本發(fā)明公開了一種基于p?6p/C8?BTBT
復合材料的OFET管及其制備方法。本發(fā)明的OFET管包括柵極(1)、絕緣層(2)、有源層(3)、源極(4)和漏極(5),有源層(3)為p?6p/C8?BTBT復合材料,在絕緣層(2)表面上覆蓋p?6p層(31),在p?6p層上結晶C8?BTBT層(32),形成有序晶體狀有機薄膜。本方法發(fā)明包括步驟:1、ITO基片的預處理;2、在基片上旋涂絕緣層;3、蒸鍍p?6p/C8?BTBT復合材料;4、源漏電極的制備。本發(fā)明的OFET管提高了OFET管性能,且能降低OFET管制備難度,制備工藝簡單;本方法發(fā)明克服了現(xiàn)有技術用高純度有機
半導體材料制備OFET管的技術偏見,在微電子及應用電子領域有廣泛的應用價值。
聲明:
“基于p?6p/C8?BTBT復合材料的OFET管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)