負(fù)泊松比開孔泡沫鋁材料及其滲流鑄造制備方法與流程 793     

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本發(fā)明涉及一種泡沫鋁材料及其制備方法，尤其涉及一種負(fù)泊松比開孔泡沫鋁材料及其制備方法。背景技術(shù)負(fù)泊松比材料又稱為拉脹材料(Auxetic)，是一類泊松比為負(fù)數(shù)的特殊材料，當(dāng)材料發(fā)生拉伸變形時(shí)，垂直于載荷的方向會(huì)發(fā)生側(cè)向膨脹；而當(dāng)材料發(fā)生壓縮變形時(shí)，垂直于載荷的方向會(huì)發(fā)生側(cè)向收縮。由于負(fù)泊松比材料具有獨(dú)特的負(fù)泊松比特性和材料集中效應(yīng)，使其在剪切模量、抗斷裂韌性、壓痕阻力以及能量吸收和抗沖擊性能方面都比相同組成、相同密度的正泊松比材料更加優(yōu)異。目前用于防護(hù)結(jié)構(gòu)的負(fù)泊松比材料主要為負(fù)泊松比微結(jié)構(gòu)材料，

半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室的制作方法 1095     

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.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室。背景技術(shù).目前，在半導(dǎo)體工藝后段的鈍化層(passivationlayer)工藝中，鋁墊(alpad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測試電性連接和封裝的引線端，對(duì)后續(xù)的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過程中，幾乎所有的半導(dǎo)體器件在其制造過程都要使用鋁墊(alpad)用于其后道金屬互聯(lián)，作為導(dǎo)線傳遞各器件的電信號(hào)，通過后續(xù)封裝引線實(shí)現(xiàn)各器件的連接控制。.現(xiàn)有技術(shù)中采用

在20~150℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用 1116     

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一種在～℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于金屬復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在～℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù).鎂合金作為一種新型的綠色結(jié)構(gòu)材料，具有金屬結(jié)構(gòu)材料中最低的密度，僅為.g/cm，其比剛度高、電磁屏蔽性能好、導(dǎo)熱導(dǎo)電性能優(yōu)良且環(huán)境友好，不僅在汽車工業(yè)、航空航天等輕量化進(jìn)程中扮演著重要角色，且在電子器件領(lǐng)域引起了極大的關(guān)注，如led散熱器、筆記本外殼等。.在電子元器件制造領(lǐng)域，

壓鑄用鋁合金以及對(duì)其進(jìn)行熱處理的方法與流程 882     

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本發(fā)明涉及可適用于壓鑄的鋁合金組合物及對(duì)其進(jìn)行熱處理的方法。具體而言，鋁合金組合物可包括通過熱處理形成的Mg-Zn基強(qiáng)化相沉淀，因此其可具有大大改善的強(qiáng)度。背景技術(shù)由于易于鑄造、與其他金屬高效地形成合金、在空氣中顯示出高耐腐蝕性并具有高導(dǎo)電導(dǎo)熱性，鋁在工業(yè)中已得到廣泛應(yīng)用。具體而言，鋁主要被用于減輕車輛重量并提高燃料效率，且通過將鋁與其他金屬混合而以鋁合金的形式提供，因?yàn)榕c其他金屬例如鐵相比，鋁本身的強(qiáng)度可能不足。通過壓鑄制造鋁合金，其是一種精密的鑄造工藝，其中將熔融金屬注入具有空腔的模具中，由

應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝的制作方法 676     

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本實(shí)用新型涉及一種LED蒸鍍?cè)O(shè)備鍍金工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。背景技術(shù)蒸鍍是LED加工過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，即在真空腔體內(nèi)加熱有機(jī)小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過金屬光罩的開孔沉積在基板上。在傳統(tǒng)的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點(diǎn)：1、坩堝直接與底座接觸，底座內(nèi)有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過程需要更高的能量；2、蒸鍍過程，坩堝外壁溫度低，坩堝內(nèi)的黃金在溶化過程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在

高導(dǎo)熱表面金屬化金剛石/銅復(fù)合基板制備方法 759     

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.本發(fā)明涉及金屬基復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種高導(dǎo)熱表面金屬化金剛石/銅復(fù)合基板制備方法。背景技術(shù).隨著功能強(qiáng)大、小巧便攜移動(dòng)電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，電子元器件的尺寸越來越小，電路集成度也越來越高、使用頻率越來越高，相應(yīng)地對(duì)電子封裝材料的穩(wěn)定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展需求，則必須充分兼顧多項(xiàng)參數(shù)如熱導(dǎo)率(tc)、熱膨脹系數(shù)(cte)、密度、強(qiáng)度及合理的封裝工藝等。.傳統(tǒng)的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數(shù)情況下合金難以兼具綜

正電性金納米簇及其制備方法與應(yīng)用 1087     

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.本發(fā)明屬于功能性生物納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正電性金納米簇及其制備方法與應(yīng)用。背景技術(shù).熒光金納米簇因其超微小尺寸、明確的結(jié)構(gòu)組成、化學(xué)惰性、良好的生物安全性和特殊的熒光發(fā)射能力，在化學(xué)、生物和醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用價(jià)值。目前用于制備熒光金納米簇的方法主要有兩類：()刻蝕法，即通過合適的刻蝕分子把不發(fā)光、尺寸較大的金納米顆?？涛g成可發(fā)射熒光且粒徑較小的金納米簇；()模板法，即以蛋白質(zhì)、多肽、核酸、小分子等作為穩(wěn)定劑和金離子反應(yīng)，限制金納米顆粒的生長，使金離子主要還原成熒光金納米簇。

高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法與流程 493     

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.本發(fā)明涉及合金加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法。背景技術(shù).高硅鋁合金材料具有熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱性好、硬度高、比強(qiáng)度高、耐磨性好、比重小等諸多突出優(yōu)點(diǎn)，在汽車、電子、航空、航天等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，尤其是在電子封裝材料和汽車發(fā)動(dòng)機(jī)活塞材料等領(lǐng)域，具有廣泛的應(yīng)用潛力。目前常用的幾種制備高硅鋁合金材料的工藝存在以下問題：()采用熔煉鑄造的方法制備高硅鋁合金材料會(huì)使組織中產(chǎn)生粗大的板片狀初晶硅和針狀的共晶硅，嚴(yán)重割裂了基體，尖端處還會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力集中，降低了強(qiáng)度、

鋁合金PVD結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備的制作方法 813     

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鋁合金pvd結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】.本實(shí)用新型涉及表面處理技術(shù)領(lǐng)域，具體的涉及一種鋁合金pvd結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】.電池蓋是一種安裝在手機(jī)背面的手機(jī)外觀配件，主要起保護(hù)、裝飾等功能，因此一般電池蓋上裝有鋁合金裝飾件，以提升美觀度。目前，隨著柔性屏和折疊技術(shù)的發(fā)展，折疊手機(jī)成為未來趨勢，折疊手機(jī)設(shè)有用于折疊的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸的表面通常為不銹鋼或者液態(tài)金屬并進(jìn)行pvd鍍膜(pvd，即物理氣相沉積技術(shù)，表示在真空條件下，采用物理方法，將材料蒸發(fā)成氣態(tài)原子、分子或部

硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用與流程 506     

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本發(fā)明涉及的是一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法，屬于納米材料制備領(lǐng)域。背景技術(shù)硫化亞錫是性能優(yōu)良的P型半導(dǎo)體，在很多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，可用作晶體管、傳感器、太陽能電池、開關(guān)、電池電極等。不同于諸如石墨烯等零隙半導(dǎo)體的是，硫化亞錫有帶隙，且為間接帶隙，并且其帶隙和原子層數(shù)有重要的聯(lián)系，層數(shù)越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬，硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復(fù)合物制備方法還鮮有報(bào)道。金納米顆粒的合成一般采用溶液化學(xué)還原的方法，如用乙二醇或是硼氫

超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相NiFe合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用 496     

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一種超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相nife合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相nife合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù).析氧反應(yīng)(oer)在各種可再生能源技術(shù)中起著至關(guān)重要的作用，例如電化學(xué)水分解、可充電金屬?空氣電池以及co還原為化學(xué)品或燃料。然而，oer是一個(gè)復(fù)雜的四電子耦合反應(yīng)，導(dǎo)致緩慢的動(dòng)力學(xué)，限制了其整體能源效率。因此，高性能oer電催化劑的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。目前，ruo/iro等貴金屬材料被認(rèn)為是最有

高耐蝕高強(qiáng)韌FeCrNi系多主元合金及其制備方法與流程 1089     

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本發(fā)明屬于合金材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高耐蝕高強(qiáng)韌fecrni系多主元合金及其制備方法。背景技術(shù)高強(qiáng)韌、高耐腐蝕性能及良好加工性能材料是工程結(jié)構(gòu)材料的主要發(fā)展方向，在航空航天、海洋、汽車和石油等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前常見的有鈦合金、奧氏體不銹鋼等。鈦合金具有高強(qiáng)韌、耐腐蝕性能好、密度低等特點(diǎn)，目前在航空航天、海洋等高端領(lǐng)域應(yīng)用較多，然而因其活性高，熔煉、塑性加工等都非常困難，導(dǎo)致其價(jià)格昂貴，限制了大規(guī)模應(yīng)用。奧氏體不銹鋼(如304、316鋼等)具有良好的耐腐蝕性能、優(yōu)異的加工性能及相對(duì)較低

長壽命銅錳合金靶材的加工方法與流程 462     

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本發(fā)明屬于靶材制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種長壽命銅錳合金靶材的加工方法。背景技術(shù)濺射靶材是半導(dǎo)體集成電路制備過程中重要的原材料之一，靶材的材質(zhì)主要包括Al、Cu、Ti、WTi、NiV、NiPt等，主要用于集成電路中接觸、通孔、互連線、阻擋層、封裝等物理氣相沉積薄膜的制備。濺射過程中，用加速的離子轟擊靶材表面，使表面的原子沉積在基底表面。為了降低集成電路制造成本，最簡單有效的方法是提高靶材壽命，常規(guī)提高靶材壽命的方法為增加濺射區(qū)域厚度。專利CN204097558U、CN201793723U、CN20

可量產(chǎn)化的電解鉻片脫氣工藝的制作方法 952     

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本發(fā)明屬于有色金屬高溫冶煉領(lǐng)域，特別涉及一種可以量產(chǎn)化的電解鉻片脫氣的生產(chǎn)工藝。解決了國內(nèi)沒有量產(chǎn)化高純鉻片的問題。背景技術(shù)高純金屬鉻是指主成分鉻大于99.95％，雜質(zhì)含量低，特別是氧、碳、氮、硫含量低的鉻。其中，氧小于0.04％，碳小于0.025％，氮小于0.003％，S小于0.002％。高純金屬鉻主要用作超級(jí)合金添加劑-生產(chǎn)飛機(jī)渦輪機(jī)的葉片，電氣的觸頭、半導(dǎo)體、芯片濺射靶材等領(lǐng)域。其中高端半導(dǎo)體、芯片、精密電子產(chǎn)品、汽車活塞環(huán)以及光學(xué)材料鍍膜的鉻靶，是由高純脫氣鉻片/粒破碎后，熱等靜壓成型。

納米晶合金帶材及其制備方法與流程 885     

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本發(fā)明涉及軟磁材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鐵基的納米晶合金帶材，主要包括其成分設(shè)計(jì)、制備方法、帶材質(zhì)量評(píng)價(jià)等。背景技術(shù)非晶軟磁合金具有優(yōu)良的軟磁性能，廣泛應(yīng)用于電力電子、電子信息等領(lǐng)域。隨著信息處理和電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，各種電器設(shè)備趨向高頻化、小型化、節(jié)能化。目前使用較多的軟磁合金主要有硅鋼、鐵基非晶合金、鐵基納米晶合金、鐵氧體等。相對(duì)于硅鋼而言，鐵基非晶及納米晶合金具有較低的損耗，但其bs(飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度)較低，不利于設(shè)備的小型化及輕量化，所以高bs的軟磁合金具有很好的應(yīng)用前景。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道對(duì)于

二硫化鉬/石墨烯復(fù)合異質(zhì)結(jié)及其制備方法與流程 591     

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.本發(fā)明屬于碳基材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二硫化鉬/石墨烯復(fù)合異質(zhì)結(jié)及其制備方法。背景技術(shù).二次電子發(fā)射也稱為電子倍增效應(yīng)，二次電子的發(fā)射過程主要包括三部分：①初始電子進(jìn)入材料內(nèi)部并激發(fā)內(nèi)二次電子，②被激發(fā)的內(nèi)二次電子向表面運(yùn)動(dòng)，③運(yùn)動(dòng)到表面的內(nèi)二次電子克服表面勢壘并出射成為真二次電子。.近年來，雖然我國在通信、航天領(lǐng)域和衛(wèi)星大功率部件的設(shè)計(jì)方面取得明顯地進(jìn)步，但是電子倍增效應(yīng)仍然是制約微波部件功率容量提升的一項(xiàng)瓶頸，也是影響高功率微波部件穩(wěn)定性的重要原因。微放電效應(yīng)的發(fā)生會(huì)容易造成嚴(yán)重后

超高強(qiáng)鑄造鋁合金輪轂材料ZL350/500及其制造工藝的制作方法 416     

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一種超高強(qiáng)鑄造鋁合金輪轂材料zl/及其制造工藝技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于一種鑄造鋁合金技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鑄造鋁合金材料及制造工藝，特別是一種超高強(qiáng)度鑄造鋁合金材料zl/及其制造工藝，用于制造車用超高強(qiáng)鋁合金輪轂，同時(shí)也適用于大量使用超高強(qiáng)度、輕質(zhì)的鋁合金新材料領(lǐng)域。背景技術(shù).隨著汽車在中國的普及，巨大的汽車保有量和生產(chǎn)量，使汽車輕量化的要求越來越迫切。輪轂是承載汽車全部重量和高速度旋轉(zhuǎn)的關(guān)鍵部件，對(duì)其使用的新材料提出了更嚴(yán)苛的要求。目前，世界上的大部分高檔商用車采用鋁合金材

超細(xì)晶青銅材料的制備方法與流程 1211     

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.本發(fā)明涉及材料加工工藝領(lǐng)域，特別是涉及一種超細(xì)晶青銅材料的制備方法。背景技術(shù).青銅沖壓材料一般分為普通沖壓材料和超細(xì)晶材料兩類。普通沖壓材料主要以銅原材料，經(jīng)鑄造成型、軋制加工、退火和拉矯等工藝制成。超細(xì)晶青銅材料是用于半導(dǎo)體行業(yè)的一種用新方法生產(chǎn)的芯片材料，其廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、航天航空、醫(yī)療、軍工等具體的領(lǐng)域，有利于進(jìn)行多次沖壓折彎生產(chǎn)的、具有復(fù)雜角度的芯片的生產(chǎn)。超細(xì)晶材料具有板型較好、可折彎性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，但一般成本較高，生產(chǎn)難度大，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。發(fā)明內(nèi)容.基于此，有

薄壁銅基合金玻璃模具的制備方法與流程 507     

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.本發(fā)明屬于銅基合金玻璃模具制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄壁銅基合金玻璃模具的制備方法。背景技術(shù).玻璃模具是用來生產(chǎn)玻璃制品的重要工具裝備，玻璃模具的產(chǎn)品質(zhì)量直接決定玻璃制品的質(zhì)量。玻璃模具在使用過程中一直與高溫熔融態(tài)玻璃直接接觸，玻璃模具在接觸到玻璃后會(huì)產(chǎn)生復(fù)雜多變的物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)玻璃模具與玻璃產(chǎn)品之間還會(huì)產(chǎn)生反復(fù)的摩擦，這就要求玻璃模具具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損及良好的導(dǎo)熱性能、抗氧化能力和抗熱疲勞能力，以保證最終生產(chǎn)出來的玻璃制品的外觀、性能和使用壽命符合要求，而銅基合金模具可

金納米顆粒分散體、金納米顆粒及其制備方法與流程 684     

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.本發(fā)明涉及金納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金納米顆粒、分散體及其制備方法。技術(shù)背景.金納米顆粒具有獨(dú)特的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、穩(wěn)定性，在廣泛應(yīng)用于催化、電子、醫(yī)學(xué)、傳感等諸多領(lǐng)域。.目前金納米顆粒的合成方法主要分為物理法和化學(xué)法。物理法即采用高物理能量，將金塊制備成納米級(jí)的小顆粒。主要的物理法包括球磨法、氣相法、電弧法、金屬蒸汽溶劑法、熱分解法等，然而現(xiàn)有的物理法均存在產(chǎn)量低、設(shè)備成本高、能量消耗大的問題?；瘜W(xué)法主要是通過氧化還原反應(yīng)，將金鹽中的金離子還原成金粉末。主要的化學(xué)法包括水相氧化還

Au@Pt核殼結(jié)構(gòu)納米電極、制備方法及其應(yīng)用與流程 956     

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本發(fā)明屬于材料的制備領(lǐng)域，具體涉及一種Au@Pt核殼結(jié)構(gòu)納米電極、制備方法及其應(yīng)用。背景技術(shù)隨著科學(xué)技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展更新，納米電極的發(fā)展越來越快，利用新的儀器和操作方法，我們可以制備和表征更小尺寸的電極。納米電極一般是指尺寸小于100nm的電極，由于納米電極的臨界尺寸(如：納米盤電極的半徑，納米孔電極的半徑及深度，納米線電極的長度納米帶電極的寬度等)與分子的尺寸接近，因而納米電極在分子研究領(lǐng)域發(fā)展迅速。盡管對(duì)納米電極的制作和電化學(xué)研究很多，但大多處于初級(jí)階段，還需對(duì)其做深入研究。納米電極具有很多

用于氣閥的鎳基合金材料及其制備方法與流程 1144     

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本發(fā)明屬于高溫合金制造相關(guān)領(lǐng)域，具體涉及汽車或船艦發(fā)動(dòng)機(jī)氣閥用鎳基合金制造相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)高溫合金又叫熱強(qiáng)合金、耐熱合金或超合金，能在600℃以上的高溫及一定應(yīng)力作用下長期工作。其具有較高的高溫強(qiáng)度，良好的抗氧化和抗熱腐蝕性能，良好的疲勞性能、塑性等綜合性能?；谏鲜鲂阅芴攸c(diǎn)，高溫合金被廣泛應(yīng)用于航空航天、電力、油氣、車輛等領(lǐng)域。從成分上劃分又可分為鎳基、鐵基、鈷基合金材料。n80a(或稱nicr20tial)合金是一種鎳基時(shí)效強(qiáng)化高溫合金，以其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度和良好的抗高溫腐蝕性能，廣泛應(yīng)

高強(qiáng)度高導(dǎo)電銅鈮系合金及其制備方法 743     

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.本發(fā)明屬于合金材料領(lǐng)域，尤其涉及一種銅鈮系合金及其制備方法。背景技術(shù).高強(qiáng)高導(dǎo)銅合金廣泛應(yīng)用于高鐵接觸線、真空觸頭開關(guān)、集成電路引線框架、電阻焊電極、高脈沖磁場導(dǎo)體等領(lǐng)域中。隨著科技發(fā)展，不同領(lǐng)域?qū)Ω邚?qiáng)高導(dǎo)銅合金提出了更高的性能要求，如極大規(guī)模集成電路中引線框架的性能應(yīng)滿足：導(dǎo)電率≥％iacs，顯微硬度≥hv，抗拉強(qiáng)度≥mpa；高速列車時(shí)速為km/h時(shí)要求接觸導(dǎo)線導(dǎo)電率≥％iacs，抗拉強(qiáng)度≥mpa，此外這類材料還應(yīng)具有良好的加工性能、耐腐蝕性能等。在此應(yīng)用

鎂基儲(chǔ)氫材料及其制備方法與流程 1086     

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.本發(fā)明涉及儲(chǔ)氫材料領(lǐng)域，尤其是涉及一種鎂基儲(chǔ)氫材料及其制備方法。背景技術(shù).鎂是一種非常有應(yīng)用前景的儲(chǔ)氫材料，其理論儲(chǔ)氫密度可達(dá).wt.％，是目前人類發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度最高的固體儲(chǔ)氫材料之一。.鎂基儲(chǔ)氫材料的應(yīng)用還非常少，除了其吸放氫速率慢，需要高溫加快放氫速率外，氧氣與鎂反應(yīng)在材料表面生成一層穩(wěn)定的氧化物，即氧氣造成鎂基儲(chǔ)氫材料毒化，阻礙吸放氫過程也是造成鎂基儲(chǔ)氫材料實(shí)際應(yīng)用的重要原因。發(fā)明內(nèi)容.基于此，有必要提供一種可以解決上述問題的鎂基儲(chǔ)氫材料及其制備方法。.一種鎂基儲(chǔ)氫材料的制

鈀銅二元合金納米材料、其制備方法及其作為催化劑電催化還原CO2的應(yīng)用與流程 730     

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本發(fā)明涉及一種鈀銅二元合金納米材料、其制備方法及其作為催化劑電催化還原CO2的應(yīng)用。背景技術(shù)二氧化碳作為溫室氣體的主要成分，對(duì)環(huán)境的影響一直受各國政府的重視。目前，煤炭是我國使用最廣泛的一次能源，如何科學(xué)控制二氧化碳的排放成為可持續(xù)發(fā)展的重要保證。同時(shí)，經(jīng)濟(jì)的增長急需有可再生能源的補(bǔ)給，二氧化碳作為廉價(jià)豐富的原料有著令人矚目的發(fā)展前景。近年來，隨著氣候變暖及能源危機(jī)的日益加劇，CO2的捕集及轉(zhuǎn)化已引起國際社會(huì)的廣泛關(guān)注，已成為各界關(guān)注和研究的熱點(diǎn)。利用電化學(xué)還原方法對(duì)二氧化碳（CO2）進(jìn)行還原再

銅顆粒以及其制造方法與流程 1049     

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本發(fā)明涉及銅顆粒以及其制造方法。背景技術(shù)銅具有與銀相同程度的電阻率值，并且材料費(fèi)比銀低，因此被適用作用于印刷配線基板、電路、電極的形成的導(dǎo)電性糊等原料。近年來，在電路等領(lǐng)域正在推進(jìn)細(xì)間距化和電極的薄層化，與之相伴要求兼顧導(dǎo)電性糊用銅顆粒的微粒化和良好燒結(jié)性。另一方面，微粒化后的銅由于表面積非常大，因此在制造導(dǎo)電性糊時(shí)顆粒的表面氧化變得顯著，有時(shí)會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性差。專利文獻(xiàn)1為了確保銅粉的微?；蛯?dǎo)電性而提出了基于使用了直流熱等離子體的物理氣相沉積法(PVD法)的銅粉的制造方法?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專

細(xì)化銅及銅合金結(jié)晶組織的中間合金、其制備方法及使用工藝與流程 264     

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本發(fā)明屬于銅及銅合金加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種細(xì)化銅及銅合金結(jié)晶組織的中間合金、其制備方法及使用工藝。背景技術(shù)結(jié)晶組織微細(xì)化是提高銅及銅合金的性能的有效手段，考慮組織的遺傳性因素以及不同銅產(chǎn)品的加工工序要求，還要求細(xì)化效果具有顯著的長效性與重熔細(xì)化效果?；瘜W(xué)法細(xì)化晶粒組織是目前最為常用、操作簡便且行之有效的晶粒細(xì)化工藝方案。在熔體處理的適當(dāng)階段，在合適的溫度條件下，通過往熔體中直接加入或反應(yīng)生成非自發(fā)形核核心，使熔體在凝固過程中通過異質(zhì)形核實(shí)現(xiàn)晶粒細(xì)化。對(duì)于非自發(fā)形核核心，要求與結(jié)晶組織之間具有

PBO復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用與流程 474     

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一種pbo復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于耐磨材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種pbo復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù).商用車底盤上有很多襯套的使用，但是目前以銅襯套、合金襯套為主，塑料襯套有部分應(yīng)用；一般要求不高的場合，高分子耐磨襯套都可以替代金屬襯套，而且具有耐磨、免維護(hù)的特點(diǎn)；但是一些要求高的場合，比如高載荷，高頻率的條件，一般的塑料襯套就很難滿足要求。這就對(duì)材料的耐磨性及強(qiáng)度有著極高的要求。.轉(zhuǎn)向節(jié)是車輪轉(zhuǎn)向的鉸鏈，一般呈叉形。上下兩叉有安裝主銷的兩個(gè)同軸孔，轉(zhuǎn)向節(jié)軸頸用

表面納米化高能離子注滲復(fù)合處理方法與流程 681     

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本發(fā)明涉及表面強(qiáng)化技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種表面納米化高能離子注滲復(fù)合處理方法。背景技術(shù)模具是機(jī)械、電子、輕工、國防等行業(yè)生產(chǎn)的重要工藝裝備，模具生產(chǎn)技術(shù)水平的高低，在很大程度上決定著產(chǎn)品的質(zhì)量、效益和新產(chǎn)品的開發(fā)能力。模具的失效往往開始于模具表面，因此，模具表面性能的優(yōu)劣直接影響到模具的使用及壽命。表面改性技術(shù)是提高材料表面性能的重要手段，廣泛應(yīng)用于要求耐磨、耐蝕等場合。金屬表面納米化技術(shù)是運(yùn)用外加載荷重復(fù)作用于材料表面，增加多晶體金屬材料表面的自由能，使表面組織產(chǎn)生不同方向的強(qiáng)烈塑性變形而逐漸將材

碳化硅膜的共形沉積的制作方法 1047     

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碳化硅膜的共形沉積本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?，申請(qǐng)日為年月日，申請(qǐng)人為諾發(fā)系統(tǒng)公司，發(fā)明創(chuàng)造名稱為“碳化硅膜的共形沉積”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明一般涉及碳化硅膜的形成，尤其涉及碳化硅膜的共形沉積。背景技術(shù).碳化硅(sic)類薄膜具有獨(dú)特的物理、化學(xué)和機(jī)械性能，并被用于各種應(yīng)用，特別是集成電路應(yīng)用中。碳化硅薄膜的種類包括經(jīng)氧摻雜的碳化硅(也稱為碳氧化硅(sioc))、經(jīng)氮摻雜的碳化硅(也稱為碳氮化硅(sinc))、經(jīng)氧和氮摻雜的碳化硅(也稱為氧氮