高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管及其制備方法 856     

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本發(fā)明公開了一種高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管及其制備方法，涉及二極管制造技術(shù)領(lǐng)域；包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝；本發(fā)明二極管采用U型玻璃鈍化表貼封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)合了玻璃鈍化產(chǎn)品可靠性高、抗機(jī)械、溫度沖擊能力強(qiáng)特點(diǎn)，以及表貼封裝器件尺寸小、易安裝的特點(diǎn)，器件具有圓形引出端和方形引出端兩種結(jié)構(gòu)，滿足用戶對(duì)高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管的使用要求。

玻璃鈍化表貼二極管及其制造方法 1134     

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本發(fā)明公開了一種玻璃鈍化表貼二極管及其制造方法，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。該二極管包括管芯和兩電極片，所述管芯位于兩所述電極片之間，所述電極片通過蒸鋁層與管芯連接，所述管芯、兩電極片和蒸鋁層均封裝在鈍化玻璃內(nèi)，且所述電極片上遠(yuǎn)離管芯的一端沿管芯的徑向延伸到鈍化玻璃外。二極管的引出電極為鉬片，鉬片厚度為0.1mm～0.2mm，引出電極尺寸更小。二極管的引出電極沿管芯的徑向延伸，管芯尺寸增大時(shí)，只需增大鉬片的焊盤尺寸即可，二級(jí)管的厚度不會(huì)增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表貼器件。將臺(tái)面腐蝕后的二極管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉漿的方式涂覆玻璃漿，可以根據(jù)需要制造不同的封裝外形。

提高非固體電解質(zhì)鉭電容器鉭外殼內(nèi)壁容量的方法 953     

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本發(fā)明屬于提高電容器外殼內(nèi)壁容量技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高非固體電解質(zhì)鉭電容器鉭外殼內(nèi)壁容量的方法；采用鉭粉壓制的陰極桶為多孔蜂窩結(jié)構(gòu)，可以充當(dāng)二氧化釕的附著對(duì)象，等效于增加鉭外殼的內(nèi)表面，增大二氧化釕的附著量，從而達(dá)到增加鉭外殼內(nèi)壁容量的目的。

玻璃鈍化實(shí)體封裝低壓二極管及其制造方法 687     

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本發(fā)明公開了一種玻璃鈍化實(shí)體封裝低壓二極管及其制造方法，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。該二極管包括硅片A和兩個(gè)電極引線，所述硅片A位于兩個(gè)所述電極引線之間，其中一個(gè)電極引線通過焊接金屬A與硅片A連接，另一個(gè)電極引線通過焊接金屬B與硅片A連接，所述硅片A、焊接金屬A、焊接金屬B和兩電極引線均設(shè)于鈍化玻璃內(nèi)，且電極引線的一端延伸到鈍化玻璃外。二極管的核心PN結(jié)是在電極引線與管芯的燒焊過程中同步獲得的，避免了PN結(jié)因高溫工藝進(jìn)行了重新分布，最終導(dǎo)致二極管電壓大幅提高的問題，避免了傳統(tǒng)二極管因管芯PN結(jié)結(jié)深太淺，燒焊時(shí)焊接金屬穿越PN結(jié)，導(dǎo)致PN結(jié)短路的問題，可以制造6V以下的玻璃鈍化實(shí)體封裝二極管。

免清洗混合集成電路焊接方法 1160     

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本發(fā)明公開了一種免清洗混合集成電路焊接方法，該方法是采用不含助焊劑的全固態(tài)預(yù)制合金焊料片取代原先的膏狀焊料，在充滿氮?dú)馇覝囟瓤煽氐沫h(huán)境下，采用兩種不同熔點(diǎn)的合金焊料分步進(jìn)行芯片、基片電路、基座的相互焊接，不會(huì)對(duì)基座、基片電路和芯片造成污染，產(chǎn)品焊接后可直接進(jìn)行鍵合、封裝，實(shí)現(xiàn)免清洗焊接。本方法產(chǎn)品焊接后可直接進(jìn)行鍵合、封裝，避免焊接后的清洗、清洗劑的使用和排放，節(jié)省時(shí)間提高效率。采用這種工藝焊接的產(chǎn)品，焊接強(qiáng)度較膏狀焊料更高，產(chǎn)品能經(jīng)受恒定加速度試驗(yàn)不脫落，遠(yuǎn)高于國家軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求；適用于焊接面為可焊金屬介質(zhì)的外殼、基片電路和帶背面金屬化半導(dǎo)體芯片、無源元件的混合集成電路的組裝焊接。

超薄鉭電容器陽極鉭芯及其制造方法 951     

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本發(fā)明提供了一種超薄鉭電容器陽極鉭芯，包括箔片和鉭層，所述箔片為片狀結(jié)構(gòu)，所述箔片的至少一個(gè)側(cè)面上設(shè)置有鉭層，所述鉭層與箔片連成一體。本發(fā)明采用箔片和鉭層結(jié)合的結(jié)構(gòu)使陽極鉭芯可以做成任意形狀的薄片狀，采用印刷工藝制備陽極鉭芯，大大減小了陽極鉭芯的厚度，對(duì)陽極鉭芯進(jìn)行低溫干燥處理、去粘合劑處理、高溫?zé)Y(jié)后使薄片狀的陽極鉭芯滿足設(shè)計(jì)要求，陽極鉭芯最小厚度可達(dá)到幾十個(gè)微米，使最終制成的鉭電容器的厚度大大縮小，更適合現(xiàn)代元器件對(duì)薄型化的需求。

煉鋼粉塵綜合利用回收鋅的方法 808     

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本發(fā)明公開了一種煉鋼粉塵綜合利用回收鋅的方法，是將煉鋼粉塵與還原劑、添加劑進(jìn)行混合后，壓制成球團(tuán)，送入真空碳管爐中進(jìn)行真空焙燒，獲得氣態(tài)單質(zhì)鋅揮發(fā)物，其經(jīng)過冷凝收集器后冷凝成固體，收集該固體獲得高純度鋅錠。本申請(qǐng)方法促進(jìn)了煉鋼粉塵中鋅的還原，實(shí)現(xiàn)了對(duì)煉鋼粉塵的回收利用，獲得了高品質(zhì)鋅錠，降低了煉鋼粉塵處理過程中真空條件控制時(shí)的能耗，且工藝簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便，真空還原能夠有效蒸發(fā)煉鋼粉塵中的鋅，達(dá)到冷凝收集單質(zhì)鋅的目的，使得煉鋼粉塵中鋅的回收率高達(dá)97.76％，并有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)含鋅煉鋼粉塵處理時(shí)存在的成本較高、污染重、能耗高、三廢產(chǎn)出量大的問題，最終實(shí)現(xiàn)了廢料循環(huán)利用的目的。

含鋅鋼鐵冶金粉塵的綜合回收方法 869     

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本發(fā)明公開了一種含鋅鋼鐵冶金粉塵的綜合回收方法，它是首先將各種含鋅鋼鐵冶金粉塵磨細(xì)后與還原劑焦炭粉混合配料至混合物料中含鋅達(dá)到10％以上，然后用紙漿或粘土作粘結(jié)劑將混合物料制成球團(tuán)狀或磚塊狀，最后將其加入帶微波輻射的真空爐中進(jìn)行真空還原冶煉，分別獲得金屬鋅和主要含鐵和炭的金屬化球團(tuán)或塊狀的蒸餾殘余物。本發(fā)明方法以含鋅鋼鐵冶金粉塵為原料，配合本發(fā)明工藝步驟綜合回收鋅、鐵和炭，綜合回收效果好、能耗低、效率高、工藝流程短、成本低，并且整個(gè)過程中無廢渣、廢液產(chǎn)生，對(duì)環(huán)境友好。

SMD-0.5陶貼封裝產(chǎn)品燒結(jié)模具 1054     

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本實(shí)用新型提供了一種SMD?0.5陶貼封裝產(chǎn)品燒結(jié)模具，包括管座；有至少兩條平行的側(cè)擋和至少兩個(gè)位于多條側(cè)擋間的隔塊構(gòu)成平面腔體，管座置于該平面腔體中。本實(shí)用新型裝架時(shí)只需將芯片輕輕放入即可，大大降低了裝架難度，芯片及電極片定位準(zhǔn)確，為拓展自動(dòng)化燒結(jié)、壓焊提供方案；使用方式簡(jiǎn)單、過程大大簡(jiǎn)化，生產(chǎn)效率提高50％；芯片表面無需受力，對(duì)芯片表面易損同時(shí)芯片表面質(zhì)量要求很高的產(chǎn)品提高了高可靠性、高成品率的解決方案；配合真空燒結(jié)工藝可以有效解決芯片燒結(jié)空洞問題，將芯片燒結(jié)空洞面積降低至5％以下。

降低鉭電容器損耗角正切值的陽極鉭塊的制備方法 962     

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本發(fā)明提供了一種降低鉭電容器損耗角正切值的陽極鉭塊的制備方法，包括以下步驟：(1)選擇用于陽極鉭塊成型的鉭粉；(2)設(shè)計(jì)陽極鉭塊的形成電壓或下限壓實(shí)密度，并設(shè)計(jì)其相應(yīng)的規(guī)格參數(shù)；(3)使用步驟(1)所選擇的鉭粉，并按照步驟(2)中的相關(guān)參數(shù)壓制形成陽極鉭塊；(4)將成型的陽極鉭塊進(jìn)行真空燒結(jié)。本發(fā)明通過降低相應(yīng)規(guī)格產(chǎn)品的實(shí)際密度或通過降低產(chǎn)品的燒結(jié)溫度，增加鉭粉顆粒之間的孔隙度，使得鉭粉顆粒之間在高溫下的相互作用降低，使得容量引出更好，從而有效降低了非固體鉭電解電容器的損耗角正切值；增大了其耐紋波電流的能力，為市場(chǎng)對(duì)該類型產(chǎn)品高可靠性要求提供了生產(chǎn)制造保障。

電解電容器的制造方法 1068     

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本申請(qǐng)公開了一種電解電容器的制造方法，涉及電容器的技術(shù)領(lǐng)域，本申請(qǐng)的電解電容器的制造方法包括：將閥金屬粉料經(jīng)模壓和真空燒結(jié)成為帶有引線的陽極多孔燒結(jié)體；在所述陽極多孔燒結(jié)體的表面上形成介質(zhì)氧化膜；在所述介質(zhì)氧化膜上形成二氧化錳層；在所述二氧化錳層上涂敷石墨層；在所述石墨層上涂敷銀漿層；將銀漿層與引線框架粘接，形成中間產(chǎn)物；將鉭絲焊接在所述中間產(chǎn)物的正極端上；在中間產(chǎn)物的表面上形成鎳金屬層；通過模壓封裝形成電解電容器故本申請(qǐng)能夠大幅提升電解電容器耐外界環(huán)境應(yīng)力的能力，具有性能穩(wěn)定，抗擊穿能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。

陽極鉭塊及其制備方法 1092     

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本發(fā)明涉及一種陽極鉭塊及其制備方法。該陽極鉭塊包括柱狀的鉭塊本體，鉭塊本體的側(cè)壁沿其徑向等距間隔設(shè)有多個(gè)凹槽，每個(gè)凹槽貫穿鉭塊本體沿其軸線方向的兩端，凹槽的深度為鉭塊本體半徑的5％?80％，其有效降低非固體電解質(zhì)鉭電容器ESR值。上述陽極鉭塊的制備方法，其包括：將鉭粉壓制形成上述陽極鉭塊的坯體，真空燒結(jié)。以制得上述有效降低非固體電解質(zhì)鉭電容器ESR值的陽極鉭塊，同時(shí)便于工業(yè)化生產(chǎn)。

電解電容器制造過程中介質(zhì)氧化膜的處理方法 919     

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本發(fā)明涉及電解電容器制造過程中介質(zhì)氧化膜的處理方法，特別涉及以在傳統(tǒng)的以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽極，以高分子導(dǎo)電聚合物為陰極電解質(zhì)制造電解電容器過程中增加的對(duì)介質(zhì)氧化膜的預(yù)處理的方法，其包括以下步驟：將閥金屬粉料經(jīng)模壓和真空燒結(jié)成為帶有引線的陽極多孔燒結(jié)體；在陽極多孔燒結(jié)體表面采用電化學(xué)的方法形成介質(zhì)氧化膜；陽極芯塊介質(zhì)氧化膜預(yù)處理；在帶有介質(zhì)氧化膜的陽極多孔燒結(jié)體表面形成導(dǎo)電高分子聚合層；在導(dǎo)電高分子聚合物層外依次涂敷石墨層和銀漿層；通過模壓封裝形成產(chǎn)成品。此方法制造的電解電容器具有等效串聯(lián)電阻（ESR）低、漏電流小等優(yōu)點(diǎn)。

降低鉭電容器漏電流值的燒結(jié)方法 862     

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本發(fā)明公開一種降低鉭電容器漏電流值的燒結(jié)方法，將熔點(diǎn)較低、且其本身或氧化物易與水或酸反應(yīng)的金屬作為脫氧劑和經(jīng)過壓制和燒結(jié)的鉭塊放在真空燒結(jié)爐中燒結(jié)。在燒結(jié)過程中，真空度始終大于2×10-3Torr，燒結(jié)溫度介于700~1170℃之間，鉭塊與脫氧劑的重量比為1:0.001~1:0.08，達(dá)到燒結(jié)溫度后的保溫時(shí)間為1~9小時(shí)，采用鎂作為脫氧劑。完成脫氧燒結(jié)并在真空狀態(tài)下降至室溫后，為清除鉭塊表面殘留的金屬脫氧劑以及該脫氧劑的氧化物，將鉭塊放入稀酸中浸泡30分鐘，再用去離子水沖洗3～4次。本發(fā)明通過對(duì)鉭塊進(jìn)行二次燒結(jié)，在較低溫度燒結(jié)的情況下除去氧雜質(zhì)，有效地提高鉭塊的純度，產(chǎn)品的漏電流值減小30%以上。

微帶濾波器3D打印制造方法 944     

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本發(fā)明公開了一種微帶濾波器3D打印制造方法，包括以下步驟：S1：根據(jù)微帶濾波器的電路圖形設(shè)計(jì)基板打印圖形和金屬線路打印圖形；S2：使用3D打印機(jī)按照所述基板打印圖形，將低溫共燒陶瓷漿料作為打印材料從噴嘴中擠出并沉積在工作臺(tái)上形成低溫共燒陶瓷基板；S3：使用紅外加熱方式對(duì)工作臺(tái)上的低溫共燒陶瓷基板進(jìn)行固化；S4：使用3D打印機(jī)按照所述金屬線路打印圖形，將納米銀金屬墨水作為打印材料噴印在固化的低溫共燒陶瓷基板表面以形成金屬線路；S5：使用真空燒結(jié)爐對(duì)已噴印金屬線路的低溫共燒陶瓷基板進(jìn)行燒結(jié)。本方法簡(jiǎn)單易掌握，同時(shí)也能減少生產(chǎn)成本，為微帶濾波器快速制造和個(gè)性化創(chuàng)造提供了解決方法。

鉭電解電容器的陽極燒結(jié)方法 967     

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本發(fā)明公開了一種鉭電解電容器的陽極燒結(jié)方法，將鉭粉與粘結(jié)劑混合模壓后形成的鉭金屬陽極放置入注有脫脂劑的真空干燥箱；然后進(jìn)行低溫濕法催化脫脂；再對(duì)放置入真空干燥箱中的鉭金屬陽極進(jìn)行3次以上的循環(huán)脫脂后進(jìn)行真空干燥；最后對(duì)陽極進(jìn)行真空燒結(jié)；所述粘合劑選擇不同熔點(diǎn)的石蠟、苯甲酸、樟腦、甘油和硬脂酸；脫脂劑選擇乙醇、乙烷、三氯乙烷和汽油中的一種。采用本發(fā)明所述方法可獲得較高的比表面和較高的孔隙率，并獲得較大的容量和低的漏電流，其碳含量和氧含量分別降低到0.005％～0.010％和0.28％～0.62％。該方法具有跟現(xiàn)在的生產(chǎn)工藝兼容，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

可降低鉭電容器容量變化率的陽極鉭塊的制備方法 919     

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本發(fā)明提供了一種可降低鉭電容器容量變化率的陽極鉭塊的制備方法，包括以下步驟：(1)選擇用于陽極鉭塊成型的鉭粉；(2)設(shè)計(jì)陽極鉭塊的形成電壓或上限壓實(shí)密度，并設(shè)計(jì)其相應(yīng)的規(guī)格參數(shù)；(3)使用步驟(1)所選擇的鉭粉，并按照步驟(2)中的相關(guān)參數(shù)壓制形成陽極鉭塊；(4)將成型的陽極鉭塊進(jìn)行真空燒結(jié)。本發(fā)明在產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝允許的范圍內(nèi)，通過增加陽極鉭塊的實(shí)際密度，或提高陽極鉭塊的燒結(jié)溫度，或適當(dāng)降低燒結(jié)后陽極鉭塊的比容，有效降低了非固體鉭電解電容器在125℃條件下其容量變化率，解決了非固體鉭電解電容器的高溫時(shí)容量變化大的問題，為市場(chǎng)的對(duì)該類型產(chǎn)品高精度要求提供了生產(chǎn)制造保障。

功率半導(dǎo)體芯片釬焊溢料控制方法 1098     

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本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體芯片釬焊溢料控制方法，該方法是在芯片焊接前，在外殼基座上，沿功率半導(dǎo)體芯片焊接區(qū)域四周，通過激光標(biāo)刻方式，刻出一道溝槽，形成一個(gè)引流圈；按正常釬焊工藝流程在外殼基座上先放置預(yù)制焊料，再將芯片放置在預(yù)制焊料上，最后加上壓塊放入真空燒結(jié)爐中進(jìn)行釬焊；此時(shí)，溢出的焊料被限制在引流圈范圍內(nèi)，從而防止溢出焊料向外流動(dòng)，避免造成短路。本方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：①可直接使用已有的工裝夾具，適合規(guī)?；a(chǎn)；②不需對(duì)原有釬焊工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，可快速導(dǎo)入生產(chǎn)；③可將溢出釬料控制在預(yù)定區(qū)域，提高產(chǎn)品質(zhì)量。本方法適用于功率半導(dǎo)體分立器件和集成電路芯片釬焊。

提高鉭絲機(jī)械強(qiáng)度的燒結(jié)方法 980     

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本發(fā)明公開一種提高鉭絲機(jī)械強(qiáng)度的燒結(jié)方法，將熔點(diǎn)較低且其本身或其氧化物易與水或酸反應(yīng)的金屬作為脫氧劑和壓制成型的鉭絲在真空狀態(tài)下共同燒結(jié)，使鉭絲被氧化的部分脫氧，脫氧完成后繼續(xù)在真空狀態(tài)下升溫對(duì)鉭絲進(jìn)行燒結(jié)并使鉭粉結(jié)晶，從而提高鉭絲的機(jī)械強(qiáng)度。具體的技術(shù)方案是首先將金屬脫氧劑和準(zhǔn)備盛放鉭絲燒結(jié)的容器例如鉭坩堝放入真空鍍膜裝置中，在真空狀態(tài)下升溫使金屬脫氧劑汽化，冷卻后金屬脫氧劑在盛放鉭絲的容器表面形成一層金屬膜；然后將鉭絲放入經(jīng)過鍍膜的容器在真空燒結(jié)爐中燒結(jié)。

大功率混合集成電路器件的燒結(jié)方法 794     

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一種大功率混合集成電路器件的燒結(jié)方法，該方法是使用一種多芯片定位夾具來定位芯片和固定壓塊，并通過驗(yàn)證的算法進(jìn)行夾具重量設(shè)計(jì)，以確保金屬表面與焊料緊密接觸，減小基片與外殼間隙，增加填縫長度，將擬燒結(jié)的大功率器外殼、焊片、芯片、陶瓷基片與壓塊組裝成一個(gè)整體放入真空燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)，使焊料沿著焊面間隙外溢運(yùn)動(dòng)，填充基片底部，避免過多溢出，從而提高粘接強(qiáng)度。本發(fā)明的燒結(jié)方法不僅工藝簡(jiǎn)單、定位準(zhǔn)確、有效固定芯片與壓塊，又能使基片與外殼能夠更好的浸潤鋪展，提高產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí)還能提高工作效率。通過該方法的組裝方式以及夾具重量算法設(shè)計(jì)可以用于其它微電子組裝上的真空共晶焊。

高效去除高磷鮞狀赤鐵礦中磷的方法 1122     

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本發(fā)明涉及高磷鮞狀赤鐵礦脫磷技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高效去除高磷鮞狀赤鐵礦中磷的方法，通過對(duì)鮞狀赤鐵礦壓制成球后，置于真空碳管爐中，加熱，真空還原處理30?60min，收集固相，使得得到精礦的磷含量低于0.1％，精礦的品位達(dá)到60％以上，并避免了采用脫磷劑的處理，降低了處理成本，避免了新物質(zhì)的加入，降低雜質(zhì)成分。

半導(dǎo)體集成電路芯片焊接的方法 776     

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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體集成電路芯片焊接的方法，該方法工藝流程是將管基放在真空燒結(jié)爐內(nèi)，接著將焊料片置于管基的相應(yīng)位置，再將芯片放在焊料片正上方，之后開啟保護(hù)性氣體，進(jìn)入焊接程序，開啟冷卻氣體，焊接程序結(jié)束并冷卻后打開真空燒結(jié)爐，取出產(chǎn)品，焊接完成。本發(fā)明方法由于減小了焊料片的面積，節(jié)約了成本，而且芯片周圍的焊料是在合金焊接的過程中溢出的，而不是在合金焊之前就存在；采取在高溫階段打開冷卻氣體，使得焊接系統(tǒng)的各向同性比較好，從而使芯片底部的焊料均勻地溢出到芯片邊緣。適用于半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)（后道封裝）過程中芯片的焊接。

四元系鎂基儲(chǔ)氫合金、其生產(chǎn)方法及應(yīng)用 798     

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本發(fā)明公開了一種四元系鎂基儲(chǔ)氫合金、其生產(chǎn)方法及應(yīng)用，四元系鎂基儲(chǔ)氫合金由Mg1.5－2Al0.02－0.08Ni0.5－1.0A0.05－0.1組成，其中A為V、Ti、Fe、Nd、Pd，顯微組織中分布有彌散的納米晶團(tuán)簇和非晶團(tuán)簇。合金元素粉末經(jīng)充分混合后壓制成片狀，然后在真空燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)，得到的合金樣品進(jìn)行粉碎、球磨、篩選，得到粒度＜25μm以下的合金粉末；稱取少量的微細(xì)Ni粉進(jìn)行球磨，得到納米晶Ni粉；把粒度＜25μm以下的Mg1.5－2Al0.02－0.08Ni0.5－1.0A0.05－0.1合金粉末和納米晶Ni粉及第二相活性粒子充分混合后進(jìn)行高能球磨，得到具有納米晶和非晶組織的活性儲(chǔ)氫合金材料，經(jīng)過活化后得成品。成品具有吸/解氫溫度低、性能穩(wěn)定、具有實(shí)用性，價(jià)格便宜的特點(diǎn)。

提高鉭塊機(jī)械強(qiáng)度的燒結(jié)方法 841     

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本發(fā)明公開一種提高鉭塊機(jī)械強(qiáng)度的燒結(jié)方法，將熔點(diǎn)較低的金屬作為脫氧劑和壓制成型的鉭塊在真空狀態(tài)下共同燒結(jié)，使鉭塊被氧化的部分脫氧，脫氧完成后繼續(xù)在真空狀態(tài)下升溫對(duì)鉭塊進(jìn)行燒結(jié)并使鉭粉結(jié)晶。在燒結(jié)過程中，將脫氧劑和壓制成型的鉭塊放入真空燒結(jié)爐，真空燒結(jié)爐的真空度大于3×10-4Torr后開始升溫，當(dāng)升溫至脫氧劑的熔點(diǎn)時(shí)停止升溫；真空度大于3×10-4Torr后升溫至脫氧劑汽化溫度，使脫氧劑完全汽化后保溫30分鐘；真空度大于3×10-4Torr后升溫至燒結(jié)鉭塊所需的溫度。由于鉭粉顆粒表面的氧化物被脫氧劑蒸汽清除，鉭粉顆粒表面的微熔化層沒有氧化物的阻擋，彼此間形成結(jié)晶區(qū)域，在真空環(huán)境下自然冷卻后，鉭塊的機(jī)械強(qiáng)度得以大幅提升。

海綿鈦添加石墨烯復(fù)合材料及其制備方法 928     

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本發(fā)明公開了一種海綿鈦添加石墨烯復(fù)合材料及其制備方法，其中制備方法包括如下步驟：(1)稱取石墨烯納米片，超聲分散；(2)將海綿鈦粉混入石墨烯分散液中同時(shí)進(jìn)行超聲分散和磁力攪拌；(3)將分散完畢的混合泥進(jìn)行真空干燥；(4)將步驟(3)中的混合粉粉末放入鋼制模具中進(jìn)行單向靜壓；(5)將步驟S4中的壓制樣品進(jìn)行真空燒結(jié)；(6)燒結(jié)完畢后，燒結(jié)樣品隨爐冷卻至室溫，取出樣品；本發(fā)明的海綿鈦添加石墨烯的復(fù)合材料的制備方法提供一種具有輕質(zhì)強(qiáng)硬的鈦基復(fù)合材料，其采用超聲分散與真空燒結(jié)相結(jié)合的技術(shù)制備復(fù)合材料，以獲得輕質(zhì)、高比強(qiáng)度的新型復(fù)合材料。

多孔疊層金屬或合金濺射靶材的制備方法 1165     

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本發(fā)明提供一種多孔疊層金屬或合金濺射靶材的制備方法,該方法是以粒度在200目以上的超細(xì)金屬或合金粉末為原料,采用真空冶金技術(shù),經(jīng)過粉體加壓、燒結(jié)、焊接等步驟制備得到多孔疊層金屬或合金濺射靶材。用本發(fā)明的方法制備的金屬或合金濺射靶材的表面能較大,靶材在被濺射離子束撞擊時(shí)表面的原子很容易被打出,大大減少了原子脫離材料表面需要的能量,可以提高濺射效率和薄膜生產(chǎn)效率。

電子化學(xué)品真空分離設(shè)備 773     

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本實(shí)用新型公開了一種電子化學(xué)品真空分離設(shè)備，涉及固液分離器。它包括夾套(1)、固液分離容器（2）和攪拌器（3）；夾套（1）上設(shè)有熱媒進(jìn)口（4）、和熱媒出口（5），還設(shè)有一個(gè)抽真空管（6）；分離容器（2）的頂部設(shè)有物料進(jìn)口（7）和產(chǎn)品洗液噴頭（8），分離容器（2）的底部設(shè)有濾液出口（9）、產(chǎn)品出口（10）和洗液出口（11），分離容器（2）內(nèi)設(shè)有濾網(wǎng)（12）和加熱管（14），濾網(wǎng)（12）固定在加熱管（14）上，分離容器（2）內(nèi)底部設(shè)有濾液清洗管（13）；攪拌器（3）位于分離容器（2）內(nèi)。采用本實(shí)用新型降低了生產(chǎn)成本，清潔無污染，得到的產(chǎn)品純度高，具有很高的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

電子化學(xué)品真空分離方法 865     

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本發(fā)明公開了一種電子化學(xué)品真空分離方法，涉及固液分離器。它采用的設(shè)備包括夾套（1）、固液分離容器（2）和攪拌器（3）；夾套（1）上設(shè)有熱媒進(jìn)口（4）、和熱媒出口（5），還設(shè)有一個(gè)抽真空管（6）；分離容器（2）的頂部設(shè)有物料進(jìn)口（7）和產(chǎn)品洗液噴頭（8），分離容器（2）的底部設(shè)有濾液出口（9）、產(chǎn)品出口（10）和洗液出口（11），分離容器（2）內(nèi)設(shè)有濾網(wǎng)（12）和加熱管（14），濾網(wǎng)（12）固定在加熱管（14）上，分離容器（2）內(nèi)底部設(shè)有濾液清洗管（13）；攪拌器（3）位于分離容器（2）內(nèi)。采用本發(fā)明降低了生產(chǎn)成本，清潔無污染，得到的產(chǎn)品純度高，具有很高的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

集成電路組裝基片真空燒結(jié)定位裝置 1014     

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一種集成電路組裝基片真空燒結(jié)定位裝置，包括：管基夾具、基片夾具、基片壓塊，管基夾具包括管基夾具基體，槽形管基固定位，管腳固定槽，基座支撐柱；管腳固定槽用于容納和固定管腳，固定槽的深度大于各種管基中最長管腳的長度，固定槽的形狀及尺寸大小與管基管腳的排列分布及橫向尺寸一致；支撐柱的高度與管腳固定槽的深度一致；基片夾具包括基片夾具基體，基片夾具基體外圈，基片夾具內(nèi)框，基片夾角；基片夾具內(nèi)框表面除基片夾角部位外，其余部位為弧形鏤空；解決了現(xiàn)有技術(shù)中基片不能精準(zhǔn)定位，基片易產(chǎn)生偏移；基片壓塊易掉落，管基夾具不具備通用性等問題。可以根據(jù)不同管基的尺寸和形狀制造出適用于其他器件的組裝定位裝置。

封裝產(chǎn)品真空燒結(jié)裝置 1050     

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本實(shí)用新型公開了一種封裝產(chǎn)品真空燒結(jié)裝置，包括：上模板與下模板可拆卸式配合；下模板上設(shè)有供封裝產(chǎn)品的針腳伸入的安裝通孔，安裝通孔頂部側(cè)邊上設(shè)有與封裝產(chǎn)品配合的沉臺(tái)，沉臺(tái)側(cè)邊設(shè)有與封裝產(chǎn)品外周配合的定位孔，定位孔與沉臺(tái)連通；底板固定有陣列柱。將封裝產(chǎn)品的針腳伸入下模板上的安裝通孔中，封裝產(chǎn)品頂部與定位孔、沉臺(tái)形成定位配合，此時(shí)封裝產(chǎn)品頂部與沉臺(tái)頂面平齊，鋁箔片蓋在封裝產(chǎn)品芯片上完成燒結(jié)后，底板帶動(dòng)陣列柱從下模板的安裝通孔底部從下向上將封裝產(chǎn)品的針腳向上頂起脫離，解決了存在針腳與定位孔不便于脫離的問題。