一種基于鈣銦硫八面體納米塊或鈣銦硫/ZnO異質(zhì)結(jié)
復(fù)合材料的光電探測(cè)器及其制備方法,所述鈣銦硫?yàn)槿S八面體納米塊結(jié)構(gòu),在鈣銦硫/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料中,ZnO為二維納米片結(jié)構(gòu),均勻緊密地分布在CaIn2S4八面體納米塊表面。以制備的CaIn2S4八面體納米塊和CaIn2S4/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料為工作電極,通過(guò)熱封膜將其與對(duì)電極連接,并在中間注入聚硫電解質(zhì)或去離子水,分別組裝為CaIn2S4納米塊和CaIn2S4/ZnO異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器。所制備探測(cè)器可在室溫下實(shí)現(xiàn)紫外到可見(jiàn)光的寬光譜探測(cè),且能夠在無(wú)外加偏壓下工作。本發(fā)明合成了三維CaIn2S4八面體納米塊和具有獨(dú)特結(jié)構(gòu)的CaIn2S4/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料,并基于其分別制備了高性能的光電探測(cè)器,拓展了CaIn2S4
納米材料在光電探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“基于鈣銦硫八面體納米塊或鈣銦硫/ZnO異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料的光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)