權(quán)利要求書： 1.一種用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，所述方法包括以下步驟：

(a).通過制絨清洗工藝對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行制絨及清洗；

(b).通過本征PECD工藝在N型單晶硅片的正反兩面上分別形成第一本征非晶硅層以及第二本征非晶硅層；

(c).通過第一N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層上形成第一N型非晶微晶混合層；

(d).通過第二N型PECD工藝在所述第一N型非晶微晶混合層上形成第二N型非晶微晶混合層；

(e).通過第三N型PECD工藝在所述第二N型非晶微晶混合層上形成第三N型非晶微晶混合層；

(f).通過P型PECD工藝在所述第二本征非晶硅層上形成P型非晶硅層；

(g).通過反應(yīng)等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在所述第三N型非晶微晶混合層以及所述P型非晶硅層上分別形成第一透明導(dǎo)電膜以及第二透明導(dǎo)電膜；以及(h).通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述第一透明導(dǎo)電膜以及所述第二透明導(dǎo)電膜上分別形成第一電極以及第二電極；

其中所述第一N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～

3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm以及50～1000W，所述第二N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，所述第三N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～

20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，其中所述第三N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比為所述第二N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比的2～2.5倍；

所述第一N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為0～30％，所述第二N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為40～60％，所述第三N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為50～80％。

2.如權(quán)利要求1所述的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，其特征在于，所述第一N型非晶微晶混合層的厚度為1～5nm。

3.如權(quán)利要求1所述的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，其特征在于，所述第二N型非晶微晶混合層的厚度為3～20nm。

4.如權(quán)利要求1所述的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，其特征在于，所述第三N型非晶微晶混合層的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8。

5.如權(quán)利要求1所述的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，其特征在于，所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括13.56MHz或

40.68MHz，還包括2MHz，所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或40.68MHz。

6.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其包括具有第一表面和第二表面的N型單晶硅片，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池還包括依次層疊在所述第一表面上的第一本征非晶硅層、第一N型非晶微晶混合層、第二N型非晶微晶混合層、第三N型非晶微晶混合層、第一透明導(dǎo)電膜以及第一電極，還包括依次層疊上所述第二表面上的第二本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二透明導(dǎo)電膜以及第二電極；其中所述第一N型非晶微晶混合層、第二N型非晶微晶混合層以及第三N型非晶微晶混合層分別通過權(quán)利要求1中所述第一N型PECD工藝、所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝沉積形成；

其中所述第一N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為0～30％，所述第二N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為40～60％，所述第三N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為50～80％。

7.如權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述第一N型非晶微晶混合層的厚度為1～5nm。

8.如權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述第二N型非晶微晶混合層的厚度為3～20nm。

9.如權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述第三N型非晶微晶混合層的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8。

10.如權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括13.56MHz或40.68MHz，還包括

2MHz，所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為

13.56MHz或40.68MHz。

說明書： 用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法及異質(zhì)結(jié)太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及太陽能制造領(lǐng)域，特別涉及用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法及異質(zhì)結(jié)太陽能電池。背景技術(shù)[0002] 薄膜/晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池(以下簡(jiǎn)稱異質(zhì)結(jié)太陽能電池，又可稱HIT或HJT或SHJ太陽能電池)屬于第三代高效太陽能電池技術(shù)，它結(jié)合了晶體硅與硅薄膜的優(yōu)勢(shì)，具有轉(zhuǎn)換效率高、溫度系數(shù)低等特點(diǎn)，將會(huì)逐步替代PERC(PassivatedEmitterandRearCell)電池，成為光伏電池的主流。[0003] 異質(zhì)結(jié)電池采用非晶硅鈍化，可以得到較好的開路電壓和填充因子，目前量產(chǎn)效率在24.5％。微晶硅具有更好的電子遷移率，其對(duì)太陽光的吸收系數(shù)遠(yuǎn)大于非晶硅層，可以實(shí)現(xiàn)更高濃度的摻雜，能降低與透明導(dǎo)電膜ITO的接觸電阻，提高電池的填充因子和短路電流，因此異質(zhì)結(jié)電池量產(chǎn)效率進(jìn)一步提高需要進(jìn)行摻雜層的微晶化。[0004] 目前異質(zhì)結(jié)電池中微晶硅的成膜溫度為160～170℃，此溫度較低，使得初期微晶硅生長(zhǎng)過程中包含大量的非晶硅相，品質(zhì)比較差，會(huì)嚴(yán)重影響載流子的傳輸，導(dǎo)致電池效率比較低。為此，現(xiàn)有技術(shù)中采用極低速的成膜方法來提高微晶硅成膜品質(zhì)，但是成膜時(shí)間過長(zhǎng)，影響設(shè)備的產(chǎn)能。[0005] 因此，如何提供一種用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法及異質(zhì)結(jié)太陽能電池，以解決解決生產(chǎn)節(jié)拍過慢、產(chǎn)能較低、低溫下非晶硅薄膜品質(zhì)差的問題，提高電池效率，已成為業(yè)內(nèi)亟待解決的技術(shù)問題。發(fā)明內(nèi)容[0006] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，本發(fā)明提出了一種用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，所述方法包括以下步驟：[0007] (a).通過制絨清洗工藝對(duì)N型單晶硅片進(jìn)行制絨及清洗；[0008] (b).通過本征PECD工藝在N型單晶硅片的正反兩面上分別形成第一本征非晶硅層以及第二本征非晶硅層；[0009] (c).通過第一N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層上形成第一N型非晶微晶混合層；[0010] (d).通過第二N型PECD工藝在所述第一N型非晶微晶混合層上形成第二N型非晶微晶混合層；[0011] (e).通過第三N型PECD工藝在所述第二N型非晶微晶混合層上形成第三N型非晶微晶混合層；[0012] (f).通過P型PECD工藝在所述第二本征非晶硅層上形成P型非晶硅層；[0013] (g).通過反應(yīng)等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在所述第三N型非晶微晶混合層以及所述P型非晶硅層上分別形成第一透明導(dǎo)電膜以及第二透明導(dǎo)電膜；以及[0014] (h).通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述第一透明導(dǎo)電膜以及所述第二透明導(dǎo)電膜上分別形成第一電極以及第二電極；[0015] 其中所述第一N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm、50～1000W，所述第二N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm、1500～

10000W，所述第三N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm、1500～10000W，其中所述第三N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比為所述第二N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比的2～

2.5倍。

[0016] 在一實(shí)施例中，所述第一N型非晶微晶混合層的厚度為1～5nm，其中微晶硅所占比率為0～30％。[0017] 在一實(shí)施例中，所述第二N型非晶微晶混合層的厚度為3～20nm，其中微晶硅所占比率為40～60％。[0018] 在一實(shí)施例中，所述第三N型非晶微晶混合層的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8，其中微晶硅所占比率為50～80％。

[0019] 在一實(shí)施例中，所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括2MHz，還包括13.56MHz或40.68MHz，所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或40.68MHz。[0020] 本發(fā)明還提供一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其包括具有第一表面和第二表面的N型單晶硅片，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池還包括依次層疊在所述第一表面上的第一本征非晶硅層、第一N型非晶微晶混合層、第二N型非晶微晶混合層、第三N型非晶微晶混合層、第一透明導(dǎo)電膜以及第一電極，還包括依次層疊上所述第二表面上的第二本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二透明導(dǎo)電膜以及第二電極；其中所述第一N型非晶微晶混合層、第二N型非晶微晶混合層以及第三N型非晶微晶混合層分別通過權(quán)利要求1中所述第一N型PECD工藝、所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝沉積形成。[0021] 在一實(shí)施例中，所述第一N型非晶微晶混合層的厚度為1～5nm，其中微晶硅所占比率為0～30％。[0022] 在一實(shí)施例中，所述第二N型非晶微晶混合層的厚度為3～20nm，其中微晶硅所占比率為40～60％。[0023] 在一實(shí)施例中，所述第三N型非晶微晶混合層的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8，其中微晶硅所占比率為50～80％。

[0024] 在一實(shí)施例中，所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括13.56MHz或40.68MHz，還包括2MHz，所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或40.68MHz。[0025] 與現(xiàn)有技術(shù)中微晶硅的成膜溫度較低且對(duì)應(yīng)工藝未劃分明顯階段相比，本發(fā)明的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法先通過第一N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層上形成第一N型非晶微晶混合層；然后通過第二N型PECD工藝在所述第一N型非晶微晶混合層上形成第二N型非晶微晶混合層；接著通過第三N型PECD工藝在所述第二N型非晶微晶混合層上形成第三N型非晶微晶混合層；其中所述第一N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm、50～

1000W，所述第二N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～

1000sccm、50～500sccm、1500～10000W，所述第三N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm、1500～

10000W。本發(fā)明能解決生產(chǎn)節(jié)拍過慢、產(chǎn)能較低、低溫下非晶硅薄膜品質(zhì)差的問題，提高電池效率。

附圖說明[0026] 在結(jié)合以下附圖閱讀本公開的實(shí)施例的詳細(xì)描述之后，能夠更好地理解本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)。在附圖中，各組件不一定是按比例繪制，并且具有類似的相關(guān)特性或特征的組件可能具有相同或相近的附圖標(biāo)記。[0027] 圖1為本發(fā)明的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法的流程示意圖。[0028] 圖2為通過圖1所示的方法制成的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的組成結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方案

[0029] 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述，以便更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)理解的是，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例描述的諸方面僅是示例性的，而不應(yīng)被理解為對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍進(jìn)行任何限制。除非上下文明確地另外指明，否則單數(shù)形式“一”和“所述”包括復(fù)數(shù)指代物。需要說明的是，在本文中，諸如“第一”和“第二”等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。[0030] 參見圖1，其為本發(fā)明的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法的流程示意圖。如圖2所示，其顯示了通過圖1所示的制造方法形成的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的組成結(jié)構(gòu)。如圖2所示，異質(zhì)結(jié)太陽能電池2包括具有第一表面S1和第二表面S2的N型單晶硅片20，所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池2還包括依次層疊在所述第一表面S1上的第一本征非晶硅層21、第一N型非晶微晶混合層22、第二N型非晶微晶混合層23、第三N型非晶微晶混合層24、第一透明導(dǎo)電膜25和第一電極26，還包括依次層疊上所述第二表面S2上的第二本征非晶硅層27、P型非晶硅層28、第二透明導(dǎo)電膜29和第二電極30。[0031] 所述第一N型非晶微晶混合層22的厚度為1～5nm，其中微晶硅所占比率為0～30％。所述第二N型非晶微晶混合層23的厚度為3～20nm，其中微晶硅所占比率為40～60％。

所述第三N型非晶微晶混合層24的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8，其中微晶硅所占比率為50～80％。

[0032] 所述第一本征非晶硅層21以及第二本征非晶硅層27各自可以包括第一本征非晶硅子層、第二本征非晶硅子層以及第三本征非晶硅子層，形成第一本征非晶硅子層以及第二本征非晶硅子層的PECD工藝均為純硅烷氛圍，不摻雜氫氣，形成第一本征非晶硅子層時(shí)的射頻功率高于形成第二本征非晶硅子層的射頻功率。形成第三本征非晶硅子層的PECD工藝中硅烷與氫氣的流量或體積比為1:5～1:10。[0033] 所述第一N型非晶微晶混合層22通過圖1中的第一N型PECD工藝形成，所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括13.56MHz或40.68MHz，還包括2MHz，即所述射頻頻率為13.56MHz與2MHz的混合頻率，或者40.68MHz與

2MHz的混合頻率。第二N型非晶微晶23混合層通過圖1中第二N型PECD工藝形成，第三N型非晶微晶混合層24通過圖1中第三N型PECD工藝沉積形成。所述第二N型PECD工藝以及所述第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或40.68MHz。具體請(qǐng)參見下文中的描述。

[0034] 繼續(xù)參見圖1，并結(jié)合參見圖2，所述用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法10首先進(jìn)行步驟S100，通過制絨清洗工藝對(duì)N型單晶硅片20進(jìn)行制絨及清洗。在本實(shí)施例中，步驟S100中可通過堿腐蝕溶液(例如氫氧化鈉溶液、異丙醇和Na2SiO3的混合液)對(duì)單晶硅片進(jìn)行去損傷層和形成類似金字塔形的絨面。[0035] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S110，通過本征PECD工藝在N型單晶硅片20的正反兩面S1和S2上分別形成第一本征非晶硅層21以及第二本征非晶硅層27。步驟S110中的第一本征非晶硅層21以及第二本征非晶硅層27的形成可以在同一步驟中進(jìn)行，也可以在不同的步驟中進(jìn)行。步驟S110沉積形成的第一本征非晶硅層21、第二本征非晶硅層27的厚度均可為4～10nm(納米)，所述第一本征非晶硅層21以及第二本征非晶硅層27各自可以包括第一本征非晶硅子層、第二本征非晶硅子層以及第三本征非晶硅子層，形成第一本征非晶硅子層以及第二本征非晶硅子層的PECD工藝均為純硅烷氛圍，不摻雜氫氣，形成第一本征非晶硅子層時(shí)的射頻功率高于形成第二本征非晶硅子層的射頻功率。形成第三本征非晶硅子層的PECD工藝中硅烷與氫氣的流量或體積比為1:5～1:10。[0036] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S120，通過第一N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層21上形成第一N型非晶微晶混合層22，其中所述第一N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～3000sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘)、50～5000sccm、50～500sccm、0～

200sccm、50～1000W。步驟S120形成的所述第一N型非晶微晶混合層22的厚度為1～5nm，其中微晶硅所占比率為0～30％。步驟S120中的所述第一N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率包括兩種，其中較低的射頻頻率為2MHz，較高的射頻頻率為13.56MHz或40.68MHz。

[0037] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S130，通過第二N型PECD工藝在所述第一N型非晶微晶混合層22上形成第二N型非晶微晶混合層23，所述第二N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm、1500～10000W。步驟S130中所述第二N型非晶微晶混合層的厚度為3～20nm，其中微晶硅所占比率為40～60％。步驟S130中所述第二N型PECD工藝中用于將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體的射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或

40.68MHz。

[0038] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S140，通過第三N型PECD工藝在所述第二N型非晶微晶混合層23上形成第三N型非晶微晶混合層24，所述第三N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時(shí)間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫、二氧化碳、射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm、1500～10000W，其中所述第三N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比為所述第二N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比的2～2.5倍。步驟S140中的所述第三N型非晶微晶混合層

24的厚度為1～10nm，折射率為2.7～2.8，其中微晶硅所占比率為50～80％。步驟S140中的第三N型PECD工藝中射頻電源的射頻頻率均為13.56MHz或40.68MHz。

[0039] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S150，通過P型PECD工藝在所述第二本征非晶硅層27上形成P型非晶硅層28。在本實(shí)施例中，步驟S150中的沉積P型非晶硅層28時(shí)所需的氣體包括硅烷和硼烷乙硼烷或三甲基硼，沉積形成的P型非晶硅層15的厚度為4～10nm。[0040] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S160，通過反應(yīng)等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在第三N型非晶微晶混合層24以及P型非晶硅層28上分別形成第一透明導(dǎo)電膜25以及第二透明導(dǎo)電膜29。第一透明導(dǎo)電膜25以及第二透明導(dǎo)電膜29均可為氧化銦錫ITO或ZnO基或IWO或ITIO透明導(dǎo)電薄膜，其可以通過濺射的方式沉積在第三N型非晶微晶混合層24以及P型非晶硅層28上。[0041] 方法10繼續(xù)進(jìn)行步驟S170，通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述第一透明導(dǎo)電膜25以及所述第二透明導(dǎo)電膜29上分別形成第一電極26以及第二電極30。第一電極26以及第二電極30可由業(yè)界通常使用的銀漿絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)而成。[0042] 本發(fā)明的用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法首先通過本征PECD工藝在N型單晶硅片的正反兩面上分別形成第一本征非晶硅層以及第二本征非晶硅層；然后通過第一N型PECD工藝、第二N型PECD工藝、第三N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層上依次形成第一N型非晶微晶混合層、第二N型非晶微晶混合層、第三N型非晶微晶混合層；接著通過P型PECD工藝在所述第二本征非晶硅層上形成P型非晶硅層；然后通過反應(yīng)等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在所述第三N型非晶微晶混合層以及所述P型非晶硅層上分別形成第一透明導(dǎo)電膜以及第二透明導(dǎo)電膜；最后通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述第一透明導(dǎo)電膜以及所述第二透明導(dǎo)電膜上分別形成第一電極以及第二電極。本發(fā)明能解決解決生產(chǎn)節(jié)拍過慢、產(chǎn)能較低、低溫下非晶硅薄膜品質(zhì)差的問題，提高電池效率。[0043] 上述實(shí)施例是提供給熟悉本領(lǐng)域內(nèi)的人員來實(shí)現(xiàn)或使用本發(fā)明的，熟悉本領(lǐng)域的人員可在不脫離本發(fā)明的發(fā)明思想的情況下，對(duì)上述實(shí)施例做出種種修改或變化，因而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不被上述實(shí)施例所限，而應(yīng)該是符合權(quán)利要求書提到的創(chuàng)新性特征的最大范圍。