本發(fā)明公開了一種介孔硅填充的低介電環(huán)氧樹脂
復合材料及其制備方法。按重量計,包括環(huán)氧樹脂100份,介孔硅1~20份,固化劑60~90份,促進劑0.1~1份。本發(fā)明的介孔硅填充的低介電環(huán)氧樹脂復合材料,通過合成介孔硅并對其進行接枝改性而引入低介電常數(shù)的含氟聚合物,可以降低其親水性,改善界面相容,顯著降低復合材料的介電常數(shù),并提高熱穩(wěn)定性和力學性能,可以廣泛用于電子封裝領域。另外,本發(fā)明的制備方法比較簡單,易于實施,具有良好的開發(fā)與應用前景。
聲明:
“介孔硅填充的低介電環(huán)氧樹脂復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)