f/SiC復(fù)合材料的制備方法,復(fù)合材料"> f/SiC復(fù)合材料的制備方法,本發(fā)明公開了一種含納米增強(qiáng)體的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法,用于解決現(xiàn)有制備方法可控性差、纖維損傷嚴(yán)重、電泳沉積不均勻等技術(shù)問題。方案利用輔助電極改善電泳沉積工藝,在碳化硅纖維的界面層上快速均勻的沉積納米增強(qiáng)體,通過控制電泳參數(shù)實(shí)現(xiàn)對納米增強(qiáng)體在纖維界面層分布的精確控制,后續(xù)通過化學(xué)氣相沉積和浸漬裂解等工藝實(shí)現(xiàn)SiCf/SiC復(fù)合材料的致密化。本發(fā)明的制備方法簡單、工藝可控,對設(shè)備要求低,具有很好的應(yīng)用價(jià)值。所制備的SiCf/SiC復(fù)合材料具有優(yōu)異的">

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含納米增強(qiáng)體的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法

830   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:28:02
本發(fā)明公開了一種含納米增強(qiáng)體的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法,用于解決現(xiàn)有制備方法可控性差、纖維損傷嚴(yán)重、電泳沉積不均勻等技術(shù)問題。方案利用輔助電極改善電泳沉積工藝,在碳化硅纖維的界面層上快速均勻的沉積納米增強(qiáng)體,通過控制電泳參數(shù)實(shí)現(xiàn)對納米增強(qiáng)體在纖維界面層分布的精確控制,后續(xù)通過化學(xué)氣相沉積和浸漬裂解等工藝實(shí)現(xiàn)SiCf/SiC復(fù)合材料的致密化。本發(fā)明的制備方法簡單、工藝可控,對設(shè)備要求低,具有很好的應(yīng)用價(jià)值。所制備的SiCf/SiC復(fù)合材料具有優(yōu)異的抗氧化性能和力學(xué)性能。
聲明:
“含納米增強(qiáng)體的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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