本發(fā)明屬于微電子器件技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種超晶格鐵電憶阻器,包括自下而上依次堆疊的下電極層、功能層和上電極層,其中,所述功能層是由至少一個(gè)超晶格單元構(gòu)成的超晶格功能層,每一個(gè)超晶格單元是由第一
功能材料和第二功能材料自下而上依次堆疊形成;該功能層中任意一個(gè)由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能層的厚度均滿足0.6?5nm;第一功能材料為HfO2,第二功能材料為ZrO2或Al2O3。本發(fā)明通過對器件功能層結(jié)構(gòu)及組成進(jìn)行改進(jìn),區(qū)別于傳統(tǒng)金屬摻雜HfO2基鐵電憶阻器,采用堆疊生長超晶格HfO2層和ZrO2層(或Al2O3層)作為鐵電憶阻器功能層,具有良好的鐵電性和憶阻特性。
聲明:
“基于HfO2/ZrO2或HfO2/Al2O3超晶格鐵電憶阻器及其制備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)