本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的電阻存儲器及其制備方法,該方法包括:在常規(guī)CMOS工藝完成前段工藝至鎢栓塞形成后,沉積金屬層間介質(zhì)層;之后將存儲陣列部分鎢栓塞上方的介質(zhì)層打開,形成與鎢栓塞部分錯開的孔洞,露出一部分鎢栓塞;隨后生長金屬氧化物
功能材料、電極材料、擴散阻擋層、仔晶銅以及電鍍銅,最后用化學(xué)機械拋光形成存儲單元。本發(fā)明方法可以實現(xiàn)突破常規(guī)光刻工藝的器件尺寸,且有助于固定電阻存儲器導(dǎo)電細(xì)絲的形成位置,增強器件的均一性。
聲明:
“集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的電阻存儲器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)