本發(fā)明公開(kāi)了一種硒化鉍納米片/四硒化三鉍納米線復(fù)合材料的制備方法及應(yīng)用，屬于光電材料和探測(cè)器的制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明使用操作簡(jiǎn)便、過(guò)程可控的一步溶劑熱法制備出了Bi2Se3納米片/Bi3Se4納米線復(fù)合材料，其中兩種組分的比重可以通過(guò)調(diào)節(jié)Se源的摩爾量來(lái)調(diào)控。制備方法簡(jiǎn)單，納米結(jié)構(gòu)接觸緊密，以該復(fù)合材料為工作電極制備的自供能光電探測(cè)器響應(yīng)迅速，在近紅外?可見(jiàn)?紫外波段均有較強(qiáng)的光電流響應(yīng)，相比基于純相Bi2Se3納米片制備的自供能光電探測(cè)器，其探測(cè)性能有很大提升，能夠有效地抑制光生電子?空穴的復(fù)合。Bi2Se3納米片/Bi3Se4納米線復(fù)合材料的制備對(duì)未來(lái)發(fā)展Bi?Se雙元素材料的異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有較高的參考價(jià)值。