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目前在對(duì)半導(dǎo)體電子材料進(jìn)行輻照研究時(shí)往往通過輻照箱來進(jìn)行，將半導(dǎo)體電子材料放入輻照箱內(nèi)從而對(duì)半導(dǎo)體電子材料進(jìn)行輻照研究，但由于半導(dǎo)體電子材料大都是片狀的，從而使半導(dǎo)體電子材料的上下表面和每一表面的不同位置容易出現(xiàn)輻照不均勻的現(xiàn)象，從而影響對(duì)半導(dǎo)體電子材料輻照效應(yīng)的研究。為此，提出用于半導(dǎo)體電子材料輻照效應(yīng)研究的裝置。
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2025年03月28日 ~ 30日 
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2025年03月28日 ~ 30日 
2025年04月11日 ~ 13日 
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