3N4包覆NiCo2O4復合材料、制備方法及其應(yīng)用,復合材料"> 3N4包覆NiCo2O4復合材料、制備方法及其應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種g?C3N4包覆NiCo2O4納米復合材料及其制法,首先是將NiCo2O4生長在集流體上,然后將g?C3N4生長在所述NiCo2O4的表面,形成對NiCo2O4的包覆,從而得到g?C3N4包覆NiCo2O4復合材料,本發(fā)明創(chuàng)造性的利用g?C3N4在超級電容器中的N型“空穴”缺陷,能夠非常牢固的包覆在NiCo2O4上形成包覆膜,最終得到核殼結(jié)構(gòu)的g?C3N4包覆NiCo2O4復合材料,且本發(fā)明將g?C3N4包覆NiCo2O4能充分利用g?C3">
位置:中冶有色 >
> g-C3N4包覆NiCo2O4復合材料、制備方法及其應(yīng)用