本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法,所述方法包括:提供基底,在所述基底上形成有若干相互間隔的核結(jié)構(gòu);將兩兩相鄰的所述核結(jié)構(gòu)歸為一組,使用硬掩膜層至少填充一組所述核結(jié)構(gòu)之間的間隙;在所述核結(jié)構(gòu)的裸露側(cè)壁上形成間隙壁,其中所述硬掩膜層沿所述核結(jié)構(gòu)排列方向上的尺寸不同于所述間隙壁的厚度;去除所述核結(jié)構(gòu);以所述間隙壁和所述硬掩膜層為掩膜蝕刻所述基底,以在所述基底中形成尺寸不同的核圖案。所述方法可以制備尺寸不同的圖案,從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中尺寸單一的圖案,并且所述方法更加簡(jiǎn)單。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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