本發(fā)明公開一種鈦硅碳界面改性SiCf/SiC吸波
復(fù)合材料及其制備方法,將碳化硅纖維預(yù)制體置于CVD爐恒溫區(qū)內(nèi),在適合的溫度范圍內(nèi),采用化學(xué)氣相滲透法在碳化硅纖維表面沉積鈦硅碳界面層;然后將其置于含有聚碳
硅烷和鈦硅碳的漿料中進(jìn)行浸漬,采用前驅(qū)體浸漬裂解法(PIP)制備陶瓷基復(fù)合材料。本發(fā)明制備出了含有Ti
3SiC
2界面的SiCf/SiC復(fù)合材料,工藝簡(jiǎn)單,成本低,且有效調(diào)控了吸波復(fù)合材料的介電常數(shù),達(dá)到良好的吸波效果。
聲明:
“鈦硅碳界面改性SiCf/SiC吸波復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)