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高溫相硼硅酸鑭晶體的生長方法及應(yīng)用

867   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:02:31
本發(fā)明公開了一種高溫相硼硅酸鑭晶體的生長方法,高溫相硼硅酸鑭晶體為β?La1?yLnyBSiO5晶體,其采用高溫助熔劑法制備,所用復(fù)合助熔劑體系為:(La1?yLny)BO3?LiMoO4?SiO2?B2O3,體系中(La1?yLny)BO3、LiMoO4、SiO2和B2O3的摩爾百分比分別為x1、x2、x3、x4,其中,0<x1<0.3,0.7≤x2<1,0<x3<0.3,x1+x2+x3=1,x1:x4=2:1~4:1。本發(fā)明解決了因相變導(dǎo)致β?LaBSiO5晶體生長困難的問題,該晶體在退火過程中不發(fā)生相變,在室溫可穩(wěn)定存在,是一種光功能材料,在激光、太赫茲等領(lǐng)域有廣泛用途。
聲明:
“高溫相硼硅酸鑭晶體的生長方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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