一種單壁
碳納米管垂直陣列-碳納米洋蔥
復(fù)合材料制備方法及其在超級(jí)電容器中的應(yīng)用,屬于碳
納米材料技術(shù)領(lǐng)域。底層為硅片,硅片上為垂直單壁碳納米管陣列,垂直單壁碳納米管陣列的頂端為碳納米洋蔥結(jié)構(gòu)。先在硅片上垂直生長(zhǎng)單壁碳納米管陣列,在單壁碳納米管陣列的頂端蒸鍍Si層,然后利用Si層生長(zhǎng)碳納米洋蔥結(jié)構(gòu)。單壁碳納米管垂直陣列-碳納米洋蔥復(fù)合材料除去底層硅片后用于超級(jí)電容器中。
聲明:
“單壁碳納米管垂直陣列-碳納米洋蔥復(fù)合材料制備方法及其在超級(jí)電容器中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)