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本實(shí)用新型屬于有色金屬冶煉設(shè)備技術(shù)鄰域,特別涉及一種生產(chǎn)鋅錠用壓濾機(jī)設(shè)備;包括機(jī)架、壓濾裝置、壓緊機(jī)構(gòu)、收集槽,所述位于機(jī)架側(cè)邊的左上角位置上安裝有進(jìn)氣管路,向每一個(gè)濾室內(nèi)充入壓縮空氣,提供動(dòng)能,進(jìn)氣管路可并聯(lián)多臺(tái)壓濾機(jī),同時(shí)進(jìn)行供能,位于機(jī)架側(cè)邊的中間位置安裝有進(jìn)料管路,向每一個(gè)濾室內(nèi)充入原料,進(jìn)氣管路搭接在進(jìn)料管路的上面;本實(shí)用新型的有益效果在于:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于安裝成型,增加壓縮空氣想壓縮機(jī)內(nèi)提供動(dòng)力,清晰透明、輸送方便、沒(méi)有特殊的有害性能、不怕超負(fù)荷、能在許多環(huán)境下工作,壓縮空氣能夠提高壓濾機(jī)的壓濾效果,極大的提高了其工作效率,且增加壓縮空氣使壓濾成本低,實(shí)用性強(qiáng)。
本發(fā)明涉及冶金法多晶硅生產(chǎn)中高效定向凝固除雜的工藝。其技術(shù)方案是:a.預(yù)熱:對(duì)坩堝中的硅料進(jìn)行緩慢預(yù)熱,預(yù)熱真空度達(dá)到0.8Pa以下,預(yù)熱溫度范圍:室溫~1200℃,預(yù)熱時(shí)間:6~10h,預(yù)熱中要求完全保溫;b.熔化:緩慢充入氬氣至60Pa,保持一定的熔化真空度;溫度為1200℃~1550℃之間,時(shí)間為5~7h,保溫;c.真空:停止充入氬氣至5Pa,保持1h,再緩慢充入氬氣至60Pa;溫度為1550~1440℃之間,真空降壓、升壓,時(shí)間為2~3h;d.定向凝固結(jié)晶:連續(xù)充入氬氣保持60Pa;溫度為1440℃~1420℃;時(shí)間:22~26h,保溫隔熱籠逐步開(kāi)啟;e.冷卻:連續(xù)充入氬氣保持80Pa;降低功率1~1.5h后溫度降至1200℃,關(guān)閉功率后至300℃;冷卻時(shí)間為10~13h;保溫隔熱籠開(kāi)啟。使用本發(fā)明提純除雜效果良好。提純除雜后中金屬雜質(zhì)含量產(chǎn)品達(dá)到了6N~7N太陽(yáng)能多晶硅的等級(jí)要求。
本發(fā)明屬于材料工程技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的制備方法。其技術(shù)方案是為采用高純硅石和碳質(zhì)還原劑為原料,經(jīng)過(guò)礦熱爐碳熱還原、渣洗精煉、濕法除雜、定向凝固、電子束熔煉后,得到太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。該高純度的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.43ppmw、純度≥99.9999%。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):1、生產(chǎn)工藝流程短;電耗低;環(huán)境污染小;技術(shù)方法分步驟、有目的性、選擇性、遞級(jí)性地去除硅中的雜質(zhì),產(chǎn)品純度高。2、本發(fā)明可以由硅石直接制備太陽(yáng)能級(jí)多晶硅,可成功應(yīng)用于大型高壓并網(wǎng)電站。
本發(fā)明涉及冶金法多晶硅提純技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種濕法冶金提純方法。本發(fā)明的提純方法為:將顆粒度為100~200目的硅粉,進(jìn)行磁選機(jī)磁選備用,通過(guò)預(yù)清洗、稀鹽酸酸洗、稀氫氟酸酸洗、王水酸洗、稀氫氟酸和過(guò)氧化氫酸洗過(guò)程進(jìn)行酸洗,固液比為1∶3,浸泡12-16小時(shí),在浸泡中每隔1小時(shí)攪拌15min,后用去離子水漂洗多遍,直至水的pH值為中性,離心甩干、烘干、包裝。使用本發(fā)明的提純方法,通過(guò)優(yōu)化硅粉顆粒、酸的濃度、浸泡時(shí)間和攪拌等條件,將冶金法多晶硅中的金屬雜質(zhì)總含量預(yù)先減低至100ppmw,可以獲得4N純度冶金硅的效果,并達(dá)到一種簡(jiǎn)便易行、成本低廉、可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的方法。
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