本發(fā)明提供了一種N摻雜的多孔硅基復(fù)合材料及其制備方法和用途，所述多孔硅基復(fù)合材料中的N來源為含有一個或多個氨烴基支鏈的有機硅氧烷單體，即來源于所述有機硅氧烷單體中的氨烴基支鏈，所述N元素的摻雜顯著提高了該多孔硅基復(fù)合材料的導電性。所述多孔硅基復(fù)合材料在制備過程中任選地加入還原劑，所述還原劑的加入促進了由該有機硅氧烷單體為前驅(qū)體形成的硅氧化物的還原，使得生成的Si晶粒鑲嵌在未還原的硅氧化物基質(zhì)中，而該硅氧化物能夠緩沖Si晶粒在充放電中的體積效應(yīng)。所述多孔硅基復(fù)合材料在制備過程中經(jīng)HF的刻蝕，在該復(fù)合材料內(nèi)部形成大量的空隙，使其形成多孔硅基復(fù)合材料，同樣起到緩沖體積效應(yīng)的作用。