本發(fā)明公開了一種SiC納米線增強SiC多孔陶瓷
復合材料及其制備方法,屬于陶瓷基復合材料領域,制備的SiC納米線增強SiC多孔陶瓷材料具有強度高,韌性好,密度小,耐高溫,孔徑分布均勻等優(yōu)點。該復合材料包括SiC納米線和SiC多孔陶瓷基體,所述超長SiC納米線通過原位自交聯(lián)生長組成SiC多孔陶瓷基復合材料預制件,所述的SiC納米線預制件中的超長SiC納米線相互纏繞,交聯(lián)成空間網(wǎng)狀結構,所述的SiC多孔陶瓷基體填充于超長SiC納米線的孔隙中;制備方法包括SiC納米線預制件的制備、化學氣相浸滲、先驅(qū)體浸漬燒結,該制備方法工藝簡單,設備要求低,成本低,環(huán)保。
聲明:
“SiC納米線增強SiC多孔陶瓷復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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