本發(fā)明提供一種在C/SiC
復(fù)合材料表面制備SiC納米線的方法,包括以下步驟:首先,制備二氧化硅粉和碳粉的混合粉備用,然后對(duì)C/SiC復(fù)合材料樣品進(jìn)行噴砂處理,使其表面具有一定的粗糙度,接著采用PIP工藝在樣品表面引入碳源,最后,將制得的樣品懸空置于硅粉和碳粉的混合物上方,采用化學(xué)氣相反應(yīng)法在C/SiC復(fù)合材料表面制備SiC納米線,本發(fā)明首次在C/SiC復(fù)合材料表面引入碳源并成功制備了SiC納米線,解決了在C/SiC復(fù)合材料表面強(qiáng)韌化陶瓷涂層增韌相的制備問(wèn)題,并且SiC納米線能夠大量生成,使得SiC納米線完全覆蓋基體表面,本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,擴(kuò)寬了C/SiC復(fù)合材料的使用范圍。
聲明:
“在C/SiC復(fù)合材料表面制備SiC納米線的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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