本發(fā)明涉及半導體
功能材料技術領域,特別涉及一種非閃爍量子點及其制備方法。本發(fā)明將殼層生長溫度控制在比核體生長溫度高5~80℃,使殼層源各組分在高溫條件下反應,促進殼層源各離子的相互滲透,消除殼層晶體內(nèi)部的缺陷,進而得到晶相穩(wěn)定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空氣中的氧氣氧化;同時,本發(fā)明還通過殼層源添加方式的設置,避免殼層源的各組分單獨成核,進而得到以富集ZnSe材料為殼層的核殼結構量子點。利用上述方案得到的量子點的亮態(tài)比為90~100%,屬于典型的非閃爍量子點。
聲明:
“非閃爍量子點及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)