本發(fā)明公開了一種基于二氧化硅金屬硫化物
復(fù)合材料,采用兩步水熱法,在模板劑二氧化硅外表面生長二硫化錳、二硫化鈷的納米花狀結(jié)構(gòu),同時(shí)通過硫化反應(yīng),二氧化硅被氫氧根刻蝕,從而使一部分二氧化硅從硫化物離子的水解中釋放出來,將內(nèi)部二氧化硅模板刻蝕出一定的孔洞,便于離子遷移即可制得基于二氧化硅的分層納米金屬硫化物復(fù)合材料。其制備方法包括以下步驟:1復(fù)合金屬氧化物前驅(qū)體的制備;2基于二氧化硅金屬硫化物復(fù)合材料的制備。作為超級(jí)電容器電極材料的應(yīng)用,在0?0.55 V范圍內(nèi)充電/放電,在放電電流密度為1 A/g時(shí),比電容為1150?1160 F/g。具有優(yōu)良的材料穩(wěn)定性能,和優(yōu)良的離子傳輸能力。
聲明:
“基于二氧化硅金屬硫化物復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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