靜態(tài)電流值的最大值為靜態(tài)電流閾值，取多個振蕩頻率值的最大值為振蕩頻率閾值；

81.步驟2：通過cpu監(jiān)控芯片內(nèi)部的溫度傳感器，測試第一目標(biāo)芯片在預(yù)定溫度110℃，預(yù)定時間100ms內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值；

82.步驟3：對第一目標(biāo)芯片進行ft測試，通過芯片內(nèi)部的溫度傳感器在ft測試中檢測第一目標(biāo)芯片在預(yù)定時間100ms內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第二結(jié)溫溫升值；

83.步驟4：改變ft測試的設(shè)定溫度和設(shè)定測試激勵，使在上述第二結(jié)溫溫升值逼近上述第一結(jié)溫溫升值；

84.步驟5：重復(fù)步驟4，直至篩選出上述第二結(jié)溫溫升值處于上述第一結(jié)溫溫升值的

80％至120％之間的第一目標(biāo)芯片，得到第二目標(biāo)芯片；

85.步驟6：在測試溫度為50℃的環(huán)境溫度下對多個第二目標(biāo)芯片進行板級測試，檢測在預(yù)定時間100ms內(nèi)的結(jié)溫值和第三結(jié)溫溫升值，將在50℃溫度下可正常工作，結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)，且第三結(jié)溫溫升值在第一結(jié)溫溫升值的80％至120％之間的第二目標(biāo)芯片記為第三目標(biāo)芯片，獲取多個第三目標(biāo)芯片的第二結(jié)溫溫升值，取最大值即為結(jié)溫溫升閾值；

86.步驟7：最終以上述靜態(tài)電流閾值、上述振蕩頻率閾值和上述結(jié)溫溫升閾值作為篩片條件的上限，對待測試芯片進行篩片。

87.在本技術(shù)所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如上述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

88.上述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

89.另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

90.上述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取計算機可讀存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個計算機可讀存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可為個人計算機、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例上述方法的全部或部分步驟。而前述的計算機可讀存儲介質(zhì)包括：u盤、只讀存儲器(rom，read-only memory)、隨機存取存儲器(ram，random access memory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

91.從以上的描述中，可以看出，本技術(shù)上述的實施例實現(xiàn)了如下技術(shù)效果：

92.本技術(shù)的篩片方法，篩片裝置，及篩片設(shè)備對多個樣品芯片進行板級測試，通過極限溫度測試選出樣品芯片中在應(yīng)用場景的最大環(huán)境溫度下可正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的芯片，即第一目標(biāo)芯片，并檢測第一目標(biāo)芯片的極限溫度下的靜態(tài)電流和對應(yīng)的振蕩頻率，得到靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，然后對第一目標(biāo)芯片進行ft測試，選出在上述ft測試過程中在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第一目標(biāo)芯片，得到第二目標(biāo)芯片，對上述第二目標(biāo)芯片進行板級測試過程中在上述第二目標(biāo)芯片的結(jié)溫值為預(yù)定溫度的情況下，檢測上述第二目標(biāo)芯片在上述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，即可得到結(jié)溫溫升閾值，通過靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值三個篩片條件進行篩片，即可避免滿足功耗限制條件的芯片出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而不必降低功耗限制，即不用降低靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，從而提高了芯片良率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法中功耗

限制范圍內(nèi)出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，導(dǎo)致需要降低功耗限制從而導(dǎo)致芯片良率低的問題。

93.以上上述僅為本技術(shù)的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本技術(shù)，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本技術(shù)可以有各種更改和變化。凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。技術(shù)特征：

1.一種芯片的篩片方法，其特征在于，所述方法包括：對多個樣品芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的所述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個所述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，所述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，所述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預(yù)定條件和所述第二預(yù)定條件的所述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取所述第三目標(biāo)芯片在所述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片之前，所述方法還包括：對多個所述第一目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，檢測所述第一目標(biāo)芯片的結(jié)溫值為預(yù)定溫度的情況下，所述第一目標(biāo)芯片在所述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到第一結(jié)溫溫升值；根據(jù)所述第一結(jié)溫溫升值確定所述第二預(yù)定范圍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，包括：在測試溫度為設(shè)定溫度和測試激勵為設(shè)定測試激勵的情況下，檢測所述第一目標(biāo)芯片在所述預(yù)定時間的結(jié)溫溫升值，得到第二結(jié)溫溫升值，所述測試溫度為對所述第一目標(biāo)芯片進行所述ft測試的環(huán)境溫度，所述測試激勵為對所述第一目標(biāo)芯片進行所述ft測試的激勵；調(diào)整所述設(shè)定溫度和所述設(shè)定測試激勵，直至得到所述第二目標(biāo)芯片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，包括：在所述環(huán)境溫度為生產(chǎn)溫度的情況下，獲取所述待測試芯片的靜態(tài)電流值和所述待測試芯片的振蕩電路的振蕩頻率值，得到目標(biāo)靜態(tài)電流值和目標(biāo)振蕩頻率值，所述生產(chǎn)溫度為所述待測試芯片生產(chǎn)作業(yè)時所處的環(huán)境的溫度；在所述待測試芯片的結(jié)溫值為預(yù)定溫度的情況下，檢測所述待測試芯片在所述預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值，得到目標(biāo)結(jié)溫溫升值；在所述目標(biāo)靜態(tài)電流值小于或者等于所述靜態(tài)電流閾值、所述目標(biāo)振蕩頻率值小于或者等于所述振蕩頻率閾值和所述目標(biāo)結(jié)溫溫升值小于或者等于所述結(jié)溫溫升閾值均成立的情況下，確定所述待測試芯片合格。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定溫度在110℃～120℃之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定時間大于或者等于100ms。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定范圍為115℃～125℃。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)定范圍的最小值為第一溫升值，所述第二預(yù)定范圍的最大值為第二溫升值，所述第一溫升值為所述第一結(jié)溫溫升值的70％～90％，所述第二溫升值為所述第一結(jié)溫溫升值的110％～130％。9.一種芯片的篩片裝置，其特征在于，所述裝置包括：第一測試單元，用于對多個樣品芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的所述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個所述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，所述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；第二測試單元，用于對所述第一目標(biāo)芯片進行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，所述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；第三測試單元，用于對所述第二目標(biāo)芯片進行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預(yù)定條件和所述第二預(yù)定條件的所述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取所述第三目標(biāo)芯片在所述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；判斷單元，用于根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。10.一種篩片設(shè)備，所述篩片設(shè)備包括處理器和存儲器，其特征在于，所述處理器用于運行程序，其中，所述程序運行時執(zhí)行權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法。

技術(shù)總結(jié)

本申請?zhí)峁┝艘环N芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備，該方法包括：對多個樣品芯片進行板級測試，將在極限溫度下正常工作且結(jié)溫值處于第一預(yù)定范圍內(nèi)的樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值；對第一目標(biāo)芯片進行FT測試，將在預(yù)定時間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)的第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片；對第二目標(biāo)芯片進行板級測試，將在極限溫度下正常工作的第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取第三目標(biāo)芯片在FT測試中的結(jié)溫溫升值，得到結(jié)溫溫升閾值；根據(jù)靜態(tài)電流閾值、振蕩頻率閾值和結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，解決了篩片功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。芯片良率低的問題。芯片良率低的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧冏

受保護的技術(shù)使用者：山東岱微電子有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2021.12.03

技術(shù)公布日：2022/4/8