3SiC2MAX相界面層改性SiC/SiC復(fù)合材料及其制備方法,復(fù)合材料"> 3SiC2MAX相界面層改性SiC/SiC復(fù)合材料及其制備方法,本發(fā)明涉及一種Ti3SiC2 MAX相界面層改性SiC/SiC復(fù)合材料制備方法,屬于航空航天材料制備工藝領(lǐng)域。本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積方法,在SiC纖維預(yù)制體中纖維表面沉積Ti3SiC2 MAX相界面層,厚度為200~1200nm。然后,采用化學(xué)氣相沉積方法在Ti3SiC2 MAX相界面層外側(cè)沉積SiC界面層,厚度為3~5μm完全包覆Ti3SiC2 MAX相界面層。接著選取適當(dāng)?shù)臉渲膀?qū)體進(jìn)行重復(fù)浸漬?固化?裂解處理,得到含多孔碳基體的生坯。最后,在高溫熔滲">
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