本發(fā)明涉及金屬基
復(fù)合材料技術(shù),旨在提供一種高導(dǎo)電銀基復(fù)合材料的原料配方及制備方法。該原料配方是由重量百分含量計算的下述組分組成:銀粉80~88%、炭黑粉體1~18%、納米氧化銅粉體1~10%、納米碳化鈦0.5~10%、分散劑0.1~2%。采用本發(fā)明方法制備獲得的高導(dǎo)電銀基復(fù)合材料,由于含有導(dǎo)電性能優(yōu)異的增強相材料和微觀導(dǎo)電通道,其電阻率最低可達1.9μΩ·cm,延伸率達22%以上。本發(fā)明不會對環(huán)境造成污染,工藝簡單、成本較低。與現(xiàn)有技術(shù)中研究和使用最多的環(huán)保型銀金屬氧化物相比,在達到同等性能的條件下,可顯著降低銀的使用量,以節(jié)約貴金屬資源。
聲明:
“高導(dǎo)電銀基復(fù)合材料的原料配方及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)