3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法,復(fù)合材料"> 3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法,本發(fā)明涉及一種透波型Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法,在不同密度的Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料內(nèi)部孔隙或表面采用循環(huán)浸漬?CVI或者多次Dip?coating的方法引入不同體積分?jǐn)?shù)的Si3N4晶須漿料涂層;最后根據(jù)引入的Si3N4晶須體積分?jǐn)?shù),在合適的沉積溫度、沉積時間范圍內(nèi)在Si3N4w涂層表面CVD?Si3N4保護(hù)層,獲得與基體結(jié)合良好的晶須Si3N4晶須涂層。通過在Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面引入一種涂層結(jié)構(gòu),來改善其環(huán)">

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透波型Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法

1043   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:16:02
本發(fā)明涉及一種透波型Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法,在不同密度的Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料內(nèi)部孔隙或表面采用循環(huán)浸漬?CVI或者多次Dip?coating的方法引入不同體積分?jǐn)?shù)的Si3N4晶須漿料涂層;最后根據(jù)引入的Si3N4晶須體積分?jǐn)?shù),在合適的沉積溫度、沉積時間范圍內(nèi)在Si3N4w涂層表面CVD?Si3N4保護(hù)層,獲得與基體結(jié)合良好的晶須Si3N4晶須涂層。通過在Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面引入一種涂層結(jié)構(gòu),來改善其環(huán)境性能不足等缺點(diǎn)。通過調(diào)控漿料Si3N4w體積分?jǐn)?shù)、Si3N4w引入時機(jī)、浸漬次數(shù)控制漿料涂層厚度,控制沉積溫度及沉積時間來控制CVD?Si3N4的滲透性及厚度,有助于填充由預(yù)制體結(jié)構(gòu)殘留的孔隙以及CVI瓶頸工藝的孔隙,提高復(fù)合材料的致密度,提高復(fù)合材料的防吸潮、耐磨、抗氧化及抗燒蝕等性能。
聲明:
“透波型Si3N4f/Si3N4復(fù)合材料表面涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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