本發(fā)明公開了一種特殊結(jié)構(gòu)的p-n結(jié)納米
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于無(wú)機(jī)非金屬
納米材料制備、環(huán)境保護(hù)技術(shù)與太陽(yáng)能利用技術(shù)領(lǐng)域。該p-n結(jié)材料為以低維納米結(jié)構(gòu)(球狀、多面體狀、線狀等)窄禁帶p型
半導(dǎo)體材料(氧化亞銅、硫化亞銅、硫化鎘等)為內(nèi)核,表面修飾(部分包覆)納米尺度的寬禁帶n型半導(dǎo)體材料(二氧化鈦、氧化鋅、氧化錫等)。采用控制金屬鹽水解的方法,在低維納米結(jié)構(gòu)窄禁帶p型半導(dǎo)體材料的表面構(gòu)建大量的異質(zhì)納米p-n結(jié)。該p-n結(jié)納米復(fù)合材料可以直接用于解決可見光下有機(jī)物的分解和及微生物病原體的滅活和太陽(yáng)能的高效利用的問(wèn)題,特別是單成分光催化劑材料電子—空穴分離效率低的難題。
聲明:
“異質(zhì)p-n結(jié)納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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