本發(fā)明涉及一種原位生成AlN/SiC結合C
復合材料及其制備方法。其技術方案是:將Al
4SiC
4粉末和粘結劑混合,得混合料I;或將Al
4SiC
4粉末和含C材料混合后再與粘結劑混合,得混合料II;混合料為混合料I或為混合料II。將混合料經(jīng)預壓成型和等靜壓成型,于110℃條件下烘干,得到預制坯體;將放有預制坯體的
石墨坩堝置于氣壓燒結爐內,在≤0.1mbar條件下從室溫加熱至1000~1200℃;保溫條件下充N
2至1~5MPa,保壓條件下再加熱至1600~1800℃,保壓保溫,自然冷卻至室溫,制得原位生成AlN/SiC結合C復合材料。本發(fā)明制備的原位生成AlN/SiC結合C復合材料密度低、質量輕、物相分布均勻、強度高、抗熱震性好及抗氧化性能優(yōu)異。
聲明:
“原位生成AlN/SiC結合C復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)