本發(fā)明公開了一種高溫相硼硅酸鑭晶體的生長方法,高溫相硼硅酸鑭晶體為β?La
1?yLn
yBSiO
5晶體,其采用高溫助熔劑法制備,所用復(fù)合助熔劑體系為:(La
1?yLn
y)BO
3?LiMoO
4?SiO
2?B
2O
3,體系中(La
1?yLn
y)BO
3、LiMoO
4、SiO
2和B
2O
3的摩爾百分比分別為x
1、x
2、x
3、x
4,其中,0<x
1<0.3,0.7≤x
2<1,0<x
3<0.3,x
1+x
2+x
3=1,x
1:x
4=2:1~4:1。本發(fā)明解決了因相變導(dǎo)致β?LaBSiO
5晶體生長困難的問題,該晶體在退火過程中不發(fā)生相變,在室溫可穩(wěn)定存在,是一種光
功能材料,在激光、太赫茲等領(lǐng)域有廣泛用途。
聲明:
“高溫相硼硅酸鑭晶體的生長方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)