本發(fā)明涉及一種高熱導(dǎo)率氮化硅-氮化鋁
復(fù)合材料及其制備方法,該復(fù)合材料由以下質(zhì)量百分比的原料成分經(jīng)混合、球磨、干燥、燒結(jié)而成:氮化硅55~90wt.%,氮化鋁5~35wt.%,燒結(jié)助劑0~10wt.%;各成分用量之和為100%。本發(fā)明通過(guò)向Si3N4材料中添加AlN制得的Si3N4-AlN復(fù)合材料,所制得的Si3N4-AlN復(fù)合陶瓷材料除了具有一般氮化硅陶瓷的優(yōu)異性能外,還具有熱導(dǎo)率高的特點(diǎn),可以滿足半導(dǎo)體器件和集成電路等對(duì)熱導(dǎo)率要求較高的場(chǎng)合的應(yīng)用要求。
聲明:
“高熱導(dǎo)率氮化硅-氮化鋁復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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