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> 低膨脹硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
權(quán)利要求
1.低膨脹硅基復(fù)合材料,其特征在于,所述低膨脹硅基復(fù)合材料包括:多孔陶瓷和氧化亞硅; 其中, 氧化亞硅的化學(xué)式為SiO x,0<x<1.6; 所述低膨脹硅基復(fù)合材料以所述多孔陶瓷作為骨架,所述氧化亞硅分布在所述多孔陶瓷的孔隙內(nèi); 所述低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間; 所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種; 所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間; 所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間; 所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹硅基復(fù)合材料,其特征在于,所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%; 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹硅基復(fù)合材料,其特征在于,所述低膨脹硅基復(fù)合材料還包括碳包覆層;所述碳包覆層的質(zhì)量占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。 4.上述權(quán)利要求1-3任一所述的低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 將多孔陶瓷和氧化亞硅進(jìn)行復(fù)合,得到低膨脹硅基復(fù)合材料; 其中,所述復(fù)合的方法包括:液相法或固相法; 所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間;所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm- 20μm之間;所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間; 所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%; 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述液相法包括:將所述氧化亞硅均勻分散于有機(jī)溶劑中,得到預(yù)混溶液; 將所述多孔陶瓷加入到所述預(yù)混溶液中,繼續(xù)均勻分散,得到混合溶液; 將所述混合溶液置于高溫爐內(nèi),升溫至700℃-1000℃,保溫2小時(shí)-5小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到所述低膨脹硅基復(fù)合材料; 其中,所述有機(jī)溶劑包括:甲苯、無水乙醇、異丙醇、二甲基甲酰胺、環(huán)丁砜、乙二醇二甲醚、四氫呋喃、丙酮中的一種或多種; 所述均勻分散的設(shè)備包括:球磨機(jī)、分散機(jī)或超聲攪拌機(jī)中的一種。 6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述固相法包括:將所述多孔陶瓷和所述氧化亞硅置于球磨機(jī)中,在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,球磨混?0小時(shí)-48小時(shí),使所述氧化亞硅均勻分散于多孔陶瓷的孔隙中,得到前驅(qū)體材料; 將所述前驅(qū)體材料置于加熱爐內(nèi),在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,升溫?00℃-1000℃,保溫3小時(shí)-10小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚?,出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到所述低膨脹硅基復(fù)合材料; 其中,所述加熱爐包括:箱式加熱爐或管式加熱爐。 7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:對所述低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆; 所述碳包覆的方法包括:氣相包覆、液相包覆或固相包覆中的一種; 所述低膨脹硅基復(fù)合材料的碳包覆層的質(zhì)量占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。 8.負(fù)極極片,其特征在于,所述負(fù)極極片包括上述權(quán)利要求1-3任一所述的低膨脹硅基復(fù)合材料。 9.鋰電池,其特征在于,所述鋰電池包括上述權(quán)利要求8所述的負(fù)極極片。
說明書
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鋰離子電池材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低膨脹硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
近年來,由于下游需求的不斷增加,我國鋰電池負(fù)極材料的出貨量逐年增加。據(jù)統(tǒng)計(jì)及預(yù)測,2021年全球硅基負(fù)極材料市場銷售額達(dá)到了3.7億美元,預(yù)計(jì)2028年將達(dá)到18億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)為28.2%(2022-2028),2021年我國鋰電池負(fù)極材料出貨量為72萬噸,同比2020年增長97%左右,而中國作為全球最大的市場,會(huì)給硅基負(fù)極材料帶來巨大的發(fā)展空間。
石墨作為目前商業(yè)化應(yīng)用最廣的鋰離子電池負(fù)極材料,其實(shí)際比容量已接近理論比容量極限372mAh/g,在對能量密度要求逐步提升的行業(yè)背景下,硅基負(fù)極材料作為目前發(fā)現(xiàn)的理論克容量最高的負(fù)極材料,其中作為硅基負(fù)極中一類主要的負(fù)極材料—氧化亞硅,因具有較高的理論比容量(2680mAh/g)和相對較低的體積膨脹率(~160%),逐步成為產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。雖然氧化亞硅的體積膨脹率遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于硅負(fù)極的300%,但仍比石墨體積膨脹率的高10%,隨著鋰離子的嵌入和脫出,較大的體積膨脹率會(huì)導(dǎo)致硅材料粉化并與集流體脫離,使得負(fù)極導(dǎo)電性變差,影響鋰離子電池的循環(huán)性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,目的是解決氧化亞硅負(fù)極材料的較大的體積膨脹率和電池循環(huán)性能差的問題,通過將多孔陶瓷和氧化亞硅通過液相或固相的方式進(jìn)行復(fù)合,得到以多孔陶瓷為骨架,氧化亞硅在多孔陶瓷孔隙之中的硅基復(fù)合材料。因多孔陶瓷骨架具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和硬度,當(dāng)鋰離子嵌入時(shí),多孔陶瓷骨架結(jié)構(gòu)可以有效抑制氧化亞硅的體積膨脹,保持材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,從而實(shí)現(xiàn)電池的低體積膨脹率和高循環(huán)性能。本發(fā)明制備的低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間,有利于鋰電池的加工工藝。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料,所述低膨脹硅基復(fù)合材料包括:多孔陶瓷和氧化亞硅;
其中, 氧化亞硅的化學(xué)式為SiO x,0<x<1.6;
所述低膨脹硅基復(fù)合材料以所述多孔陶瓷作為骨架,所述氧化亞硅分布在所述多孔陶瓷的孔隙內(nèi);
所述低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間;
所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;
所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間;
所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間;
所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間。
優(yōu)選的,所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%;
所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。
優(yōu)選的,所述低膨脹硅基復(fù)合材料還包括碳包覆層;所述碳包覆層的質(zhì)量占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種上述第一方面所述的低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法,所述制備方法包括:
將多孔陶瓷和氧化亞硅進(jìn)行復(fù)合,得到低膨脹硅基復(fù)合材料;
其中,所述復(fù)合的方法包括:液相法或固相法;
所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間;所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間;所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間;
所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%;
所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。
優(yōu)選的,所述液相法包括:將所述氧化亞硅均勻分散于有機(jī)溶劑中,得到預(yù)混溶液;
將所述多孔陶瓷加入到所述預(yù)混溶液中,繼續(xù)均勻分散,得到混合溶液;
將所述混合溶液置于高溫爐內(nèi),升溫至700℃-1000℃,保溫2小時(shí)-5小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到所述低膨脹硅基復(fù)合材料;
其中,所述有機(jī)溶劑包括:甲苯、無水乙醇、異丙醇、二甲基甲酰胺、環(huán)丁砜、乙二醇二甲醚、四氫呋喃、丙酮中的一種或多種;
所述均勻分散的設(shè)備包括:球磨機(jī)、分散機(jī)或超聲攪拌機(jī)中的一種。
優(yōu)選的,所述固相法包括:將所述多孔陶瓷和所述氧化亞硅置于球磨機(jī)中,在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,球磨混?0小時(shí)-48小時(shí),使所述氧化亞硅均勻分散于多孔陶瓷的孔隙中,得到前驅(qū)體材料;
將所述前驅(qū)體材料置于加熱爐內(nèi),在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,升溫?00℃-1000℃,保溫3小時(shí)-10小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚隽虾筮M(jìn)行粉碎和篩分,得到所述低膨脹硅基復(fù)合材料;
其中,所述加熱爐包括:箱式加熱爐或管式加熱爐。
優(yōu)選的,所述制備方法還包括:對所述低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆;
所述碳包覆的方法包括:氣相包覆、液相包覆或固相包覆中的一種;
所述低膨脹硅基復(fù)合材料的碳包覆層的質(zhì)量占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。
第三方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種負(fù)極極片,所述負(fù)極極片包括上述第一方面所述的低膨脹硅基復(fù)合材料。
第四方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種鋰電池,所述鋰電池包括上述第三方面所述的負(fù)極極片。
本發(fā)明提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料,通過將多孔陶瓷和氧化亞硅通過液相或固相的方式進(jìn)行復(fù)合,得到以多孔陶瓷為骨架,氧化亞硅均勻分布在多孔陶瓷孔隙之中的硅基復(fù)合材料。因多孔陶瓷骨架具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和硬度,當(dāng)鋰離子嵌入時(shí),多孔陶瓷骨架結(jié)構(gòu)可以有效抑制氧化亞硅的體積膨脹,保持材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,從而實(shí)現(xiàn)電池的低體積膨脹率和高循環(huán)性能。本發(fā)明制備的低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間,有利于鋰電池的加工工藝。
附圖說明
下面通過附圖和實(shí)施例,對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)描述。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的液相法制備低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法流程圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的固相法制備低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法流程圖。
圖3 是本發(fā)明實(shí)施例1提供的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例7提供的低膨脹硅基復(fù)合材料的組裝的電池和對比例1的硅基負(fù)極材料組裝的電池循環(huán)曲線圖。
具體實(shí)施方式
下面通過附圖和具體的實(shí)施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明,但應(yīng)當(dāng)理解為這些實(shí)施例僅僅是用于更詳細(xì)說明之用,而不應(yīng)理解為用以任何形式限制本發(fā)明,即并不意于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
本發(fā)明提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料,包括:多孔陶瓷和氧化亞硅;其中, 氧化亞硅的化學(xué)式為SiO x,0<x<1.6;低膨脹硅基復(fù)合材料以多孔陶瓷作為骨架,氧化亞硅分布在多孔陶瓷的孔隙內(nèi);低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間。
多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間;多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm- 20μm之間;孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間。
氧化亞硅的粒徑Dv50在1nm-10μm之間,氧化亞硅占低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%;多孔陶瓷占低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。
在可選的方案中,低膨脹硅基復(fù)合材料還包括碳包覆層;碳包覆層的質(zhì)量占低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種上述低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法,制備方法包括:
將多孔陶瓷和氧化亞硅進(jìn)行復(fù)合,得到低膨脹硅基復(fù)合材料;其中,復(fù)合的方法包括:液相法或固相法。
當(dāng)制備方法采用液相法時(shí),制備過程如圖1所示,具體包括以下步驟。
步驟110,將氧化亞硅均勻分散于有機(jī)溶劑中,得到預(yù)混溶液。
其中,氧化亞硅的粒徑Dv50在1nm-10μm之間;
有機(jī)溶劑包括:甲苯、無水乙醇、異丙醇、二甲基甲酰胺、環(huán)丁砜、乙二醇二甲醚、四氫呋喃、丙酮中的一種或多種。
均勻分散的設(shè)備包括:球磨機(jī)、分散機(jī)或超聲攪拌機(jī)中的一種。
步驟120,將多孔陶瓷加入到預(yù)混溶液中,繼續(xù)均勻分散,得到混合溶液。
其中,多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間;多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間;孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間.
步驟130,將混合溶液置于高溫爐內(nèi),升溫至700℃-1000℃,保溫2小時(shí)-5小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
當(dāng)制備方法采用液相法時(shí),制備過程如圖2所示,具體包括以下步驟。
步驟210,將多孔陶瓷和氧化亞硅置于球磨機(jī)中,在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,球磨混?0小時(shí)-48小時(shí),使氧化亞硅均勻分散于多孔陶瓷的孔隙中,得到前驅(qū)體材料。
步驟220,將前驅(qū)體材料置于加熱爐內(nèi),在氬氣或氮?dú)鈿夥障?,升溫?00℃-1000℃,保溫3小時(shí)-10小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚?,出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
其中,加熱爐包括:箱式加熱爐或管式加熱爐。
在可選的方案中,制備方法還包括:對低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆,然后分級除磁;碳包覆的方法包括:氣相包覆、液相包覆或固相包覆中的一種;低膨脹硅基復(fù)合材料的碳包覆層的質(zhì)量占低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。
本發(fā)明實(shí)施例提供低膨脹硅基復(fù)合材料可用于負(fù)極極片中作為負(fù)極活性材料,該負(fù)極極片可應(yīng)用于鋰電池中。
為更好的理解本發(fā)明提供的技術(shù)方案,下述以多個(gè)具體實(shí)例分別說明本發(fā)明低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及特性。
實(shí)施例1
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用固相法,具體制備過程如下。
1)將900g多孔氮化硅和2kg氧化亞硅混合均勻,置于球磨機(jī)內(nèi),在氬氣氣氛下,設(shè)置轉(zhuǎn)速為700r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn),球磨20小時(shí),使氧化亞硅分散于多孔氮化硅的孔隙中,得到前驅(qū)體材料,其中多孔氮化硅的粒徑Dv50為30μm,孔徑分布在100nm-2μm之間,孔隙率為62%。
2)將前驅(qū)體材料置于高溫爐內(nèi),在氮?dú)鈿夥障?,升溫?00℃,保溫4小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚?,出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛條件下升溫至800℃,按體積比1:1通入氬氣和乙炔氣體進(jìn)行氣相包覆,保溫1小時(shí)后關(guān)閉有機(jī)氣源,降至室溫后出料分級,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為0.8g/cm 3。
本發(fā)明制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)示意圖,如圖3所示。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片,并組裝扣式半電池和全電池進(jìn)行測試。
扣式半電池的制備方法和測試:將含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料、導(dǎo)電添加劑炭黑、粘接劑(質(zhì)量比為1:1的羧甲基纖維素鈉和丁苯橡膠),按照質(zhì)量比95%:2%:3%稱量,用打漿機(jī)進(jìn)行漿料制備,之后涂布、烘干、裁片,在手套箱中裝配成扣式半電池。使用充放電儀對制備的扣式半電池進(jìn)行恒流充放電模式測試,放電截止電壓為0.005V,充電截止電壓為2V,第一周充放電測試0.1C電流密度下進(jìn)行,測試數(shù)據(jù)見表1。
全電池的制備方法和測試:負(fù)極極片的制備:將含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料與石墨配置成比容量為450mAh/g的復(fù)合體,與導(dǎo)電添加劑,粘接劑,按比例95%:2%:3%稱取并混合;在室溫下,將混合后的材料和溶劑去離子水放入打漿機(jī)中,制備漿料;將制備好的漿料均勻涂布于銅箔上,在涂布速度為2.2m/min-3.5m/min之間,涂布機(jī)烘道溫度為70-100℃之間;經(jīng)涂布機(jī)雙面烘干后得到負(fù)極極片。
正極極片的制備:按96%:2%:2%比例稱取鎳鈷錳酸鋰(NMC)三元正極材料、導(dǎo)電添加劑和粘結(jié)劑并混合;在室溫下,將混合后的材料和溶劑N-甲基吡咯烷酮放入打漿機(jī)中,制備漿料;將制備好的漿料均勻涂布于鋁箔上,涂布速度在2.0m/min-3.0m/min之間,涂布機(jī)烘烤軌道溫度為90-120℃之間;經(jīng)涂布機(jī)雙面涂布烘干后得到正極極片。
電池的制備:將正極片的正極使用鋁極耳作為外露極耳,負(fù)極片的負(fù)極使用銅鍍鎳極耳作為外露極耳,將制備好的正、負(fù)極片與隔膜卷繞成裸體電芯,再通過熱封工藝采用鋁塑膜將電芯封裝,高溫真空烘烤去除電池中的水分,再注入1摩爾電解液,電解液是LiPF 6與碳酸乙烯酯/碳酸二甲酯(EC/DMC)的混合溶液,制成電芯,真空封口后,制備得到電池。
測試:使用充放電儀進(jìn)行恒流充放電模式測試,放電截止電壓為2.75V,充電截止電壓為4.2V,第一周之后的放電測試均在1C電流密度下進(jìn)行。
極片的膨脹率測試:在1C下,分別在電池300圈和600圈滿電狀態(tài)時(shí),對5組電池進(jìn)行拆除,取其負(fù)極極片,用測厚儀分別測量每組極片的10處不同區(qū)域的厚度,取平均值。在同樣測試條件下,得到極片初始狀態(tài)下的厚度平均值。
計(jì)算公式為:極片滿電膨脹率=(極片不同圈數(shù)滿電時(shí)的平均厚度-極片初始平均厚度)/ 極片初始平均厚度;即可得測試負(fù)極極片的膨脹率,測試數(shù)據(jù)詳見表1。
本實(shí)施例制備的半電池的初始效率、0.1C可逆容量,全電池1C倍率下300圈的循環(huán)保持率測試和300圈、600圈滿電的極片膨脹率的測試結(jié)果詳見表1。
實(shí)施例2
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用液相法,具體制備過程如下。
1)將2.3kg氧化亞硅和15L無水乙醇溶液,置于分散機(jī)中,設(shè)置分散機(jī)的分散盤轉(zhuǎn)速為1300r/min,室溫下充分?jǐn)嚢?小時(shí),得到預(yù)混溶液。
2)將700g多孔SiC加入到預(yù)混溶液中,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1300r/min,在分散機(jī)中繼續(xù)分散18小時(shí),得到混合溶液,其中多孔SiC的粒徑Dv50為40μm,孔徑分布在500nm-4μm之間,孔隙率為80%。
3)將混合溶液置于管式爐內(nèi),升溫至1000℃,保溫2小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛下升溫至900℃,按體積比1:2通入氬氣與乙炔和丙烷混合氣體進(jìn)行氣相包覆,其中乙炔和丙烷體積比為1:1,保溫90min后關(guān)閉有機(jī)氣源,降至室溫后出料分級,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為0.95g/cm 3。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例3
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用固相法,具體制備過程如下。
1)將1kg多孔氮化硼和2.2kg氧化亞硅混合均勻,置于球磨機(jī)內(nèi),在氬氣氣氛下,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1000r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn),球磨26小時(shí),使氧化亞硅分散于多孔氮化硼的孔隙中,得到前驅(qū)體材料,其中多孔氮化硼的粒徑Dv50為25μm,孔徑分布在50nm-1μm之間,孔隙率為70%。
2)將前驅(qū)體材料置于高溫爐內(nèi),在氬氣氣氛下,升溫至600℃,保溫8小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚隽虾筮M(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料與瀝青乳液按照13:1的質(zhì)量比進(jìn)行混合,攪拌6小時(shí)形成均勻漿料,將漿料烘干后置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛下升溫至900℃保溫1.5小時(shí),降溫出料分級后,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為0.95g/cm 3。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例4
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用液相法,具體制備過程如下。
1)將2.1kg氧化亞硅和21L丙酮溶液共同置于砂磨機(jī)內(nèi),在氬氣氣氛下,設(shè)置線速度為12m/s,砂磨4小時(shí),得到預(yù)混溶液。
2)將800g多孔氮化鎵加入到預(yù)混溶液中,繼續(xù)在砂磨機(jī)中均勻分散12小時(shí),得到混合溶液,其中多孔氮化鎵的粒徑Dv50為17μm,孔徑分布在20nm-500nm之間,孔隙率為85%。
3)將混合溶液置于箱式爐內(nèi),升溫至700℃,保溫5時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1.5kg物料與石墨烯按照15:1的比例溶于異丙醇,攪拌10小時(shí)形成均勻漿料,將漿料烘干置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛中升溫至950℃,保溫1.5小時(shí),降溫出料分級后,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為1.1g/cm 3。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例5
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用固相法,具體制備過程如下。
1)將700g多孔SiC和2kg氧化亞硅混合均勻,置于球磨機(jī)內(nèi),在氮?dú)鈿夥障?,設(shè)置轉(zhuǎn)速為2000r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn),球磨19小時(shí),使氧化亞硅分散于多孔SiC的孔隙中,得到硅基復(fù)合前驅(qū)體材料,其中多孔SiC的粒徑Dv50為50μm,孔徑分布在600nm-5μm之間,孔隙率為90%。
2)將前驅(qū)體材料置于高溫爐內(nèi),在氮?dú)鈿夥障拢郎刂?000℃,保溫3小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚?,出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料與酚醛樹脂按照21:1的比例溶于四氫呋喃,攪拌7小時(shí)形成均勻漿料,將漿料烘干后置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛下升溫至900℃保溫2小時(shí),降溫出料分級后,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為1.2g/cm 3。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例6
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用固相法,具體制備過程如下。
1)將1kg多孔氮化硅和3kg氧化亞硅混合均勻,置于球磨機(jī)內(nèi),在氮?dú)鈿夥障?,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1500r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn),球磨15小時(shí),使氧化亞硅分散于多孔氮化硅的孔隙中,得到硅基復(fù)合前驅(qū)體材料,其中多孔氮化硅的粒徑Dv50為40μm,孔徑分布在20nm-1μm之間,孔隙率為75%。
2)將前驅(qū)體材料置于高溫爐內(nèi),在氮?dú)鈿夥障?,升溫?00℃,保溫3小時(shí)-10小時(shí),進(jìn)行高溫?zé)崽幚?,出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料, 測試振實(shí)密度為0.85g/cm 3
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛條件下升溫至950℃,按體積比2.5:1通入氬氣和與氬氣等量的乙炔和丙烷混合氣體進(jìn)行氣相包覆,其中乙炔和丙烷體積比為2.5:1,保溫1小時(shí)后關(guān)閉有機(jī)氣源,降至室溫后出料分級,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例7
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用液相法,具體制備過程如下。
1)將2kg氧化亞硅和10L異丙醇溶液共同置于分散機(jī)中,設(shè)置分散機(jī)的分散盤轉(zhuǎn)速為1400r/min,室溫下充分?jǐn)嚢?小時(shí),得到預(yù)混溶液。
2)將800g多孔氮化鈦加入到預(yù)混溶液中,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1400r/min,在分散機(jī)中繼續(xù)分散18小時(shí),得到混合溶液,其中多孔氮化鈦的粒徑Dv50為5μm,孔徑分布在10nm-300nm之間,孔隙率為87%。
3)將混合溶液置于管式爐內(nèi),升溫至800℃,保溫3小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為1.3g/cm 3。
使用本實(shí)施例制備的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
本發(fā)明實(shí)施例制備的低膨脹硅基復(fù)合材料的組裝的電池的循環(huán)曲線圖,如圖4所示。
實(shí)施例8
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用液相法,具體制備過程如下。
1)將2.2kg氧化亞硅和18L甲苯溶液,置于球磨機(jī)中,在氬氣氣氛下,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1000r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn),球磨5小時(shí),得到預(yù)混溶液。
2)將1.1kg多孔SiC加入到預(yù)混溶液中,在球磨機(jī)中繼續(xù)球磨分散,在氬氣氣氛下,設(shè)置轉(zhuǎn)速為1000r/min,正轉(zhuǎn)加反轉(zhuǎn)濕磨24小時(shí),得到混合溶液,其中多孔SiC的粒徑Dv50為7μm,孔徑分布在50nm-500nm之間,孔隙率為76%。
3)將混合溶液置于箱式爐內(nèi),升溫至750℃,保溫4小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料,測試振實(shí)密度為0.83g/cm 3。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料與石油瀝青按照23:1的質(zhì)量比進(jìn)行混合,置于高溫爐中,在保護(hù)氣氛下升溫至850℃,保溫1.5小時(shí),降至室溫后出料分級,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
實(shí)施例9
本實(shí)施例提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料的制備過程及性能測試,采用液相法,具體制備過程如下。
1)將2.2kg氧化亞硅和20L乙二醇二甲醚溶液,置于超聲波機(jī)中,設(shè)置超聲頻率為25KHz,超聲分散5小時(shí),得到預(yù)混溶液。
2)將800g多孔氮化鈦加入到預(yù)混溶液中,繼續(xù)在超聲機(jī)中進(jìn)行均勻分散,設(shè)置超聲頻率為40KHz,超聲分散20小時(shí),得到混合溶液,其中多孔氮化鈦的粒徑Dv50為300nm,孔徑分布在1nm-20nm之間,孔隙率為53%。
3)將混合溶液置于管式爐內(nèi),升溫至800℃,保溫3小時(shí),出料后進(jìn)行粉碎和篩分,得到低膨脹硅基復(fù)合材料,其振實(shí)密度為1.1g/cm 3。
對本實(shí)施例制備得到的低膨脹硅基復(fù)合材料進(jìn)行碳包覆:將1kg低膨脹硅基復(fù)合材料置于回轉(zhuǎn)爐中,在保護(hù)氣氛下升溫至1000℃,按體積比3:2.5通入氬氣和丙烯氣體進(jìn)行氣相包覆,保溫2小時(shí)關(guān)閉有機(jī)氣源,降至室溫后出料分級,即得到含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料。
使用本實(shí)施例制備的含碳包覆層的低膨脹硅基復(fù)合材料制備負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
為更好的說明本發(fā)明實(shí)施例的效果,以對比例同以上實(shí)施例進(jìn)行對比。
對比例1
本對比例提供了一種傳統(tǒng)硅基負(fù)極材料的制備過程及性能測試。具體制備過程如下。
1)將1kg硅粉末、1.2kg二氧化硅粉末混合均勻,置于真空高溫爐內(nèi),抽真空至140Pa,加熱升溫至1750℃,保溫2小時(shí),得到混合氣體。
2)將混合氣體在不銹鋼襯底上冷卻沉積,得到沉積物料。
3)將沉積物料粉碎和篩分后,即得到硅基負(fù)極材料。
對本對比例制備得到的硅基負(fù)極材料進(jìn)行碳包覆:將1kg硅基負(fù)極材料與石油瀝青按照24:1的質(zhì)量比進(jìn)行混合,置于高溫爐中,在氮?dú)鈿夥障律郎刂?00℃保溫2小時(shí),降溫出料分級后,即得到含碳包覆層的硅基負(fù)極材料。
使用本對比例制備的含碳包覆層的硅基負(fù)極材料制作負(fù)極極片并組裝電池進(jìn)行測試,具體過程同實(shí)施例1。測試數(shù)據(jù)詳見表1。
本對比例制備的的硅基負(fù)極材料組裝的電池循環(huán)曲線圖,如圖4所示。通過圖4可以看出,實(shí)施例7低膨脹硅基復(fù)合材料制備的全電池的循環(huán)容量保持率優(yōu)于對比例1硅基負(fù)極材料制備的全電池的循環(huán)容量保持率。
對實(shí)施例1-9以及對比例中的負(fù)極材料分別進(jìn)行扣電的初始效率和可逆容量測試,全電300圈的循環(huán)保持率,和300圈、600圈負(fù)極極片的膨脹率測試,測試結(jié)果如表1 所示。
由表1中的測試數(shù)據(jù)對比可知,在相同測試條件下,實(shí)施例1-9負(fù)極極片的膨脹率均小于對比例的負(fù)極極片的膨脹率,這是因?yàn)閷?shí)施例1-9中多孔陶瓷作為骨架,氧化亞硅分散于多孔陶瓷孔隙內(nèi),多孔陶瓷的高強(qiáng)度和高硬度可以有效穩(wěn)定低膨脹硅基復(fù)合材料的結(jié)構(gòu),在充放電過程中緩沖體積膨脹,抑制合金粉化。
本發(fā)明提供了一種低膨脹硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,目的是解決傳統(tǒng)氧化亞硅負(fù)極材料的較大的體積膨脹率和電池循環(huán)性能差的問題,通過將多孔陶瓷和氧化亞硅通過液相或固相的方式進(jìn)行復(fù)合,得到以多孔陶瓷為骨架,氧化亞硅在多孔陶瓷孔隙之中的硅基復(fù)合材料。因多孔陶瓷骨架具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和硬度,當(dāng)鋰離子嵌入時(shí),多孔陶瓷骨架結(jié)構(gòu)可以有效抑制氧化亞硅的體積膨脹,保持材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,從而實(shí)現(xiàn)電池的低體積膨脹率和高循環(huán)性能。本發(fā)明制備的低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間,有利于鋰電池的加工工藝。
以上所述的具體實(shí)施方式,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
低膨脹硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用.pdf