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高介電常數(shù)低介電損耗聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜及制備方法

1142   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:05:01
本發(fā)明涉及一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。近年來,高介電常數(shù)和低介電損耗的介電功能材料由于其在電子行業(yè)和能源儲(chǔ)存方面的廣泛應(yīng)用而得到了巨大的關(guān)注。一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜,其組成包括:純聚偏氟乙烯層(1)、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層(2),其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。本發(fā)明應(yīng)用于高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。
聲明:
“高介電常數(shù)低介電損耗聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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