本發(fā)明提供了一種TiB2/Si-Al
復(fù)合材料的制備方法,屬于電子封裝材料制備技術(shù)領(lǐng)域。工藝過程包括配制混合鹽、熔煉(60~70)wt%Si-Al合金、熔鑄-原位合成TiB2顆粒、噴射沉積成形TiB2/Si-Al復(fù)合材料和TiB2/Si-Al復(fù)合材料熱等靜壓五個(gè)階段。本發(fā)明在不影響Si-Al合金的熱膨脹系數(shù)、熱導(dǎo)率和密度的前提下,有效地細(xì)化初晶硅尺寸并解決了其在Si-Al合金兩相區(qū)加熱保溫時(shí)粗化的問題。該復(fù)合材料廣泛適用于電訊、航空、航天、國防和其它相關(guān)工業(yè)電子元器件所需的新型封裝或散熱材料。
聲明:
“TiB2/Si-Al電子封裝復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)