本發(fā)明涉及一種基于晶體管和憶阻器的模擬聯(lián)想學(xué)習(xí)電路及控制方法,nMOS管、憶阻器、定值電阻進(jìn)行串聯(lián),nMOS管的漏極連接憶阻器的頂電極,憶阻器的底電極連接定值電阻的一端,定值電阻另一端接入地,反向器接在nMOS管的柵極與源極之間,示波器與定值電阻并聯(lián),模擬食物刺激信號輸入端和模擬鈴聲刺激信號輸入端均與反相器、nMOS管連接;nMOS管柵極為控制信號輸入端;本發(fā)明通過電壓脈沖疊加來獲得憶阻器在高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換,并通過檢測輸出電平來確定是否發(fā)生了聯(lián)合學(xué)習(xí);不僅模擬聯(lián)想學(xué)習(xí)實驗中的學(xué)習(xí),記憶和退滅這三個經(jīng)典過程,還模擬了條件刺激和非條件刺激之間的時間間隔對記憶時間的影響。
聲明:
“基于晶體管和憶阻器的模擬聯(lián)想學(xué)習(xí)電路及控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)