本發(fā)明提供了一種AlN?W?Cu
復(fù)合材料以及制備該AlN?W?Cu復(fù)合材料的方法?;?00wt%的復(fù)合材料的總重量,AlN的含量為1wt%~20wt%;W的含量為50wt%~85wt%;以及Cu的含量為10wt%~35wt%。所述AlN?W?Cu復(fù)合材料具有Cu填充在多孔W?AlN骨架中的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的AlN?W?Cu復(fù)合材料克服傳統(tǒng)的W?Cu復(fù)合材料因高密度影響其加工和應(yīng)用的缺點(diǎn),使復(fù)合材料具有更寬的密度范圍,提高材料的可加工性,并且滿足電子元件小型化和輕量化的要求,拓寬W?Cu復(fù)合材料的應(yīng)用范圍,可應(yīng)用于電子封裝、半導(dǎo)體散熱片等領(lǐng)域。
聲明:
“AlN-W-Cu復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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