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提高2D-C/SiC復(fù)合材料基體開裂應(yīng)力的方法

937   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:22:01
本發(fā)明提出一種提高2D-C/SiC復(fù)合材料基體開裂應(yīng)力的方法,對2D-C/SiC復(fù)合材料進(jìn)行2-3個周期的預(yù)蠕變處理,預(yù)蠕變溫度為1400℃-1600℃,在達(dá)到預(yù)蠕變溫度后,保溫0.5-1h,保溫結(jié)束后,對2D-C/SiC復(fù)合材料進(jìn)行加載,加載應(yīng)力為σ,σ取0.6~1倍的σmax,σmax為2D-C/SiC復(fù)合材料原始基體開裂應(yīng)力的上限值;加載應(yīng)力保持時間不小于8小時,而后對2D-C/SiC復(fù)合材料卸載并降至室溫,降溫速率不大于12℃/min。本發(fā)明通過對2D-C/SiC復(fù)合材料預(yù)蠕變處理,使材料的基體開裂應(yīng)力得到明顯提高,從而使材料的蠕變壽命得到顯著地提高。
聲明:
“提高2D-C/SiC復(fù)合材料基體開裂應(yīng)力的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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