權(quán)利要求書： 1.一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體包括：半導(dǎo)體基體和接電點(diǎn)；

所述半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上具有主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵待鍍區(qū)域與所述細(xì)柵待鍍區(qū)域相交；

所述接電點(diǎn)位于在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第一分區(qū)；

所述接電點(diǎn)包括：

圓形導(dǎo)電部，設(shè)置在所述圓形導(dǎo)電部外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)電部，以及連接所述圓形導(dǎo)電部和所述環(huán)形導(dǎo)電部的連接導(dǎo)電部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體包括：半導(dǎo)體底板以及覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層；

所述絕緣鈍化層開設(shè)有主柵開口和細(xì)柵開口，所述細(xì)柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述主柵待鍍區(qū)域；

或，

所述半導(dǎo)體基體包括：

半導(dǎo)體底板；

絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；

細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；

以及主柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)；

或，

所述半導(dǎo)體基體包括：

半導(dǎo)體底板；

絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；所述絕緣鈍化層開設(shè)有細(xì)柵開口；所述細(xì)柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域，以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵開口的所述半導(dǎo)體底板電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)；

或，

所述半導(dǎo)體基體包括：

半導(dǎo)體底板；

絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；

細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；

以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵種子層電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述接電點(diǎn)的面積為0.1?10平方毫米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述主柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域，所述細(xì)柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第二條形區(qū)域，所述第一條形區(qū)域與所述第二條形區(qū)域垂直相交。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，其特征在于，所述接電點(diǎn)設(shè)置在所述第一條形區(qū)域靠近所述半導(dǎo)體基體的側(cè)邊的端部；

或，

所述接電點(diǎn)設(shè)置在所述第一條形區(qū)域的中間位置，且與所述半導(dǎo)體基體中相對(duì)的兩條側(cè)邊的距離相等。

6.一種太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括：提供太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體為權(quán)利要求1?5任一所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體；

將所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，對(duì)所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍，以在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域中形成細(xì)柵電極，在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域中形成主柵電極，得到太陽(yáng)能電池。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述接電點(diǎn)通過(guò)如下步驟獲得：在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料；

燒結(jié)所述金屬電極漿料，制備得到所述接電點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體包括：半導(dǎo)體底板；

絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；

細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；

以及主柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)；

或，

半導(dǎo)體底板；

絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；

細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；

以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵種子層電連接，所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)的第二分區(qū)；

其中，形成所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層通過(guò)如下步驟獲得：對(duì)所述絕緣鈍化層進(jìn)行開膜，以形成細(xì)柵開口和/或主柵開口；

在所述細(xì)柵開口和/或主柵開口區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料；

燒結(jié)所述金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層；

或，

形成所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層通過(guò)如下步驟獲得：在所述絕緣鈍化層上印刷燒蝕性金屬電極漿料，燒結(jié)所述燒蝕性金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。

9.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池包括：太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體為權(quán)利要求1?5任一所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體；

細(xì)柵電極，電鍍形成在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域上；

以及主柵電極，電鍍形成在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域上；

所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)位于所述主柵電極所在的區(qū)域內(nèi)。

10.一種光伏組件，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池。

說(shuō)明書： 太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、制備方法、太陽(yáng)能電池及光伏組件技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、太陽(yáng)能電池制備方法及太陽(yáng)能電池、光伏組件。背景技術(shù)[0002] 晶體硅太陽(yáng)電池由于其能量轉(zhuǎn)換效率高，是目前市場(chǎng)占有率最高的太陽(yáng)能電池。如何在提高晶體硅太陽(yáng)電池和組件的轉(zhuǎn)換效率的同時(shí)，降低其生產(chǎn)成本是業(yè)界面臨的最大難題。

[0003] 目前大規(guī)模的硅太陽(yáng)電池制造技術(shù)，通常采用絲網(wǎng)印刷方式來(lái)制備硅太陽(yáng)電池的金屬柵線電極，但絲網(wǎng)印刷的精度有限，印刷得到的電極形貌高低起伏，燒結(jié)后電極展寬較大，使得形成的電極高寬比較低，從而造成硅太陽(yáng)電池受光面的有效受光面積減小，另外絲網(wǎng)印刷制成的硅太陽(yáng)電池的串聯(lián)電阻較大。因此，常采用電鍍的方式來(lái)降低電極的遮光，并有效降低電極的電阻及晶體硅太陽(yáng)電池的串聯(lián)電阻。具體的，需要提前在硅片上形成用于導(dǎo)電的種子層以進(jìn)行后續(xù)的電鍍工序，例如通過(guò)濺射或光誘導(dǎo)鍍覆的方式形成種子層，然后再通過(guò)電鍍?cè)诜N子層上形成電極。[0004] 但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，利用濺射或光誘導(dǎo)鍍覆的方式制備種子層的過(guò)程，需要專門的設(shè)備，以及掩膜和特定的光源等條件，導(dǎo)致制備過(guò)程復(fù)雜，操作繁瑣，難以大規(guī)模生產(chǎn)。發(fā)明內(nèi)容[0005] 本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池、光伏組件，旨在解決太陽(yáng)能電池在電鍍制備電極的過(guò)程中，工藝復(fù)雜，制備效率低的問(wèn)題。[0006] 第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體包括：所述半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上具有主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵待鍍區(qū)域與所述細(xì)柵待鍍區(qū)域相交；[0007] 所述接電點(diǎn)位于在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)。[0008] 可選的，所述半導(dǎo)體基體包括：半導(dǎo)體底板以及覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層；[0009] 所述絕緣鈍化層開設(shè)有主柵開口和細(xì)柵開口，所述細(xì)柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述主柵待鍍區(qū)域；[0010] 或，[0011] 所述半導(dǎo)體基體包括：[0012] 半導(dǎo)體底板；[0013] 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；[0014] 細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；[0015] 以及主柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域；[0016] 或，[0017] 所述半導(dǎo)體基體包括：[0018] 半導(dǎo)體底板；[0019] 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；所述絕緣鈍化層開設(shè)有細(xì)柵開口；所述細(xì)柵開口暴露出所述半導(dǎo)體底板的區(qū)域形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域，[0020] 以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵開口的所述半導(dǎo)體底板電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域；[0021] 或，[0022] 所述半導(dǎo)體基體包括：[0023] 半導(dǎo)體底板；[0024] 絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；[0025] 細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接；所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；[0026] 以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵種子層電連接；所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域。[0027] 可選的，所述接電點(diǎn)的面積為0.1?10平方毫米。[0028] 可選的，所述接電點(diǎn)的形狀為橢圓形。[0029] 可選的，所述接電點(diǎn)包括：[0030] 圓形導(dǎo)電部，設(shè)置在所述圓形導(dǎo)電部外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)電部，以及連接所述圓形導(dǎo)電部和所述環(huán)形導(dǎo)電部的連接導(dǎo)電部。[0031] 可選的，所述主柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域，所述細(xì)柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第二條形區(qū)域，所述第一條形區(qū)域與所述第二條形區(qū)域垂直相交。[0032] 可選的，所述接電點(diǎn)設(shè)置在所述第一條形區(qū)域靠近所述半導(dǎo)體基體的側(cè)邊的端部；[0033] 或，[0034] 所述接電點(diǎn)設(shè)置在所述第一條形區(qū)域的中間位置，且與所述半導(dǎo)體基體中相對(duì)的兩條側(cè)邊的距離相等。[0035] 第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池地制備方法，所述方法包括：[0036] 提供太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體為前述任一所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體；[0037] 將所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，對(duì)所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍，以在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域中形成細(xì)柵電極，在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域中形成主柵電極，得到太陽(yáng)能電池。[0038] 可選的，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體通過(guò)如下步驟獲得：[0039] 提供半導(dǎo)體基體；[0040] 在所述半導(dǎo)體基體的主柵待鍍區(qū)域內(nèi)形成所述接電點(diǎn)。[0041] 可選的，所述在所述半導(dǎo)體基體的主柵待鍍區(qū)域內(nèi)形成所述接電點(diǎn)的步驟，包括：[0042] 在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料；[0043] 燒結(jié)所述金屬電極漿料，制備得到所述接電點(diǎn)。[0044] 可選的，所述半導(dǎo)體基體包括：半導(dǎo)體底板；絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；以及主柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述主柵種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域；[0045] 或，[0046] 半導(dǎo)體底板；絕緣鈍化層，覆蓋在所述半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上；細(xì)柵種子層，穿透所述絕緣鈍化層與所述半導(dǎo)體底板電連接，所述細(xì)柵種子層形成所述細(xì)柵待鍍區(qū)域；以及主柵覆蓋種子層，形成于所述絕緣鈍化層上，且所述主柵覆蓋種子層與所述細(xì)柵種子層電連接，所述主柵覆蓋種子層形成所述主柵待鍍區(qū)域；[0047] 其中，形成所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層通過(guò)如下步驟獲得：[0048] 對(duì)所述絕緣鈍化層進(jìn)行開膜，以形成所述細(xì)柵開口和/或主柵開口；[0049] 在所述細(xì)柵開口和/或主柵開口區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料；[0050] 燒結(jié)所述金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層；[0051] 或，[0052] 形成所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層通過(guò)如下步驟獲得：[0053] 在所述絕緣鈍化層上印刷燒蝕性金屬電極漿料，[0054] 燒結(jié)所述燒蝕性金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0055] 第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池，所述太陽(yáng)能電池包括：[0056] 太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體為前述任一所所述的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體；[0057] 細(xì)柵電極，電鍍形成在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域上；[0058] 以及主柵電極，電鍍形成在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域上；[0059] 所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)位于所述主柵電極所在的區(qū)域內(nèi)。[0060] 第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光伏組件，所述光伏組件包括前述任一所述的太陽(yáng)能電池。[0061] 基于上述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、太陽(yáng)能電池的制備方法及太陽(yáng)能電池、光伏組件，本申請(qǐng)存在以下有益效果：本申請(qǐng)中，可以利用太陽(yáng)能電池前驅(qū)體電鍍制備得到太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池前驅(qū)體包括半導(dǎo)體基體，以及位于半導(dǎo)體基體中主柵待鍍區(qū)域中的接電點(diǎn)，因此，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域中制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)，就可以完成后續(xù)電鍍制備主柵電極和細(xì)柵電極的過(guò)程，得到太陽(yáng)能電池，從而無(wú)需通過(guò)濺射以及光誘導(dǎo)電鍍等復(fù)雜的工藝制備電鍍種子層，簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而提高了太陽(yáng)能電池的制備效率。附圖說(shuō)明[0062] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0063] 圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖；[0064] 圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；[0065] 圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池在B?B方向的剖面圖；[0066] 圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第二種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖；[0067] 圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池在A?A方向的剖面圖；[0068] 圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第三種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖；[0069] 圖7示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第四種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖；[0070] 圖8示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種接電點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0071] 圖9示出了本發(fā)明實(shí)施例中的另一種接電點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0072] 圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第五種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖；[0073] 圖11示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池的制備方法的步驟流程圖。[0074] 附圖編號(hào)說(shuō)明：[0075] 10?半導(dǎo)體基體，11?半導(dǎo)體底板，12?向光面絕緣鈍化層，13?背光面絕緣鈍化層，111?硅基底，112?第一導(dǎo)電層，113?第二導(dǎo)電層，114?第一透明導(dǎo)電層，115?第二透明導(dǎo)電層，20?主柵待鍍區(qū)域，21?第一分區(qū)，22?第二分區(qū)，30?細(xì)柵待鍍區(qū)域，40?接電點(diǎn)，50?主柵覆蓋種子層，60?主柵電極，61?第一主柵電極，62?第二主柵電極，70?細(xì)柵電極，80?主柵種子層，90?細(xì)柵種子層，100?電極線。

具體實(shí)施方式[0076] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。[0077] 下面通過(guò)列舉幾個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本發(fā)明提供的一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、太陽(yáng)能電池制備方法及太陽(yáng)能電池、光伏組件。[0078] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體可以為對(duì)半導(dǎo)體基體進(jìn)行預(yù)處理之后、電鍍處理之前得到的太陽(yáng)能電池的前驅(qū)體，圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D1，太陽(yáng)能電池前驅(qū)體可以包括：半導(dǎo)體基體10和接電點(diǎn)40。[0079] 其中，半導(dǎo)體基體10中可以設(shè)置有主柵待鍍區(qū)域20和細(xì)柵待鍍區(qū)域30，主柵待鍍區(qū)域20和細(xì)柵待鍍區(qū)域30可以設(shè)置在半導(dǎo)體基體10的向光面和/或背光面。具體地，可以設(shè)置在向光面上，亦可以設(shè)置在背光面上，也可以向光面和背光面上。[0080] 接電點(diǎn)40位于主柵待鍍區(qū)域20內(nèi)，其中，接電點(diǎn)40可以設(shè)置在主柵待鍍區(qū)域20的第一分區(qū)21內(nèi)，用于在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D1和圖2，在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，在細(xì)柵待鍍區(qū)域30中形成細(xì)柵電極70，在主柵待鍍區(qū)域20或主柵待鍍區(qū)域20中除接電點(diǎn)之外的區(qū)域中形成主柵電極60，由于主柵待鍍區(qū)域20與細(xì)柵待鍍區(qū)域30相交，從而使得主柵電極60和細(xì)柵電極70能夠相互連接，最終制備得到太陽(yáng)能電池。[0081] 在本發(fā)明實(shí)施例中，無(wú)需在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體上制備電鍍種子層，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域內(nèi)，制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)，該接電點(diǎn)用于在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行后續(xù)電鍍處理時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，以完成后續(xù)電鍍過(guò)程，從而降低了太陽(yáng)能電池的制造難度和成本，便于大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。[0082] 此外，由于接電點(diǎn)設(shè)置在主柵待鍍區(qū)域內(nèi)，無(wú)需在太陽(yáng)能電池表面的其他區(qū)域中單獨(dú)設(shè)置用于制備接電點(diǎn)的區(qū)域，使得最終形成的太陽(yáng)能電池的外觀更加美觀。[0083] 在本發(fā)明實(shí)施例中，一種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，包括：半導(dǎo)體基體和接電點(diǎn)；半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上具有主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域，主柵待鍍區(qū)域與細(xì)柵待鍍區(qū)域相交；接電點(diǎn)位于主柵待鍍區(qū)域內(nèi)，用于在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接；其中，對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，在細(xì)柵待鍍區(qū)域中形成細(xì)柵電極，在主柵待鍍區(qū)域或主柵待鍍區(qū)域中除接電點(diǎn)之外的區(qū)域中形成主柵電極。本申請(qǐng)中，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域內(nèi)，制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)，得到用于后續(xù)電鍍處理的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，就可以利用該太陽(yáng)能電池前驅(qū)體完成后續(xù)電鍍制備主柵電極和細(xì)柵電極的過(guò)程，得到太陽(yáng)能電池，從而無(wú)需通過(guò)復(fù)雜的工藝在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體上制備電鍍種子層，簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而提高了太陽(yáng)能電池的制備效率。[0084] 可選的，所述半導(dǎo)體基體可以包括：半導(dǎo)體底板以及覆蓋在半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層。[0085] 其中，所述半導(dǎo)體底板可以為具有載流子分離功能的硅基底，例如，半導(dǎo)體底板可以包括具有第一導(dǎo)電類型的單晶硅片或多晶硅片，以及分別設(shè)置在單晶硅片或多晶硅片向光面和背光面的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。其中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別具有第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型，從而在太陽(yáng)光線照射在單晶硅片或多晶硅片上時(shí)，由于光伏效應(yīng)在單晶硅片或多晶硅片中產(chǎn)生包括電子?空穴對(duì)，進(jìn)一步的，具有第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，分別具有電子選擇性和空穴選擇性，從而可以將單晶硅片或多晶硅片中的電子?空穴對(duì)分離，使得位于半導(dǎo)體底板向光面和背光面上的電極能夠收集和導(dǎo)出具有不同電荷的載流子，從而將光能轉(zhuǎn)換為電能。[0086] 在本發(fā)明實(shí)施例中，所述具有第一導(dǎo)電類型的單晶硅片或多晶硅片，可以為n型硅基底，即單晶硅片或多晶硅片的摻雜類型為n型摻雜，對(duì)應(yīng)的摻雜物可以包括族元素中的磷元素(P)、砷元素(As)、鉍元素(Bi)和銻元素(Sb)中的任意一種或多種；也可以為p型硅基底，即單晶硅片或多晶硅片的摻雜類型為p型摻雜，對(duì)應(yīng)的摻雜物可以包括III族元素中的硼元素(B)、鋁元素(Al)、鎵元素(Ga)和銦元素(In)中的任意一種或多種。[0087] 具體的，可以首先在半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面制備絕緣鈍化層，以改善太陽(yáng)能電池的光吸收特性，圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池在B?B方向的剖面圖，參照?qǐng)D3，為針對(duì)圖2中的太陽(yáng)能電池在B?B方向上的剖面圖，絕緣鈍化層可以同時(shí)設(shè)置在半導(dǎo)體底板11的背光面和向光面上，即，絕緣鈍化層可以包括位于向光面上的向光面絕緣鈍化層12和位于背光面上的背光面絕緣鈍化層13。[0088] 在本發(fā)明實(shí)施例中，可以在半導(dǎo)體底板11的向光面和背光面上分別制備不同的絕緣鈍化層，例如，可以在半導(dǎo)體底板11的向光面制備包含氧化硅和氮化硅的向光面絕緣鈍化層12，在半導(dǎo)體底板的背光面制備包含氧化鋁和氮化硅的背光面絕緣鈍化層13，從而提高太陽(yáng)能電池向光面的鈍化效果，提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。[0089] 在本發(fā)明實(shí)施例中，半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上的主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域可以包括以下幾種情況：[0090] A1、半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面的絕緣鈍化層中開設(shè)有主柵開口和細(xì)柵開口，其中，所述細(xì)柵開口暴露出半導(dǎo)體底板的區(qū)域可以形成細(xì)柵待鍍區(qū)域，即細(xì)柵開口貫穿絕緣鈍化層，細(xì)柵開口的深度等于絕緣鈍化層的厚度。同樣的，主柵開口暴露出半導(dǎo)體底板的區(qū)域可以形成主柵待鍍區(qū)域，即主柵開口貫穿絕緣鈍化層，主柵開口的深度等于絕緣鈍化層的厚度，相應(yīng)的，接電點(diǎn)設(shè)置在主柵開口中。[0091] 以位于向光面上的向光面絕緣鈍化層為例，向光面絕緣鈍化層中設(shè)置有主柵開口和細(xì)柵開口，其中，在利用該太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍制備太陽(yáng)能電池的過(guò)程中，接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，從而將主柵電極設(shè)置在主柵開口中，細(xì)柵電極設(shè)置在細(xì)柵開口中，得到太陽(yáng)能電池。[0092] A2、所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體中的細(xì)柵開口暴露出半導(dǎo)體底板的區(qū)域可以形成細(xì)柵待鍍區(qū)域，半導(dǎo)體底板主柵的位置設(shè)置有主柵覆蓋種子層，即主柵覆蓋種子層形成于絕緣鈍化層上，主柵覆蓋種子層與細(xì)柵開口的半導(dǎo)體底板電連接，從而形成主柵待鍍區(qū)域。[0093] 圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第二種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D1和圖4，所述主柵覆蓋種子層50設(shè)置在主柵開口中與主柵待鍍區(qū)域20的第二分區(qū)22對(duì)應(yīng)的位置，所述第二分區(qū)22與所述第一分區(qū)21相互連接，其中，對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，在主柵覆蓋種子層50遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面或主柵覆蓋種子層50和接電點(diǎn)40遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面形成主柵電極，在細(xì)柵開口中形成細(xì)柵電極。[0094] 在本發(fā)明實(shí)施例中，在制備得到接電點(diǎn)之后，可以進(jìn)一步在主柵開口中與主柵待鍍區(qū)域的第二分區(qū)對(duì)應(yīng)的位置印刷金屬電極漿料，使得印刷在主柵待鍍區(qū)域第二分區(qū)中，用于制備主柵覆蓋種子層的金屬電極漿料與細(xì)柵開口的半導(dǎo)體底板電連接，燒結(jié)金屬電極漿料可以得到與接電點(diǎn)和細(xì)柵開口中的半導(dǎo)體底板相互連接的主柵覆蓋種子層。[0095] 具體的，若主柵開口貫穿絕緣鈍化層，則用于制備主柵覆蓋種子層的金屬電極漿料直接印刷在主柵開口中與半導(dǎo)體基體接觸，即金屬電極漿料印刷在半導(dǎo)體底板表面的第二分區(qū)中；若主柵開口未貫穿絕緣鈍化層，則絕緣鈍化層中與主柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有主柵開口，且該主柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則金屬電極漿料印刷在主柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，即金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面，且與細(xì)柵開口中的半導(dǎo)體底板相互連接。[0096] 圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種太陽(yáng)能電池在A?A方向的剖面圖，參照?qǐng)D1、圖4和5，在利用圖4所示的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍制備太陽(yáng)能電池的過(guò)程中，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，從而在細(xì)柵待鍍區(qū)域30中電鍍沉積金屬層得到細(xì)柵電極70，在接電點(diǎn)40和主柵覆蓋種子層50上同時(shí)電鍍沉積金屬層得到主柵電極60，或僅在主柵覆蓋種子層50上電鍍沉積金屬層得到主柵電極60。[0097] 由此可知，太陽(yáng)能電池中的細(xì)柵電極均為通過(guò)電鍍沉積得到的電鍍電極，而主柵電極則包括通過(guò)印刷和燒結(jié)金屬電極漿料得到的涂覆電極部分(主柵覆蓋種子層)，以及通過(guò)電鍍沉積得到的電鍍電極部分。從增加光伏組件可靠性的角度而言，由于焊接互連的主柵電極均由涂覆電極部分和電鍍電極部分構(gòu)成，主柵電極各處高度基本一致，且高于細(xì)柵電極，因此，連接線與主柵電極焊接從而連接相鄰電池片時(shí)，可以獲得穩(wěn)定可靠的連接。[0098] A3，太陽(yáng)能電池前驅(qū)體中的主柵開口可以貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料直接印刷在主柵開口中與半導(dǎo)體基體接觸，燒結(jié)后得到主柵種子層，主柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而由主柵種子層形成主柵待鍍區(qū)域；若主柵開口未貫穿絕緣鈍化層，則絕緣鈍化層中與主柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有主柵開口，且該主柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則印刷燒蝕性金屬電極漿料在主柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，燒結(jié)后也可以得到所述主柵種子層。[0099] 相應(yīng)的，太陽(yáng)能電池前驅(qū)體中的細(xì)柵開口可以貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料直接印刷在細(xì)柵開口中與半導(dǎo)體基體接觸，燒結(jié)后得到細(xì)柵種子層，細(xì)柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而由細(xì)柵種子層形成細(xì)柵待鍍區(qū)域；若細(xì)柵開口未貫穿絕緣鈍化層，則絕緣鈍化層中與細(xì)柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有細(xì)柵開口，且該細(xì)柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則印刷燒蝕性金屬電極漿料在細(xì)柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，燒結(jié)后也可以得到所述細(xì)柵種子層。[0100] 圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第三種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D1和圖6，所述主柵種子層80設(shè)置在主柵開口中與主柵待鍍區(qū)域20的第二分區(qū)22對(duì)應(yīng)的位置，所述第二分區(qū)22與所述第一分區(qū)21相互連接，在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，在主柵種子層80遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面或主柵種子層80和接電點(diǎn)40遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面形成主柵電極；所述細(xì)柵種子層90設(shè)置在細(xì)柵開口中與細(xì)柵待鍍區(qū)域30對(duì)應(yīng)的位置，在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，在細(xì)柵種子層90遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面形成細(xì)柵電極。[0101] A4、太陽(yáng)能電池前驅(qū)體中的細(xì)柵開口可以貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料直接印刷在細(xì)柵開口中與半導(dǎo)體基體接觸，燒結(jié)后得到細(xì)柵種子層，細(xì)柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而由細(xì)柵種子層形成細(xì)柵待鍍區(qū)域；若細(xì)柵開口未貫穿絕緣鈍化層，則絕緣鈍化層中與細(xì)柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有細(xì)柵開口，且該細(xì)柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則印刷燒蝕性金屬電極漿料在細(xì)柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，燒結(jié)后也可以得到所述細(xì)柵種子層。[0102] 太陽(yáng)能電池前驅(qū)體中的主柵開口的深度小于鈍化層絕緣鈍化層的厚度，即主柵開口可以不貫穿絕緣鈍化層，主柵開口不暴露出半導(dǎo)體底板。主柵開口的位置設(shè)置有主柵覆蓋種子層，即主柵覆蓋種子層形成于絕緣鈍化層上，主柵覆蓋種子層與細(xì)柵開口的半導(dǎo)體底板電連接，從而形成主柵待鍍區(qū)域。[0103] 圖7示出了本發(fā)明實(shí)施例中的第四種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D1和圖7，主柵覆蓋種子層50設(shè)置在主柵開口中與主柵待鍍區(qū)域20的第二分區(qū)22對(duì)應(yīng)的位置，所述第二分區(qū)22與所述第一分區(qū)21相互連接，其中，對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，在主柵覆蓋種子層50遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面或主柵覆蓋種子層50和接電點(diǎn)40遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面形成主柵電極；所述細(xì)柵種子層90設(shè)置在細(xì)柵開口中與細(xì)柵待鍍區(qū)域30對(duì)應(yīng)的位置，在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍時(shí)，在細(xì)柵種子層90遠(yuǎn)離半導(dǎo)體底板的一面形成細(xì)柵電極。

[0104] 可選的，接電點(diǎn)的面積可以為0.1?10平方毫米。[0105] 可選的，接電點(diǎn)的形狀可以包括：圓形、矩形、橢圓形、環(huán)形和不規(guī)則圖形中的任意一種。參照?qǐng)D1，接電點(diǎn)40的形狀為矩形。圖8示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種接電點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D8，接電點(diǎn)40的形狀為橢圓形，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭(彈性導(dǎo)電元件)電連接，橢圓形的接電點(diǎn)40與彈性導(dǎo)電元件具有較大的接觸余量，從而即使在彈性導(dǎo)電元件發(fā)生滑移的情況下，仍舊能夠確保接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的電連接。圖9示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種接電點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D9，接電點(diǎn)40的形狀為不規(guī)則圖形，具體的，接電點(diǎn)40可以包括內(nèi)層的圓形導(dǎo)電部41、設(shè)置在圓形導(dǎo)電部41外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)電部42，以及連接圓形導(dǎo)電部41和環(huán)形導(dǎo)電部42的連接導(dǎo)電部43，所述連接導(dǎo)電部43可以呈十字交叉結(jié)構(gòu)，在接電點(diǎn)40與彈性導(dǎo)電元件連接時(shí)，外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)電部42可作為對(duì)位的參照點(diǎn)，有助于彈性導(dǎo)電元件與接電點(diǎn)40的對(duì)位，該接電點(diǎn)40與彈性導(dǎo)電元件的實(shí)際有效接觸面積較大，從而在彈性導(dǎo)電元件向任意方向偏移或滑移時(shí)，能夠確保接電點(diǎn)40與彈性導(dǎo)電元件之間可以實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)電效果。[0106] 可選的，參照?qǐng)D1，主柵待鍍區(qū)域20可以包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域，細(xì)柵待鍍區(qū)域30可以包括多條平行設(shè)置的第二條形區(qū)域，第一條形區(qū)域與第二條形區(qū)域可以垂直相交。參照?qǐng)D2，由于主柵待鍍區(qū)域20用于制備主柵電極60，細(xì)柵待鍍區(qū)域30用于制備細(xì)柵電極70，因此，太陽(yáng)能電池中的主柵電極60可以包括多條平行設(shè)置的條形電極，細(xì)柵電極70也可以包括多條平行設(shè)置的條形電極，且主柵電極60與細(xì)柵電極70之間垂直相交。

[0107] 此外，主柵待鍍區(qū)域20中還可以包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一分區(qū)21和第二分區(qū)22，第一分區(qū)21和第二分區(qū)22共同構(gòu)成所述第一條形區(qū)域，且第一分區(qū)21沿垂直于第一條形區(qū)域延伸方向的尺寸，大于第二分區(qū)22沿垂直于第一條形區(qū)域延伸方向的尺寸，從而使得最終制備得到的太陽(yáng)能電池中的主柵電極60可以包括位于第一分區(qū)21的第一主柵電極61，以及位于第二分區(qū)22的第二主柵電極62，且第一主柵電極61沿垂直于第一條形區(qū)域延伸方向的尺寸，大于第二主柵電極62沿垂直于第一條形區(qū)域延伸方向的尺寸。因此，在利用連接線互連相鄰的太陽(yáng)能電池，主柵電極60與連接線進(jìn)行焊接時(shí)，寬度較大的第一主柵電極61(焊盤)與連接線之間的接觸面積較大，從而可以確保主柵電極60與連接線之間的焊接強(qiáng)度，寬度較小的第二主柵電極62主要用于導(dǎo)通相鄰的第一主柵電極61，從而可以降低太陽(yáng)能電池中用于制備電極的電極漿料的用量，降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本。[0108] 需要說(shuō)明的是，所述接電點(diǎn)可以位于上述多個(gè)第一分區(qū)中的任意一個(gè)或多個(gè)第一分區(qū)對(duì)應(yīng)的位置。[0109] 可選的，所述接電點(diǎn)可以設(shè)置在所述第一條形區(qū)域靠近半導(dǎo)體基體側(cè)邊的端部。在所述主柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域的情況下，參照?qǐng)D1，接電點(diǎn)40可以設(shè)置在第一條形區(qū)域靠近半導(dǎo)體基體10側(cè)邊的端部。從而在后續(xù)電鍍處理的過(guò)程中，無(wú)需將接電點(diǎn)40浸沒(méi)在電鍍液中，從而避免酸性的電鍍液對(duì)與接電點(diǎn)40電連接的電鍍?cè)O(shè)備的接頭產(chǎn)生腐蝕。此時(shí)，接電點(diǎn)40上不會(huì)在電鍍處理的過(guò)程中沉積金屬層。

[0110] 可選的，所述接電點(diǎn)還可以設(shè)置在所述第一條形區(qū)域的中間位置，且與所述半導(dǎo)體基體中相對(duì)的兩條側(cè)邊的距離相等。在所述主柵待鍍區(qū)域包括多條平行設(shè)置的第一條形區(qū)域的情況下，接電點(diǎn)也可以設(shè)置在第一條形區(qū)域的中間位置，使得接電點(diǎn)與半導(dǎo)體基體中相對(duì)的兩條側(cè)邊的距離相等，從而在后續(xù)電鍍處理的過(guò)程中，半導(dǎo)體基體表面的電流量的差異較小，確保半導(dǎo)體基體表面各處的電鍍速度基本一致，確保電鍍得到的主柵電極的高度均等化。[0111] 圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的第五種太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的結(jié)構(gòu)示意圖，參照?qǐng)D10，接電點(diǎn)40可以位于半導(dǎo)體基體的兩個(gè)角部，即兩個(gè)接電點(diǎn)40穿過(guò)半導(dǎo)體基體表面的對(duì)角線，且每個(gè)接電點(diǎn)40距離半導(dǎo)體基體10的中心相等，兩個(gè)接電點(diǎn)40之間通過(guò)印刷的電極線100電連接，所述電極線100構(gòu)成平行于半導(dǎo)體基體100側(cè)邊的環(huán)形結(jié)構(gòu)。接電點(diǎn)40和電極線100均可以通過(guò)一次印刷電極漿料形成，且半導(dǎo)體基體10的表面設(shè)置有與接電點(diǎn)40或電極線100連接的細(xì)柵待鍍區(qū)域30。在電鍍過(guò)程中，接電點(diǎn)40與電鍍?cè)O(shè)備的接頭電連接，通電后電流流經(jīng)兩個(gè)接電點(diǎn)40之間的電極線100，在細(xì)柵待鍍區(qū)域30中電鍍形成細(xì)柵電極，從而形成無(wú)主柵電極的太陽(yáng)能電池。

[0112] 本發(fā)明施例還提供了一種利用上述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體制備太陽(yáng)能電池的方法，圖11示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種太陽(yáng)能電池的制備方法的步驟流程圖，參照?qǐng)D11，該方法可以包括如下步驟：

[0113] 步驟101，提供太陽(yáng)能電池前驅(qū)體。[0114] 在該步驟中，可以獲取用于電鍍制備太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體可以為前述任一太陽(yáng)能電池前驅(qū)體。[0115] 可選的，太陽(yáng)能電池前驅(qū)體可以通過(guò)如下步驟獲得：[0116] 子步驟1011，提供半導(dǎo)體基體。[0117] 在該步驟中，可以獲取用于制備太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的半導(dǎo)體基體。[0118] 其中，半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上具有用于制備主柵電極的主柵待鍍區(qū)域，以及用于制備細(xì)柵電極的細(xì)柵待鍍區(qū)域，且所述主柵待鍍區(qū)域與所述細(xì)柵待鍍區(qū)域相交，從而可以使得最終制備得到的太陽(yáng)能電池中主柵電極和細(xì)柵電極相交，以便完成太陽(yáng)能電池中電流的收集和匯聚。[0119] 子步驟1012，在所述半導(dǎo)體基體的主柵待鍍區(qū)域內(nèi)形成所述接電點(diǎn)。[0120] 在該步驟中，在獲取用于制備太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體基體之后，可以在半導(dǎo)體基體的主柵待鍍區(qū)域內(nèi)形成接電點(diǎn)，具體的，可以在主柵待鍍區(qū)域中的第一分區(qū)制備接電點(diǎn)，得到太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，所述接電點(diǎn)用于在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行后續(xù)電鍍處理時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，從而無(wú)需單獨(dú)通過(guò)濺射或光誘導(dǎo)鍍覆等復(fù)雜的工藝制備電鍍種子層以完成后續(xù)電鍍過(guò)程。[0121] 具體的，在半導(dǎo)體基體上直接電鍍制備電極較為困難，因此，可以提前在半導(dǎo)體基體上形成用于導(dǎo)電的種子層以進(jìn)行后續(xù)的電鍍工序。而制備種子層的過(guò)程需要在單獨(dú)的裝置中分別被獨(dú)立地執(zhí)行，例如通過(guò)濺射或光誘導(dǎo)鍍覆的方式形成，但是濺射制備種子層需要在太陽(yáng)能電池的現(xiàn)有產(chǎn)線中額外添加濺射設(shè)備，濺射所需圖案還要使用掩膜步驟，操作復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，而且濺射種子層通常導(dǎo)電性不足以承載基于半導(dǎo)體基體的太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的較大電流密度，需要涂鍍其他金屬如鎳和銅，以增強(qiáng)種子層的導(dǎo)電性；而光誘導(dǎo)鍍覆只能單面電鍍，在焊接時(shí)需要保護(hù)，不然會(huì)被溶解，同時(shí)還需要專門的設(shè)備和光源，操作復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的大規(guī)模流水線生產(chǎn)比較困難。[0122] 參照?qǐng)D1，在本發(fā)明實(shí)施例中，無(wú)需在半導(dǎo)體基體上制備電鍍種子層，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域20中的第一分區(qū)21中，制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)40，該接電點(diǎn)40用于在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行后續(xù)電鍍處理時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，以完成后續(xù)電鍍過(guò)程，從而降低了太陽(yáng)能電池的制造難度和成本，便于大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。

[0123] 此外，由于接電點(diǎn)設(shè)置在主柵待鍍區(qū)域中的第一分區(qū)中，無(wú)需在太陽(yáng)能電池表面的其他區(qū)域中單獨(dú)設(shè)置用于制備接電點(diǎn)的區(qū)域，使得最終形成的太陽(yáng)能電池的外觀更加美觀。[0124] 可選的，在所述半導(dǎo)體基體的主柵待鍍區(qū)域內(nèi)形成所述接電點(diǎn)的過(guò)程，具體可以包括：[0125] (1)在所述主柵待鍍區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料。[0126] 在該步驟中，可以在主柵待鍍區(qū)域的第一分區(qū)中印刷金屬電極漿料。[0127] 可選的，半導(dǎo)體基體可以包含半導(dǎo)體底板以及覆蓋在半導(dǎo)體底板的向光面和/或背光面上的絕緣鈍化層，且絕緣鈍化層中開設(shè)有主柵開口和細(xì)柵開口，若主柵開口貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料可以直接印刷在主柵開口中與半導(dǎo)體底板接觸，即金屬電極漿料印刷在半導(dǎo)體底板表面的第一分區(qū)中；若主柵開口未貫穿絕緣鈍化層，則絕緣鈍化層中與主柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有主柵開口，且該主柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則金屬電極漿料印刷在主柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，即金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面。[0128] (2)燒結(jié)所述金屬電極漿料，制備得到所述接電點(diǎn)。[0129] 在該步驟中，可以燒結(jié)在主柵待鍍區(qū)域的第一分區(qū)印刷的金屬電極漿料，從而制備得到位于主柵待鍍區(qū)域的第一分區(qū)的接電點(diǎn)。[0130] 可選的，所述金屬電極漿料可以為包含金屬粒子的電極漿料，所述金屬粒子可以包括：銀粒子或鋁粒子。[0131] 具體的，若主柵開口貫穿絕緣鈍化層，即金屬電極漿料直接印刷在主柵開口中與半導(dǎo)體底板接觸，則金屬電極漿料可以為包含銀粒子的電極漿料，使得燒結(jié)后得到的接電點(diǎn)與半導(dǎo)體底板接觸；若主柵開口未貫穿絕緣鈍化層，即金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面，則金屬電極漿料可以為包含鋁粒子的電極漿料，由于含有鋁粒子的電極漿料為燒蝕性金屬電極漿料，能夠?qū)^緣鈍化層產(chǎn)生燒蝕，從而對(duì)金屬電極漿料燒結(jié)后能夠得到與半導(dǎo)體底板接觸的接電點(diǎn)。[0132] 可選的，在半導(dǎo)體基體的向光面和/或背光面上的主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域符合前述A2的情況下，即半導(dǎo)體基體包括細(xì)柵種子層和主柵種子層，所述細(xì)柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而形成細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而形成主柵待鍍區(qū)域。或符合前述A4的情況下，即半導(dǎo)體基體包括細(xì)柵種子層和主柵覆蓋種子層，所述細(xì)柵種子層穿透絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板電連接，從而形成細(xì)柵待鍍區(qū)域，所述主柵覆蓋種子層設(shè)置在絕緣鈍化層上，且主柵覆蓋種子層與細(xì)柵種子層電連接，從而形成所述主柵待鍍區(qū)域。[0133] 形成所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層的步驟，具體可以包括：[0134] SA1、對(duì)所述絕緣鈍化層進(jìn)行開膜，以形成所述細(xì)柵開口和/或主柵開口。[0135] 在該步驟中，可以對(duì)半導(dǎo)體底板表面的絕緣鈍化層進(jìn)行開膜，在半導(dǎo)體底板表面的絕緣鈍化層中開設(shè)主柵開口和/或細(xì)柵開口。[0136] 其中，所述細(xì)柵開口可以暴露出半導(dǎo)體底板上的細(xì)柵待鍍區(qū)域，即細(xì)柵開口貫穿所述絕緣鈍化層，細(xì)柵開口的深度等于絕緣鈍化層的厚度，所述主柵開口可以暴露出半導(dǎo)體底板上的主柵待鍍區(qū)域，即主柵開口貫穿所述絕緣鈍化層，主柵開口的深度等于絕緣鈍化層的厚度。[0137] 具體的，在絕緣鈍化層中設(shè)置主柵開口和細(xì)柵開口的過(guò)程，可以通過(guò)濕法蝕刻或激光燒蝕等技術(shù)在絕緣鈍化層中形成貫穿的開口結(jié)構(gòu)，從而暴露出位于絕緣鈍化層底部的半導(dǎo)體底板。[0138] SA2、在所述細(xì)柵開口和/或主柵開口區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料。[0139] 在該步驟中，可以在細(xì)柵開口區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料，由于細(xì)柵開口貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料可以直接印刷在細(xì)柵開口中與半導(dǎo)體底板接觸。[0140] 相應(yīng)的，可以在主柵開口區(qū)域內(nèi)印刷金屬電極漿料，若主柵開口貫穿絕緣鈍化層，則金屬電極漿料可以直接印刷在主柵開口中與半導(dǎo)體底板接觸。[0141] SA3、燒結(jié)所述金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0142] 在該步驟中，可以燒結(jié)主柵開口中的金屬電極漿料，從而制備得到位于主柵開口中的主柵種子層，燒結(jié)細(xì)柵開口中的金屬電極漿料，從而制備得到位于細(xì)柵開口中的細(xì)柵種子層。[0143] 具體的，由于主柵開口和/或細(xì)柵開口貫穿絕緣鈍化層，即金屬電極漿料直接印刷在主柵開口和/或細(xì)柵開口中與半導(dǎo)體底板接觸，使得燒結(jié)后得到的主柵種子層和/或細(xì)柵種子層與半導(dǎo)體底板接觸。[0144] 或者，可以通過(guò)如下步驟獲得所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層：[0145] SB1、在所述絕緣鈍化層上印刷燒蝕性金屬電極漿料。[0146] 在該步驟中，可以對(duì)半導(dǎo)體底板表面的絕緣鈍化層進(jìn)行開膜，在半導(dǎo)體底板表面的絕緣鈍化層中開設(shè)未貫穿絕緣鈍化層的主柵開口和細(xì)柵開口，進(jìn)而在主柵開口和細(xì)柵開口中印刷燒蝕性金屬電極漿料。也可以直接在絕緣鈍化層上與主柵待鍍區(qū)域和細(xì)柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域印刷燒蝕性金屬電極漿料。[0147] 具體的，若細(xì)柵開口未貫穿絕緣鈍化層，即絕緣鈍化層中與細(xì)柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有細(xì)柵開口，且該細(xì)柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則燒蝕性金屬電極漿料印刷在細(xì)柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，即燒蝕性金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面。若主柵開口未貫穿絕緣鈍化層，即絕緣鈍化層中與主柵待鍍區(qū)域?qū)?yīng)的位置具有主柵開口，且該主柵開口的底部為部分剩余絕緣鈍化層，則燒蝕性金屬電極漿料印刷在主柵開口中與部分剩余絕緣鈍化層接觸，即燒蝕性金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面。[0148] SB2、燒結(jié)所述燒蝕性金屬電極漿料，得到所述細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0149] 在該步驟中，可以燒結(jié)印刷的燒蝕性金屬電極漿料，從而制備得到細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0150] 具體的，由于主柵開口和/或細(xì)柵開口未貫穿絕緣鈍化層，即燒蝕性金屬電極漿料印刷在部分剩余絕緣鈍化層表面，燒蝕性金屬電極漿料在燒結(jié)的過(guò)程中能夠?qū)^緣鈍化層產(chǎn)生燒蝕，從而得到與半導(dǎo)體底板接觸的細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0151] 需要說(shuō)明的是，可以首先印刷用于制備接電點(diǎn)的金屬電極漿料，以及印刷用于制備細(xì)柵種子層和/或主柵種子層的金屬電極漿料，然后通過(guò)一次燒結(jié)過(guò)程，同時(shí)形成接電點(diǎn)，以及細(xì)柵種子層和/或主柵種子層。[0152] 可以理解的是，采用燒蝕性金屬電極漿料，可以不對(duì)絕緣鈍化層進(jìn)行開口，直接在絕緣鈍化層上印刷燒蝕性金屬電極漿料，燒蝕性金屬電極漿料在燒結(jié)之后可以直接燒穿絕緣鈍化層與半導(dǎo)體底板形成電接觸。[0153] 步驟102，將所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，對(duì)所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍，以在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域中形成細(xì)柵電極，在所述太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域中形成主柵電極，得到太陽(yáng)能電池。[0154] 在該步驟中，在半導(dǎo)體基體上主柵待鍍區(qū)域內(nèi)制備得到接電點(diǎn)之后，可以進(jìn)一步對(duì)形成有接電點(diǎn)的半導(dǎo)體基體進(jìn)行電鍍，將接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，從而利用電鍍?cè)O(shè)備在細(xì)柵待鍍區(qū)域中電鍍沉積金屬層得到細(xì)柵電極，在主柵待鍍區(qū)域或主柵待鍍區(qū)域中除接電點(diǎn)之外的區(qū)域中電鍍沉積金屬層得到主柵電極，最終得到太陽(yáng)能電池。相比傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷燒結(jié)銀漿料形成太陽(yáng)能電池的電極的技術(shù)而言，本申請(qǐng)可以通過(guò)電鍍低成本的金屬層作為太陽(yáng)能電池的電極，大大降低了貴金屬銀材料的使用，使太陽(yáng)能電池的制造成本得到了顯著降低。[0155] 具體的，參照?qǐng)D1和圖2，太陽(yáng)能電池包括半導(dǎo)體基體10，以及設(shè)置在半導(dǎo)體基體10上的主柵電極60和細(xì)柵電極70，其中，主柵電極60位于半導(dǎo)體基體10中主柵待鍍區(qū)域20的位置，細(xì)柵電極70位于半導(dǎo)體基體10中細(xì)柵待鍍區(qū)域30的位置。[0156] 需要說(shuō)明的是，圖2所示的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)可以為太陽(yáng)能電池向光面的結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能電池背光面的結(jié)構(gòu)可以與向光面的結(jié)構(gòu)對(duì)稱設(shè)置。[0157] 此外，主柵電極60也可以位于半導(dǎo)體基體10中主柵待鍍區(qū)域20除第一分區(qū)21之外的位置。即在得到具有接電點(diǎn)40的太陽(yáng)能電池前驅(qū)體之后，在對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍處理的過(guò)程中，所述接電點(diǎn)40上可以電鍍沉積金屬層得到主柵電極60，也可以不沉積金屬層，即接電點(diǎn)40的表面沒(méi)有沉積主柵電極60。若接電點(diǎn)40在電鍍處理的過(guò)程中被沉積金屬層加厚得到主柵電極60，則接電點(diǎn)40也可以看作主柵電極60的一部分，使得最終得到的太陽(yáng)能電池中主柵電極60的體積增加，從而后續(xù)在連接相鄰太陽(yáng)能電池得到光伏組件的過(guò)程中，在連接線與太陽(yáng)能電池進(jìn)行焊接時(shí)，增強(qiáng)連接線與主柵電極60之間的焊接強(qiáng)度，從而降低相鄰太陽(yáng)能電池的互連電阻，并提高相鄰太陽(yáng)能電池的焊接可靠性。[0158] 在本發(fā)明實(shí)施例中，電鍍過(guò)程中的沉積金屬層可以包括鎳、銅、錫或銀等金屬，優(yōu)選為鍍鎳層和鍍銅層的層疊結(jié)構(gòu)。[0159] 相比傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷燒結(jié)銀漿料形成太陽(yáng)能電池的電極的技術(shù)而言，本申請(qǐng)可以通過(guò)電鍍低成本的沉積金屬層作為太陽(yáng)能電池的電極，大大降低了貴金屬銀材料的使用，使太陽(yáng)能電池的制造成本得到了顯著降低。[0160] 在本發(fā)明實(shí)施例中，一種太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：提供太陽(yáng)能電池前驅(qū)體；將太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的接電點(diǎn)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，對(duì)太陽(yáng)能電池前驅(qū)體進(jìn)行電鍍，以在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域中形成細(xì)柵電極，在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域中形成主柵電極，得到太陽(yáng)能電池。本申請(qǐng)中，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域中制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)，得到太陽(yáng)能電池前驅(qū)體，就可以完成后續(xù)電鍍制備主柵電極和細(xì)柵電極的過(guò)程，得到太陽(yáng)能電池，從而無(wú)需通過(guò)復(fù)雜的工藝制備電鍍種子層，簡(jiǎn)化了工藝流程，進(jìn)而提高了太陽(yáng)能電池的制備效率。

[0161] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種太陽(yáng)能電池，可以包括前述任一太陽(yáng)能電池前驅(qū)體、電鍍形成在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的細(xì)柵待鍍區(qū)域上的細(xì)柵電極，以及電鍍形成在太陽(yáng)能電池前驅(qū)體的主柵待鍍區(qū)域上的主柵電極。[0162] 具體的，參照?qǐng)D2、圖3和圖5，太陽(yáng)能電池可以包括：半導(dǎo)體基體10、接電點(diǎn)40、細(xì)柵電極70和主柵電極60。[0163] 其中，參照?qǐng)D1，半導(dǎo)體基體10中設(shè)置有主柵待鍍區(qū)域20和細(xì)柵待鍍區(qū)域30，主柵待鍍區(qū)域20和細(xì)柵待鍍區(qū)域30可以設(shè)置在半導(dǎo)體基體10的向光面和/或背光面，接電點(diǎn)40設(shè)置在主柵待鍍區(qū)域20的第一分區(qū)21，用于在對(duì)半導(dǎo)體基體10進(jìn)行電鍍時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接。具體的，在對(duì)半導(dǎo)體基體10進(jìn)行電鍍時(shí)，在細(xì)柵待鍍區(qū)域30中形成細(xì)柵電極70，在主柵待鍍區(qū)域20或主柵待鍍區(qū)域20中除接電點(diǎn)40之外的區(qū)域中形成主柵電極60，由于主柵待鍍區(qū)域20與細(xì)柵待鍍區(qū)域30相交，從而使得主柵電極60和細(xì)柵電極70能夠相互連接，最終制備得到太陽(yáng)能電池。[0164] 在本發(fā)明實(shí)施例中，無(wú)需在半導(dǎo)體基體上制備電鍍種子層，在進(jìn)行電鍍之前，僅需要在主柵待鍍區(qū)域中的第一分區(qū)中，制備用于與電鍍?cè)O(shè)備電連接的接電點(diǎn)，該接電點(diǎn)用于在對(duì)半導(dǎo)體基體進(jìn)行后續(xù)電鍍處理時(shí)與電鍍?cè)O(shè)備電連接，以完成后續(xù)電鍍過(guò)程，從而降低了太陽(yáng)能電池的制造難度和成本，便于大規(guī)模的工業(yè)應(yīng)用。[0165] 此外，由于接電點(diǎn)設(shè)置在主柵待鍍區(qū)域中的第一分區(qū)中，無(wú)需在太陽(yáng)能電池表面的其他區(qū)域中單獨(dú)設(shè)置用于制備接電點(diǎn)的區(qū)域，使得最終形成的太陽(yáng)能電池的外觀更加美觀。[0166] 可選的，參照?qǐng)D3和圖5，半導(dǎo)體基體10可以包括半導(dǎo)體底板11，以及向光面絕緣鈍化層12、背光面絕緣鈍化層13，半導(dǎo)體底板11可以包括硅基底111、第一導(dǎo)電層112和第二導(dǎo)電層113，其中，第一導(dǎo)電層112和第二導(dǎo)電層113分別設(shè)置在硅基底111的向光面和背光面。[0167] 向光面絕緣鈍化層12設(shè)置在第一導(dǎo)電層112遠(yuǎn)離硅基底111的一面，且向光面絕緣鈍化層12中設(shè)置的細(xì)柵開口和主柵開口為貫穿結(jié)構(gòu)時(shí)，主柵開口和細(xì)柵開口暴露出位于向光面絕緣鈍化層12底部的第一導(dǎo)電層112，使得向光面中的細(xì)柵電極70能夠與第一導(dǎo)電層112接觸，向光面中的接電點(diǎn)40和主柵覆蓋種子層50能夠與第一導(dǎo)電層112接觸。

[0168] 背光面絕緣鈍化層13設(shè)置在第二導(dǎo)電層113遠(yuǎn)離硅基底111的一面，且背光面絕緣鈍化層13中設(shè)置的細(xì)柵開口和主柵開口為貫穿結(jié)構(gòu)時(shí)，主柵開口和細(xì)柵開口暴露出位于背光面絕緣鈍化層13底部的第二導(dǎo)電層113，使得背光面中的細(xì)柵電極70能夠與第二導(dǎo)電層113接觸，背光面中的接電點(diǎn)40和主柵覆蓋種子層50能夠與第二導(dǎo)電層113接觸。

[0169] 具體的，所述硅基底可以為具有第一導(dǎo)電類型的單晶硅片或多晶硅片，所述具有第一導(dǎo)電類型的單晶硅片或多晶硅片，可以為摻雜類型為n型摻雜的n型硅基底，也可以為摻雜類型p型摻雜的p型硅基底。第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層可以為摻雜濃度更高的導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層可以借助常規(guī)摻雜過(guò)程(擴(kuò)散)在硅基底中沉積摻雜劑形成，也可以是通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CD)過(guò)程、低壓CD(LPCD)、常壓CD(APCD)、等離子體增強(qiáng)型CD(PECD)、熱生長(zhǎng)、濺射以及任一其他所期望技術(shù)在硅基底的表面制備得到的導(dǎo)電層。[0170] 可選的，參照?qǐng)D3和圖5，半導(dǎo)體底板11還可以包括第一透明導(dǎo)電層114和第二透明導(dǎo)電層115，其中，第一透明導(dǎo)電層114設(shè)置在第一導(dǎo)電層112遠(yuǎn)離硅基底111的一面，第二透明導(dǎo)電層115設(shè)置在第二導(dǎo)電層113遠(yuǎn)離硅基底111的一面。[0171] 向光面絕緣鈍化層12設(shè)置在第一透明導(dǎo)電層114遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層112的一面，且向光面絕緣鈍化層12中設(shè)置的細(xì)柵開口和主柵開口為貫穿結(jié)構(gòu)時(shí)，主柵開口和細(xì)柵開口暴露出位于向光面絕緣鈍化層12底部的第一透明導(dǎo)電層114，使得向光面中的細(xì)柵電極70能夠與第一透明導(dǎo)電層114接觸，向光面中的接電點(diǎn)40和主柵覆蓋種子層50能夠與第一透明導(dǎo)電層114接觸。[0172] 背光面絕緣鈍化層13設(shè)置在第二透明導(dǎo)電層115遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電層113的一面，且背光面絕緣鈍化層13中設(shè)置的細(xì)柵開口和主柵開口為貫穿結(jié)構(gòu)時(shí)，主柵開口和細(xì)柵開口暴露出位于背光面絕緣鈍化層13底部的第二透明導(dǎo)電層115，使得背光面中的細(xì)柵電極70能夠與第二透明導(dǎo)電層115接觸，背光面中的接電點(diǎn)40和主柵覆蓋種子層50能夠與第二透明導(dǎo)電層115接觸。[0173] 此外，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層、第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層、絕緣鈍化層、接電點(diǎn)、主柵覆蓋種子層，以及主柵電極和細(xì)柵電極均可以設(shè)置在太陽(yáng)能電池的背光面，從而減小太陽(yáng)能電池向光面中對(duì)太陽(yáng)光線的遮擋，提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。[0174] 需要說(shuō)明的是，上述太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池前驅(qū)體和太陽(yáng)能電池的制備方法對(duì)應(yīng)的部分可以參照，且具有相同或相似的有益效果。[0175] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種光伏組件，包括前述任一所述的太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池的兩側(cè)可以設(shè)置有封裝膠膜、蓋板、背板等。具有與前述的太陽(yáng)能電池相同或相似的有益效果。[0176] 上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式，上述的具體實(shí)施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。