本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅增強(qiáng)鋁基
復(fù)合材料的制備方法,包括初步堿洗:用于去除Si、SiO2夾渣和SiC表面形成的SiO2薄膜;刻蝕:對(duì)碳化硅顆粒表面進(jìn)行刻蝕;浸泡前驅(qū)體溶液:獲得表面附著前驅(qū)體相的碳化硅顆粒;熱分解:獲得表面附著Ir?Cu復(fù)合層的碳化硅顆粒;無(wú)壓滲透:制得碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料。通過(guò)本發(fā)明所述碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法,可以實(shí)現(xiàn)在無(wú)壓滲透之前先在SiC表面形成一層Ir?Cu復(fù)合層,能有效改善增強(qiáng)相顆粒界面與
鋁合金液相界面的附著程度,進(jìn)而減少兩相間產(chǎn)生的孔隙,宏觀上表現(xiàn)為復(fù)合材料的熱導(dǎo)率提高。
聲明:
“碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)