本發(fā)明屬于Bi2O2Se二維
功能材料的生長工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種實現(xiàn)Bi2O2Se微米梯臺的化學(xué)氣相沉積的制備方法,本發(fā)發(fā)明突破了現(xiàn)在基底及制備工藝生長Bi2O2Se的局限性,選用具有較大晶格差異的(0001)取向Al2O3基片作為襯底,綜合控制氣體流速、前驅(qū)物?基片的間距、沉積氣壓、成核時間和溫度以及生長時間和溫度等參數(shù),結(jié)合高溫擴散成核、低溫結(jié)晶生長的制備技術(shù),實現(xiàn)了形狀和尺寸可控的Bi2O2Se微米梯臺的制備。該方法能夠通過綜合調(diào)控生長條件,獲得平面生長、傾斜生長的Bi2O2Se微米梯臺,橫向尺寸從幾微米到幾十微米可控。本發(fā)明具有參數(shù)控制簡便,重復(fù)性高,無毒害廢氣排放的優(yōu)點。
聲明:
“實現(xiàn)Bi2O2Se微米梯臺的化學(xué)氣相沉積的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)