本發(fā)明公開了一種應力水氧耦合環(huán)境單向陶瓷基
復合材料剩余強度與剩余剛度預測方法;方法確定單向SiC/SiC復合材料內(nèi)部水蒸氣與氧氣濃度、碳界面消耗長度及材料基體纖維氧化物厚度變化規(guī)律:結(jié)合水蒸氣與氧氣的擴散系數(shù),建立單向SiC/SiC復合材料在水氧耦合環(huán)境下的氧化動力學方程,結(jié)合水蒸氣及氧氣的邊界條件,求解方程得到水蒸氣及氧氣在材料內(nèi)部不同時刻不同位置處的濃度,基于水蒸氣及氧氣濃度求出界面消耗長度及氧化物厚度變化規(guī)律;本發(fā)明為單向SiC/SiC復合材料的安全使用提供理論支持,且計算過程簡潔有效,省去了實驗方法的時間和人力成本。
聲明:
“應力水氧耦合環(huán)境單向陶瓷基復合材料剩余強度與剩余剛度預測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)