f/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用,復(fù)合材料"> f/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種原位生長SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用,所述制備方法為將含金屬鍍層的石墨片與碳纖維預(yù)制體在不接觸的情況下共同置于化學(xué)氣相沉積爐,通過化學(xué)氣相沉積于碳纖維預(yù)制體的孔隙及表面原位生長SiC納米線,獲得帶SiC納米線的SiC纖維預(yù)制體,再通過化學(xué)氣相沉積獲得SiC基體,即得SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料,本發(fā)明通過間接引入金屬催化劑,金屬催化劑呈氣相擴(kuò)散到SiC纖維預(yù)制體的表面以及內(nèi)部孔隙,催化劑分">

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原位生長SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用

828   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:12:01
本發(fā)明公開了一種原位生長SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用,所述制備方法為將含金屬鍍層的石墨片與碳纖維預(yù)制體在不接觸的情況下共同置于化學(xué)氣相沉積爐,通過化學(xué)氣相沉積于碳纖維預(yù)制體的孔隙及表面原位生長SiC納米線,獲得帶SiC納米線的SiC纖維預(yù)制體,再通過化學(xué)氣相沉積獲得SiC基體,即得SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料,本發(fā)明通過間接引入金屬催化劑,金屬催化劑呈氣相擴(kuò)散到SiC纖維預(yù)制體的表面以及內(nèi)部孔隙,催化劑分布更加均勻,催化生長的SiC納米線密度適中。得到的含SiC納米線SiCf/SiC復(fù)合材料,最大壓潰載荷可達(dá)1175.0N,與現(xiàn)有技術(shù)中的SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料相比,本發(fā)明所得管狀SiCf/SiC復(fù)合材料壓潰性能大幅提升。
聲明:
“原位生長SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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