本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。所述方法包括:提供第一襯底,所述第一襯底具有第一表面和與之相對的第二表面,在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成有
功能材料層,在所述功能材料層內(nèi)形成有晶體管和第一互連結(jié)構(gòu);形成內(nèi)嵌于所述功能材料層表面的第一頂部金屬層、第二頂部金屬層和第三頂部金屬層,所述第一頂部金屬層與所述第一互連結(jié)構(gòu)電連接;提供第二襯底,將第二襯底與所述功能材料層相接合;從所述第二表面一側(cè)對所述第一襯底進(jìn)行減薄處理;同時形成第二金屬層和導(dǎo)電插塞,并且所述第二金屬層與所述第二頂部金屬層電連接,所述導(dǎo)電插塞與所述第三頂部金屬層電連接。所述方法工藝步驟更加簡單,提高了器件的性能和良率。
聲明:
“半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)