本發(fā)明公開了一種 Fe3O4/Si納米多孔陣列
復(fù)合材料的制備方法,利用水熱法在單晶 硅上形成一層結(jié)構(gòu)均勻,硅納米微晶密度高且在硅納米微晶表 面原位生成一層熱穩(wěn)定性好的硅—金屬鍵鈍化層;利用微孔— 水熱法制備納米尺寸小,粒徑分散均勻且不團(tuán)聚的納米 Fe3O4粒子,然后利用旋轉(zhuǎn)噴涂法制備 Fe3O4/Si納米多孔陣列復(fù)合材料。用本發(fā)明制得的 Fe3O4/Si納米多孔陣列復(fù)合材料保持了硅納米多孔陣列納米顆 粒排列均勻,分散性好,微晶密度高的特點(diǎn),使 Fe3O4的磁性和濕敏性大大提高,該工藝儀器簡(jiǎn)單,成本低,效 果良好,適合手工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“Fe3O4/Si納米多孔陣列復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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