一種三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電
儲能納米
復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明涉及電子復(fù)合材料及
儲能材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明的目的在于提高聚合物基體介電常數(shù)的同時保持高的擊穿場強(qiáng)和低的介電損耗。三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料由兩層KTN/聚合物復(fù)合薄膜和一層高分子聚合物薄膜組成;方法:一、制備KTN/聚合物混合溶液;二、制備聚合物溶液;三、涂膜;四、成膜。本發(fā)明用于制備三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料。
聲明:
“三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)