本發(fā)明提供了一種高致密SiC/SiC
復(fù)合材料及其制備方法,該方法包括:(1)采用化學(xué)氣相沉積法,在SiC纖維預(yù)制體的表面沉積PyC界面層,得到第一試樣(2)在第一試樣的表面沉積SiC界面層,得到第二試樣(3)將第二試樣浸漬在包含燒結(jié)助劑的前驅(qū)體漿料中,得到第三試樣(4)將第三試樣依次進行固化、裂解反應(yīng),得到第四試樣(5)重復(fù)步驟(3)至(4)至少八次,然后進行燒結(jié),得到高致密SiC/SiC復(fù)合材料。本發(fā)明制備的SiC/SiC復(fù)合材料高度致密化,具有優(yōu)異的力學(xué)性能。
聲明:
“高致密SiC/SiC復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)