一種SiC
P增強鎂基
復合材料的制備方法,屬于鎂基復合材料技術領域。其特征是按以下步驟進行:一、將氮化硼坩堝放置在高頻感應爐的真空箱體內,氮化硼坩堝與鉬電極相連,氮化硼坩堝內裝有16mm×16mm×30mm的鎂合金樣品件,鎂合金上表面放置表面鍍有一層厚度為0.095μm薄銅、顆粒度為10μm的SiCp;二、用高頻感應爐對真空環(huán)境下的樣品進行加熱至700℃,使樣品件全部熔化;三、對金屬熔體進行保溫處理,保溫時間為10min;四、待保溫時間結束后,對保溫后的金屬熔體施加電脈沖,作用時間為10min。優(yōu)點是工藝高效可靠,可以獲得更均勻的組織,并可以對SiC
P的顆粒度以及體積分數量進行調控,可實現(xiàn)工業(yè)化生產。
聲明:
“SiCP增強鎂基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)