本實(shí)用新型涉及一種增強(qiáng)型絕緣硅
復(fù)合材料,包含中間絕緣層;所述中間絕緣層的上表面和下表面分別設(shè)置有單晶硅片;所述中間絕緣層,包含二氧化硅基多元無(wú)機(jī)復(fù)合材料層;所述二氧化硅基多元無(wú)機(jī)復(fù)合材料層的上表面設(shè)置有第一二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元無(wú)機(jī)復(fù)合材料層的下表面設(shè)置有第二二氧化硅膜層;所述二氧化硅基多元無(wú)機(jī)復(fù)合材料層的材料的化學(xué)式為SiO2-ZnO-B2O3;本實(shí)用新型方案能夠保持有完整的單晶硅晶格結(jié)構(gòu),不需采用復(fù)雜昂貴設(shè)備,整體制備工藝簡(jiǎn)單、易行、低成本;所述中間絕緣層的各組分的厚度和深度分布可調(diào),電學(xué)性能優(yōu)良,且不需采用復(fù)雜昂貴設(shè)備,整體制備工藝簡(jiǎn)單、易行。
聲明:
“增強(qiáng)型絕緣硅復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)