本發(fā)明涉及一種制備三維互穿結(jié)構(gòu)3D?SiC/Al
復(fù)合材料的方法,包括3D?SiC預(yù)制件制備及后續(xù)無壓熔滲制備3D?SiC/Al復(fù)合材料過程。其中,3D?SiC預(yù)制件應(yīng)用在后續(xù)的無壓熔滲3D?SiC/A復(fù)合材料時,根據(jù)所用的
鋁合金成分可對其進(jìn)行或不進(jìn)行氧化預(yù)處理。本發(fā)明的復(fù)合材料中SiC含量在50~73vol%,復(fù)合材料的密度可達(dá)2.90~3.1g/cm2,熱導(dǎo)率達(dá)到232W/(m·℃),熱膨脹系數(shù)低至5.72×10?6/℃,抗彎強度可達(dá)330MPa,綜合性能滿足電子封裝材料必須具有的低膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率和足夠的抗彎強度等技術(shù)性能要求。
聲明:
“制備三維互穿結(jié)構(gòu)3D-SiC/Al復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)