1.本發(fā)明屬于熔融硅造粒技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種熔融硅出料的造粒裝置及其造粒方法。

背景技術(shù)：

2.工業(yè)硅的性質(zhì)與鍺、鉛、錫相近，具有半導體性質(zhì)。硅在地殼中資源極為豐富，僅次于氧，占地殼總重的四分之一還多，以二氧化硅或硅酸鹽形式存在。工業(yè)硅的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，主要用于有機硅生產(chǎn)原料、非鐵基合金的添加劑以及制取高純度的半導體材料等。工業(yè)中高純度硅的生產(chǎn)工藝中需要將高溫熔融硅冷卻破碎造粒并同時保證純度。一般的工藝方法是直接冷卻再用錘破機破碎，但錘破機的錘頭與硅塊直接接觸，其金屬物質(zhì)會混入硅塊，導致硅純度下降，成品價格大打折扣。

3.cn110860333a公開了工業(yè)硅造粒技術(shù)領(lǐng)域的一種工業(yè)硅造粒裝置及其造粒方法，該工業(yè)硅造粒裝置包括支撐架，該工業(yè)硅造粒裝置的造粒方法包括如下步驟：粉碎造粒；篩分；研磨；該裝置通過在進料口處設(shè)置電磁振動給料機，一方面能夠?qū)崿F(xiàn)定量加料，另一方面可以使原料連續(xù)均勻的進入粉碎箱內(nèi)，避免了進料忽多忽少的現(xiàn)象，使得粉碎成粒后的工業(yè)硅顆粒大小較為均勻，粉碎箱體內(nèi)設(shè)有篩板，通過粉碎箱粉碎工業(yè)硅時產(chǎn)生的振動帶動篩板振動可直接將工業(yè)硅粗粉和工業(yè)硅顆粒進行分離，分離后將工業(yè)硅粗粉進一步研磨成細粉，以用于其它場合，提高了經(jīng)濟效益，支撐架底部設(shè)有減振器，具有一定減振隔振作用。

4.cn211436965u公開了一種用于硅生產(chǎn)的硅料造粒裝置，其結(jié)構(gòu)包括機架，機架上傾斜設(shè)有造粒圓盤，其創(chuàng)新點在于：其結(jié)構(gòu)還包括篩網(wǎng)組件，造粒圓盤設(shè)有出料口，出料口上設(shè)有電磁閥，篩網(wǎng)組件位于造粒圓盤的下方，上述篩網(wǎng)組件包括底座、振動單元以及若干層篩板，振動單元振動設(shè)置在底座上，若干篩板從上到下依次逐層傾斜且相互平行的設(shè)置在振動單元上，篩板的傾斜方向和造粒圓盤的傾斜方向一致，篩板上均勻分布有濾孔，每層濾孔的孔徑從上到下依次降低，每層篩板設(shè)有收集箱，該實用新型實現(xiàn)了對硅料造粒后的分類收集，保證了收集硅料粒徑大小的均勻性，同時方便后續(xù)對不同粒徑的硅料進行分類烘干處理，提高了后續(xù)硅料顆粒的烘干效率。

5.cn208275362u公開了一種無機硅造粒裝置，包括料槽，料槽內(nèi)設(shè)有攪拌裝置，料槽的開口上方設(shè)有料液噴頭，料槽的槽體外部設(shè)有冷卻夾套；攪拌裝置包括平行設(shè)置的多個轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸沿軸向設(shè)有第一攪拌機構(gòu)和第二攪拌機構(gòu)，第一攪拌機構(gòu)包括設(shè)置在轉(zhuǎn)軸上的轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤沿周向設(shè)有多個攪拌葉片；第二攪拌機構(gòu)包括設(shè)置在轉(zhuǎn)軸上的攪拌框，攪拌框上均勻設(shè)有多個攪拌葉輪。利用該實用新型中的造粒裝置，不需要攪拌裝置高速旋轉(zhuǎn)將物料混合均勻，防止物料成塊，而且還可以除去鐵性異物的干擾。

6.現(xiàn)有的造粒裝置，沒有將產(chǎn)生的工業(yè)硅粗顆粒與工業(yè)硅細顆粒進行分離，影響了成品的品質(zhì)，同時粉碎裝置進料口進料量不均勻，易造成粉碎不均勻現(xiàn)象，且還不能有效去除金屬物質(zhì)混入產(chǎn)生的不利影響，因此，亟需設(shè)計研究一套硅造粒的裝置，克服現(xiàn)有技術(shù)的

缺陷，以滿足實際生產(chǎn)生活的需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

7.針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種熔融硅出料的造粒裝置及其造粒方法，在本發(fā)明中，提供的造粒裝置通過分布裝置、冷卻件和篩分裝置的相互配合，省卻了傳統(tǒng)工藝中使用金屬結(jié)構(gòu)破碎的步驟，且消除了其他金屬元素混入的風險，同時采用氮氣作為冷卻氣體，避免在造粒過程中硅液滴被氧化，能夠使得熔融硅液制成的硅造粒純度更高，構(gòu)造簡單，便于調(diào)整，適合推廣。

8.為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

9.第一方面，本發(fā)明提供了一種熔融硅出料的造粒裝置，所述造粒裝置包括殼體，所述殼體頂部開設(shè)有進料口，所述殼體內(nèi)部對應(yīng)進料口的一端設(shè)置有分布裝置，靠近所述分布裝置的殼體兩側(cè)分別設(shè)置有介質(zhì)口和回收口一，所述殼體內(nèi)部在所述介質(zhì)口和回收口一的下方對稱設(shè)置有冷卻件，所述殼體底部開設(shè)有出料口，所述出料口外接篩分裝置，且所述篩分裝置上開設(shè)有回收口二。

10.在本發(fā)明中，提供的造粒裝置通過分布裝置、冷卻件和篩分裝置的相互配合，省卻了傳統(tǒng)工藝中使用金屬結(jié)構(gòu)破碎的步驟，且消除了其他金屬元素混入的風險，同時采用氮氣作為冷卻氣體，避免在造粒過程中硅液滴被氧化，能夠使得熔融硅液制成的硅造粒純度更高，構(gòu)造簡單，便于調(diào)整，適合推廣。

11.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述分布裝置為水冷分布器。

12.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述分布裝置為圓錐形，且圓錐形的椎尖朝向所述進料口，所述分布裝置設(shè)置有通孔，且所述分布裝置內(nèi)有冷卻水循環(huán)。

13.本發(fā)明特別限定了分裝裝置的位置和形狀(為圓錐形)，是因為在這個設(shè)置條件下，能確保把熔融硅液分成相同的小股，最終達到造粒的顆粒相對均勻。

14.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述介質(zhì)口為冷固態(tài)介質(zhì)口。

15.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述回收口一和回收口二均為氣體回收口。

16.本發(fā)明特別限定了回收口一和回收口二為氣體回收口，是因為本發(fā)明可以對高溫氣體進行回收，達到既能節(jié)約氮氣消耗，又能回收高溫氣體帶的熱量和硅粉塵，達到節(jié)能減排的效果。

17.優(yōu)選地，所述氣體回收口回收氮氣。

18.優(yōu)選地，所述介質(zhì)口和回收口一采用管路插入殼體中形成。

19.優(yōu)選地，所述回收口二采用管路插入篩分裝置中形成。

20.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述冷卻件設(shè)置有至少兩個。

21.本發(fā)明中的冷卻件能夠?qū)θ廴诠枰哼M行冷卻，對熔融硅液進行冷卻的介質(zhì)有氮氣和硅塊，硅塊的作業(yè)把液硅分割成小顆粒，使小硅液滴容易固化，氮氣一方面換熱，另一方面氮氣噴入裝置還能夠起到保護氣的作用，防止高溫硅液滴和氧氣發(fā)生反應(yīng)，從而影響造粒品質(zhì)。

22.優(yōu)選地，每個所述冷卻件為冷卻氮氣噴入裝置。

23.優(yōu)選地，每個所述冷卻件的噴射方向朝向所述分布裝置。

24.優(yōu)選地，每個所述冷卻件的噴射角度為40～50

°

，例如可以是40

°

、41

°

、42

°

、43

°

、

44

°

、45

°

、46

°

、47

°

、48

°

、49

°

、50

°

，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

25.本發(fā)明特別限定了所述冷卻件的噴射角度為40～50

°

，規(guī)定氮氣噴射角度是因為在此角度范圍內(nèi)，氮氣能有效擾動下落的硅粒，使氮氣與硅粒充分接觸，有利于換熱和造粒均勻；大于50

°

時，會造成氮氣對部分硅粒沒有起到擾動作業(yè)，造成造粒不徹底，容易形成大顆粒；小于40

°

會導致氮氣與硅顆粒接觸時間短，影響換熱時間，從而影響冷卻效果。

26.優(yōu)選地，所述冷卻氮氣噴入裝置的氮氣壓力為0.5～0.8mpa，例如可以是0.5mpa、0.55mpa、0.6mpa、0.65mpa、0.7mpa、0.75mpa、0.8mpa，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

27.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述篩分裝置為震動篩分機。

28.優(yōu)選地，所述震動篩分機底部設(shè)置有篩分板。

29.優(yōu)選地，所述篩分板沿物料流動方向分為第一篩分段、第二篩分段和第三篩分段。

30.優(yōu)選地，所述第一篩分段的孔徑小于第二篩分段的孔徑，所述第二篩分段的孔徑小于第三篩分段的孔徑。

31.第二方面，本發(fā)明提供了一種第一方面所述的造粒裝置的造粒方法，所述造粒方法包括：

32.熔融硅液自進料口進入殼體內(nèi)部，硅介質(zhì)顆粒由介質(zhì)口進入殼體內(nèi)部，依次經(jīng)分布裝置分散、冷卻件冷卻后，至篩分裝置后被分散成粒徑不同的熔融硅造粒。

33.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述熔融硅液的溫度為1500～1600℃，例如可以是1500℃、1510℃、1520℃、1530℃、1540℃、1550℃、1560℃、1570℃、1580℃、1590℃、1600℃，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

34.優(yōu)選地，所述硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口進入殼體內(nèi)部的流速為5～8m/s，例如可以是5m/s、5.5m/s、6m/s、6.5m/s、7m/s、7.5m/s、8m/s，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

35.作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述分布裝置將熔融硅液分散成至少兩股硅液流。

36.優(yōu)選地，所述分布裝置將熔融硅液分散成2～10股硅液流，例如可以是2股、3股、4股、5股、6股、7股、8股、9股、10股，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

37.優(yōu)選地，所述熔融硅經(jīng)冷卻件冷卻后的溫度為200～250℃，例如可以是200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

38.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

39.在本發(fā)明中，提供的造粒裝置通過分布裝置、冷卻件和篩分裝置的相互配合，省卻了傳統(tǒng)工藝中使用金屬結(jié)構(gòu)破碎的步驟，且消除了其他金屬元素混入的風險，同時采用氮氣作為冷卻氣體，避免在造粒過程中硅液滴被氧化，能夠使得熔融硅液制成的硅造粒純度更高，構(gòu)造簡單，便于調(diào)整，適合推廣。

附圖說明

40.圖1為本發(fā)明一個具體實施方式中提供的熔融硅出料的造粒裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

41.其中，1-殼體；2-分布裝置；3-冷卻件；4-篩分裝置；5-介質(zhì)口；6-回收口一；7-回收口二；8-進料口；9-出料口；10-成品倉一；11-冷固態(tài)介質(zhì)收集倉；12-成品倉二。

具體實施方式

42.需要理解的是，在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。

43.需要說明的是，在本發(fā)明的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

44.本領(lǐng)域技術(shù)人員理應(yīng)了解的是，本發(fā)明中必然包括用于實現(xiàn)工藝完整的必要管線、常規(guī)閥門和通用泵設(shè)備，但以上內(nèi)容不屬于本發(fā)明的主要發(fā)明點，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以基于工藝流程和設(shè)備結(jié)構(gòu)選型可以自行增設(shè)布局，本發(fā)明對此不做特殊要求和具體限定。

45.下面結(jié)合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

46.在一個具體實施方式中，本發(fā)明提供了一種熔融硅出料的造粒裝置，如圖1所示，所述造粒裝置包括殼體1，殼體1頂部開設(shè)有進料口8，殼體1內(nèi)部對應(yīng)進料口8的一端設(shè)置有分布裝置2，靠近分布裝置2的殼體1兩側(cè)分別設(shè)置有介質(zhì)口5和回收口一6，殼體1內(nèi)部在所述介質(zhì)口5和回收口一6的下方對稱設(shè)置有冷卻件3，殼體1底部開設(shè)有出料口9，出料口9外接篩分裝置4，且篩分裝置4上開設(shè)有回收口二7。

47.在本發(fā)明中，提供的造粒裝置通過分布裝置2、冷卻件3和篩分裝置4的相互配合，省卻了傳統(tǒng)工藝中使用金屬結(jié)構(gòu)破碎的步驟，且消除了其他金屬元素混入的風險，能夠使得熔融硅液制成的硅造粒純度更高，構(gòu)造簡單，便于調(diào)整，適合推廣。

48.分布裝置2為水冷分布器。分布裝置2為圓錐形，且圓錐形的椎尖朝向進料口8，分布裝置2設(shè)置有通孔，且分布裝置2內(nèi)有冷卻水循環(huán)。本發(fā)明特別限定了分裝裝置的位置和形狀(為圓錐形)，是因為在這個設(shè)置條件下，能確保把熔融硅液分成相同的小股，最終達到造粒的顆粒相對均勻。

49.介質(zhì)口5為冷固態(tài)介質(zhì)口5，回收口一6和回收口二7均為氣體回收口。本發(fā)明特別限定了回收口一6和回收口二7為氣體回收口，是因為本發(fā)明可以對高溫氣體進行回收，達到既能節(jié)約氮氣消耗，又能回收高溫氣體帶的熱量和硅粉塵，達到節(jié)能減排的效果。

50.氣體回收口回收氮氣，介質(zhì)口5和回收口一6采用管路插入殼體1中形成，回收口二

7采用管路插入篩分裝置4中形成。

51.冷卻件3設(shè)置有至少兩個，每個冷卻件3為冷卻氮氣噴入裝置，每個冷卻件3的噴射方向朝向分布裝置2，本發(fā)明中的冷卻件3能夠?qū)θ廴诠枰哼M行冷卻，對熔融硅液進行冷卻的介質(zhì)有氮氣和硅塊，硅塊的作業(yè)把液硅分割成小顆粒，使小硅液滴容易固化，氮氣一方面換熱，另一方面氮氣噴入裝置還能夠起到保護氣的作用，防止高溫硅液滴和氧氣發(fā)生反應(yīng)，從而影響造粒品質(zhì)。

52.每個冷卻件3的噴射角度為40～50

°

，冷卻氮氣噴入裝置的氮氣壓力為0.5～0.8mpa，本發(fā)明特別限定了所述冷卻件3的噴射角度為40～50

°

，規(guī)定氮氣噴射角度是因為在此角度范圍內(nèi)，氮氣能有效擾動下落的硅粒，使氮氣與硅粒充分接觸，有利于換熱和造粒均勻，大于50

°

時，會造成氮氣對部分硅粒沒有起到擾動作業(yè)，造成造粒不徹底，容易形成大顆粒；小于40

°

會導致氮氣與硅顆粒接觸時間短，影響換熱時間，從而影響冷卻效果。

53.篩分裝置4為震動篩分機，震動篩分機底部設(shè)置有篩分板，篩分板沿物料流動方向分為第一篩分段、第二篩分段和第三篩分段，進一步地，第一篩分段的孔徑小于第二篩分段的孔徑，第二篩分段的孔徑小于第三篩分段的孔徑。

54.在另一個具體實施方式中，本發(fā)明提供了一個具體實施方式中所述的造粒裝置的造粒方法，所述造粒方法包括：

55.熔融硅液自進料口8進入殼體1內(nèi)部，硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口5進入殼體1內(nèi)部，依次經(jīng)分布裝置2分散、冷卻件3冷卻后，至篩分裝置4后被分散成粒徑不同的熔融硅造粒。

56.熔融硅液的溫度為1500～1600℃，硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口5進入殼體1內(nèi)部的流速為5～8m/s；分布裝置2將熔融硅液分散成至少兩股硅液流，分布裝置2將熔融硅液分散成2～10股硅液流；熔融硅經(jīng)冷卻件3冷卻后的溫度為200～250℃。

57.實施例1

58.本實施例提供了一種熔融硅出料的造粒裝置及其造粒方法，其中：

59.造粒裝置包括殼體1，殼體1頂部開設(shè)有進料口8，殼體1內(nèi)部對應(yīng)進料口8的一端設(shè)置有分布裝置2，靠近分布裝置2的殼體1兩側(cè)分別設(shè)置有介質(zhì)口5和回收口一6，殼體1內(nèi)部在所述介質(zhì)口5和回收口一6的下方對稱設(shè)置有冷卻件3，殼體1底部開設(shè)有出料口9，出料口9外接篩分裝置4，且篩分裝置4上開設(shè)有回收口二7。

60.分布裝置2為水冷分布器，分布裝置2為圓錐形，且圓錐形的椎尖朝向進料口8，分布裝置2設(shè)置有通孔，且分布裝置2內(nèi)有冷卻水循環(huán)。介質(zhì)口5為冷固態(tài)介質(zhì)口5，回收口一6和回收口二7均為氣體回收口。氣體回收口回收氮氣，介質(zhì)口5和回收口一6采用管路插入殼體1中形成，回收口二7采用管路插入篩分裝置4中形成。冷卻件3設(shè)置有6個，每個冷卻件3為冷卻氮氣噴入裝置，每個冷卻件3的噴射方向朝向分布裝置2。

61.每個冷卻件3的噴射角度為45

°

，冷卻氮氣噴入裝置的氮氣壓力為0.6mpa，篩分裝置4為震動篩分機，震動篩分機底部設(shè)置有篩分板，篩分板沿物料流動方向分為第一篩分段、第二篩分段和第三篩分段，分別連接成品倉一10、冷固態(tài)介質(zhì)收集倉11、成品倉二12，進一步地，第一篩分段的孔徑小于第二篩分段的孔徑，第二篩分段的孔徑小于第三篩分段的孔徑。

62.所述的造粒裝置的造粒方法包括：熔融硅液自進料口8進入殼體1內(nèi)部，硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口5進入殼體1內(nèi)部，依次經(jīng)分布裝置2分散、冷卻件3冷卻后，至篩分裝置4后被分

散成粒徑不同的熔融硅造粒。

63.熔融硅液的溫度為1550℃，硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口5進入殼體1內(nèi)部的流速為6m/s；分布裝置2將熔融硅液分散成至少兩股硅液流，分布裝置2將熔融硅液分散成8股硅液流；熔融硅經(jīng)冷卻件3冷卻后的溫度為250℃。

64.申請人聲明，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，任何屬于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。技術(shù)特征：

1.一種熔融硅出料的造粒裝置，其特征在于，所述造粒裝置包括殼體，所述殼體頂部開設(shè)有進料口，所述殼體內(nèi)部對應(yīng)進料口的一端設(shè)置有分布裝置，靠近所述分布裝置的殼體兩側(cè)分別設(shè)置有介質(zhì)口和回收口一，所述殼體內(nèi)部在所述介質(zhì)口和回收口一的下方對稱設(shè)置有冷卻件，所述殼體底部開設(shè)有出料口，所述出料口外接篩分裝置，且所述篩分裝置上開設(shè)有回收口二。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的造粒裝置，其特征在于，所述分布裝置為水冷分布器。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的造粒裝置，其特征在于，所述分布裝置為圓錐形，且圓錐形的椎尖朝向所述進料口，所述分布裝置設(shè)置有通孔，且所述分布裝置內(nèi)有冷卻水循環(huán)。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的造粒裝置，其特征在于，所述介質(zhì)口為冷固態(tài)介質(zhì)口。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的造粒裝置，其特征在于，所述回收口一和回收口二均為氣體回收口；優(yōu)選地，所述氣體回收口回收氮氣；優(yōu)選地，所述介質(zhì)口和回收口一采用管路插入殼體中形成；優(yōu)選地，所述回收口二采用管路插入篩分裝置中形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的造粒裝置，其特征在于，所述冷卻件設(shè)置有至少兩個；優(yōu)選地，每個所述冷卻件為冷卻氮氣噴入裝置；優(yōu)選地，每個所述冷卻件的噴射方向朝向所述分布裝置；優(yōu)選地，每個所述冷卻件的噴射角度為40～50

°

；優(yōu)選地，所述冷卻氮氣噴入裝置的氮氣壓力為0.5～0.8mpa。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的造粒裝置，其特征在于，所述篩分裝置為震動篩分機；優(yōu)選地，所述震動篩分機底部設(shè)置有篩分板；優(yōu)選地，所述篩分板沿物料流動方向分為第一篩分段、第二篩分段和第三篩分段；優(yōu)選地，所述第一篩分段的孔徑小于第二篩分段的孔徑，所述第二篩分段的孔徑小于第三篩分段的孔徑。8.一種根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的造粒裝置的造粒方法，其特征在于，所述造粒方法包括：熔融硅液自進料口進入殼體內(nèi)部，硅介質(zhì)顆粒由介質(zhì)口進入殼體內(nèi)部，依次經(jīng)分布裝置分散、冷卻件冷卻后，至篩分裝置后被分散成粒徑不同的熔融硅造粒。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的造粒方法，其特征在于，所述熔融硅液的溫度為1500～1600℃；優(yōu)選地，所述硅介質(zhì)顆粒自介質(zhì)口進入殼體內(nèi)部的流速為5～8m/s。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的造粒方法，其特征在于，所述分布裝置將熔融硅液分散成至少兩股硅液流；優(yōu)選地，所述分布裝置將熔融硅液分散成2～10股硅液流；優(yōu)選地，所述熔融硅經(jīng)冷卻件冷卻后的溫度為200～250℃。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明提供了一種熔融硅出料的造粒裝置及其造粒方法，所述造粒裝置包括殼體，所述殼體頂部開設(shè)有進料口，所述殼體內(nèi)部對應(yīng)進料口的一端設(shè)置有分布裝置，靠近所述分布裝置的殼體兩側(cè)分別設(shè)置有介質(zhì)口和回收口一，所述殼體內(nèi)部在所述介質(zhì)口和回收口一的下方對稱設(shè)置有冷卻件，所述殼體底部開設(shè)有出料口，所述出料口外接篩分裝置，且所述篩分裝置上開設(shè)有回收口二。在本發(fā)明中，提供的造粒裝置通過分布裝置、冷卻件和篩分裝置的相互配合，省卻了傳統(tǒng)工藝中使用金屬結(jié)構(gòu)破碎的步驟，且消除了其他金屬元素混入的風險，能夠使得熔融硅液制成的硅造粒純度更高，構(gòu)造簡單，便于調(diào)整，適合推廣。廣。廣。

技術(shù)研發(fā)人員：單宏偉 張曉東 孫恕堅 王凱

受保護的技術(shù)使用者：南京博納能源環(huán)?？萍加邢薰?br />
技術(shù)研發(fā)日：2022.02.14

技術(shù)公布日：2022/4/29